這波記憶體缺貨的根源，在於 HBM4 量產時程與 AI 加速器需求之間的巨大落差。DIGITIMES 引述業界消息指出，SK 海力士雖已於 2026 年 7 月率先完成 12 層堆疊 HBM4 量產準備，並從 9 月起大幅擴充對輝達 Rubin 平台的出貨規模，但整體 HBM 月投片量仍遠不足以滿足輝達、博通、AMD 等 AI 加速器客戶的同步需求；三星雖於 5 月宣布業界首款 12 層 HBM4E 樣品，但因製程良率與混合鍵合技術尚未到位，實際進入大量供貨的時間仍落後 SK 海力士至少一季，導致市場供需缺口持續擴大。

反映在報價面上，HBM4 的現貨價與長約價同步飆漲。DIGITIMES 引述業界指出，目前正在協調量產的 16 層堆疊 HBM4，若不在 LTA（長期供貨協議）內而在現貨市場採購，價格已達 3,500 美元（約 480 萬韓元）；預期 2026 下半年 HBM4 每 Gb 報價約 2 美元，到 2027 年將上看 4 至 5 美元以上，等於一年內翻倍。三星與 SK 海力士已以 3 至 5 年長約綁定輝達、Google、AMD 等主要 AI 客戶，新合約甚至傳出預付機制與最短供貨量保證條款，長約比重估計已超過七成，現貨市場流通量極為有限。

進一步觀察供給端的瓶頸，目前並非單純的晶圓產能不足。DIGITIMES 與韓媒 Chosunbiz 同步揭露，三大記憶體原廠把約七成產能鎖進長約，能夠靈活供應現貨與新客戶的產能已大幅縮減；同時玻璃載板、TSV 矽穿孔、混合鍵合（hybrid bonding）等關鍵封裝材料與製程的產能擴充進度落後，使得即使 HBM 晶圓產能開出，也無法順利封裝成最終 HBM4 模組。韓國 KB 證券指出，三星與 SK 海力士的記憶體庫存天數已低於 10 天，是 2018 年以來最短水位，顯示供給側已無任何緩衝空間。

缺貨壓力也從 HBM 蔓延至一般 DRAM 與 NAND。DIGITIMES 與多家分析師同步指出，AI 加速器客戶為搶 HBM4 產能，將原本配置給伺服器 DRAM 與行動 DRAM 的產能大量挪移，導致 DDR5 與 LPDDR5x 等一般記憶體也進入供應吃緊；LPDDR4 甚至出現現貨價翻倍的情況。NAND 端因 AI 推論的 SSD 需求暴增，企業級 SSD 的交期也從 8 週拉長到 20 週以上。整個記憶體產業進入「結構性缺貨」，與過去週期性循環有本質上的不同。

對台系記憶體族群而言，這是過去十年來最大的轉單與漲價紅利。華邦電、旺宏、南亞科、宜鼎等台廠雖不生產 HBM，但在 DDR5、LPDDR5、MRDIMM 等高階伺服器記憶體與利基型 DRAM 上具備互補優勢；法人圈認為，隨著三星與 SK 海力士把主力產能移往 HBM4 與 HBM4E，一般伺服器 DRAM 將出現供給空缺，台廠可望接收來自輝達 GB300、AMD MI400、雲端 CSP 自研 ASIC 的轉單潮，毛利率與出貨量同步上修。

展望後續，業界普遍預期這波記憶體缺貨將延續到 2027 年底。DIGITIMES 與韓媒同步預測，2027 年 HBM 月投片量將從 2026 年的約 18 萬片，推升到 25 萬片以上，但仍不足以完全消化 AI 客戶需求；除非三星與 SK 海力士在 2027 年中前完成 HBM4E 量產切換，並把玻璃載板與混合鍵合的供應鏈瓶頸打通，否則缺貨態勢難以緩解。值得注意的是，HBM4 與 HBM4E 的產線擴張不只是單純的晶圓與封裝投資，更涉及上游 EUV 曝光機、TSV 蝕刻機、混合鍵合機台的全球排隊配額；ASML 與應材已接到來自三星與 SK 海力士未來三年合計約 280 億美元的設備長單，並把交期鎖定到 2028 年；同時三星與 SK 海力士也透過預付款與技術合作，深化與台積電、聯電的合作，把部分後段封測與 SoIC 整合委外給台廠。

這波缺貨也讓台灣記憶體相關供應鏈成為「第二階」的最大受惠者。DIGITIMES 引述法人圈指出，雖然華邦電、旺宏、南亞科並未直接切入 HBM4，但隨著三大原廠把主力產能移往 HBM4 與 HBM4E，伺服器 DDR5、LPDDR5x、MRDIMM 等高階記憶體供給將出現明顯空缺，台廠可望接收來自輝達 GB300、AMD MI400、Google TPU v6 等平台的轉單潮；同時華邦電與旺宏在 NOR Flash、SLC NAND 等利基型記憶體的市占率也將提升，預期 2027 年台系記憶體廠合計營收將年增 30% 以上，毛利率同步上修 3 至 5 個百分點，這也是法人圈近期持續調高三星、SK 海力士目標價至歷史新高的核心邏輯，並呼應 KB 證券「韓國記憶體股估值重新評價的起點」的判斷。