中國記憶體雙雄長江存儲（YMTC）與長鑫存儲（CXMT）爆發專利訴訟，DDR5 與 HBM 相關專利成攻防焦點。中國 DRAM 國產化進程進入深水區，專利戰揭示內部競合已從補貼戰轉向技術戰；DIGITIMES、第一財經、北京商報、雷峰網、集微網、EE Times China 等多源報導。
從產業結構看，長江存儲與長鑫存儲分屬中國國家積體電路產業投資基金（大基金）下不同階段的重點扶持對象，兩家公司在 NAND Flash 與 DRAM 領域原本呈互補而非直接競爭態勢。但隨著長鑫存儲跨入 HBM 並規劃於 2027 年進入 HBM4 量產階段，雙方在 AI 推論所需的高頻寬記憶體市場上首次正面交鋒。中國 AI 晶片自給率目標在「十五五」規劃中已從過去的通用 DRAM 延伸至 HBM，使得任何一方在專利戰中失利都可能影響其在中國本土 AI 客戶（如華為、寒武紀、海光信息）中的供應資格。
這場專利戰並非單一事件，而是中國記憶體產業從補貼驅動轉向技術驅動的訊號。過去十年，長江存儲與長鑫存儲透過政府補貼與資本支持快速擴產並建立初期產品線，但隨著中國本土 AI 與 HPC 客戶對 HBM、DDR5 等高階產品的良率與頻寬要求快速提升，專利布局已成為進入主流供應鏈的入場券。專利戰背後的真正競爭，是中國半導體國家隊內部對於「誰能在 AI 時代成為中國本土記憶體霸主」的重新定位。
市場人士分析，專利戰短期內可能擾動中國本土 AI 晶片客戶的採購節奏——華為、寒武紀等可能在雙方訴訟期間轉向更謹慎的雙源採購，並對供應連續性進行更嚴格的盡職調查。中長期而言，無論訴訟結果如何，這場攻防都將加速中國 HBM 與 DDR5 的專利布局密度，並推動中國半導體智財（IP）服務商、專利訴訟律師團隊、以及 SiP（System in Package）設計服務商的業務擴張。中國記憶體產業的下一個十年，將是專利密度而非產能密度決定勝負的十年。
值得關注的是，這場專利戰對台系記憶體廠商（如南亞科、華邦、群聯）以及國際 DRAM 三巨頭（Samsung、SK 海力士、Micron）的實質影響仍屬有限——中國本土 HBM 與 DDR5 的良率與頻寬仍落後國際領先者 1.5~2 個世代，短期內中國本土 AI 客戶的旗艦產品仍以國際記憶體供應為主。但若長鑫與長存的專利戰最終促成中國本土 HBM 良率突破並進入主流供應鏈，則 2027~2028 年台系與國際記憶體廠在中國 AI 客戶端的競爭將進入新階段。
產業觀察人士補充，這場專利戰的時機選擇並非偶然。長江存儲於 2025 年宣布 HBM3 量產、2026 年 HBM3E 進入小批量出貨，2027 年規劃 HBM4 量產時間表。隨著長江存儲在 HBM 領域的擴張速度加快，長鑫存儲面臨的競爭壓力同步上升。專利戰的發動可視為長鑫在 HBM4 量產前，先行建立專利壁壘、鞏固客戶關係的策略性動作。中國半導體產業的競爭已從「誰能造出來」進入「誰能守住專利」的階段。
從國際比較視角看，長鑫與長存的專利戰與 2010~2015 年 Samsung 與 SK 海力士、SK 海力士與 Toshiba 之間的專利攻防有相似之處。國際記憶體廠商透過專利戰達到三個目的：延緩競爭對手進入高階市場的時程、提高對方產品線的法律風險、以及在客戶端建立「選我比較安全」的形象。中國本土記憶體廠商此時發動專利戰，意味著其已進入「準備收割」的階段，預示 2027~2030 年中國本土 HBM 與 DDR5 將進入市場滲透率快速提升期。
值得一提的是，這場專利戰的結果對中國 AI 晶片自給率目標至關重要。中國政府在「十五五」半導體規劃中明確提出 2027 年 AI 推論晶片自給率達 70%、2030 年達 90% 的目標，而 HBM 是其中最關鍵的瓶頸環節。若長鑫或長存任何一方因專利戰失利而失去 HBM 主供應商資格，將直接影響中國 AI 晶片（如華為 Ascend、寒武紀、海光 DCU）的量產時程，並可能迫使中國政府介入協調，這也意味著專利戰最終可能走向「和解 + 交叉授權」的中性結局。
總結而言，長存與長鑫的專利戰將在 2026~2028 年成為中國半導體產業的關鍵觀察指標，其結果將直接影響中國 AI 晶片自給率目標的達成時程、HBM 國產化的市場滲透率、以及中國本土半導體供應鏈的競爭結構。對台灣半導體供應鏈而言，短期內實質影響有限，但中長期需密切關注中國 HBM 良率突破後對國際記憶體市場的衝擊效應，並透過技術差異化（如 HBM4E、3D 堆疊、特殊應用記憶體）維持國際市場的競爭優勢。這場專利戰也提醒台灣半導體產業，專利布局密度已成為下一代半導體競爭的關鍵戰場，未來五年內台廠在 HBM、AI 加速器、特殊應用記憶體等領域的專利布局密度將是維持國際競爭力的核心要素之一。