【2026-09-29】SK 海力士 OIP 奪 TSMC Partner of the Year 連莊 HBM5、CoWoS 共同驗證 PCIe SSD 2030 市場放大 3.8 倍

半導體.零組件 📅 2026-09-29 | 信心 A・多源 | 多源獨立媒體 ≥ 7 來源 Search mode: rss_fallback(MiniMax MCP unavailable: tool not exposed; Brave 402 → Exa keyless rescue)

SK hynix 9 月 23 日於美國聖塔克拉拉 TSMC OIP Conference 展示下一代 AI 記憶體產品線,含 NVIDIA Vera Rubin 搭載的 12 層 36GB HBM4 與 96GB SOCAMM2;並以 HBM5 與 TSMC CoWoS 共同驗證獲選 3DFabric-HBM Integration 類 Partner of the Year。SK hynix 並預估 PCIe 企業級 SSD 市場將自 2026 年 509 EB 放大至 2030 年 1,933 EB(3.8 倍)。

SK hynix 於 TSMC OIP Conference 連莊 Partner of the Year。SK hynix 官方新聞稿與韓國 EDAILY 多源報導指出,SK hynix 於 2026 年 9 月 23 日(當地時間)出席美國聖塔克拉拉舉辦的 TSMC Open Innovation Platform(OIP)Conference,並以 HBM5 與 TSMC CoWoS 共同驗證成果獲得「3DFabric-HBM Integration」類 Partner of the Year 獎,這是 SK hynix 連續第二年獲此獎項。OIP 為 TSMC 與半導體生態系夥伴共同發展技術的合作平台,每年下半年於全球舉辦論壇,邀請成員公司與主要客戶進行技術交流。SK hynix 自 2024 年起持續參與,2025 年以 HBM4 + CoWoS 整合獲獎,今年則升級到 HBM5 + CoWoS 共同驗證層次。

NVIDIA Vera Rubin 平台搭載 SK hynix HBM4 與 SOCAMM2 共同展示。SK hynix 與多家媒體指出,展場以「Memory behind the Intelligence at Scale」為主軸,並把 NVIDIA 下一代超級晶片 Vera Rubin 與 SK hynix 12 層 36GB HBM4、96GB SOCAMM2 同步展示。12 層 36GB HBM4 直接整合於 Rubin GPU 核心周邊,作為高頻寬資料通道;SOCAMM2 則為低功耗 DRAM 模組,作為 Vera CPU 的系統主記憶體,支援 AI 代理在長對話中即時反映上下文的能力。同場展示的下一代產品還包括 12 層 48GB HBM4E、16 層 48GB HBM4、12 層 36GB HBM3E 與 192GB SOCAMM2,完整呈現 SK hynix 從 HBM 到伺服器 DRAM、再到企業級 SSD 的 AI 記憶體布局。

伺服器 DRAM 與企業級 SSD 同場亮相。SK hynix 與 EDAILY 多源指出,伺服器 DRAM 系列展示三款代表性產品:(1) 256GB 3DS RDIMM:業界最大容量,專為 AI 工作負載設計;(2) 128GB MRDIMM:高頻寬版本;(3) 64GB RDIMM:全球首款採用 10 奈米級第六代(1c)製程的 RDIMM。企業級 SSD 部分則展示 PEB210 E1.S(支援直接液冷 DLC)、PS1101 E3.S(SK hynix 首款 QLC eSSD)、PEB210 M.2 三種規格。SK hynix PCIe Design 部門資深工程師朴大植在專題演講中預估,PCIe 企業級 SSD 市場規模將自 2026 年的 509 EB 放大至 2030 年的 1,933 EB,等於 3.8 倍的成長,對 E1.S 與 E3 規格的需求將因高容量、高密度、冷卻效率等需求而快速攀升。

第六、第七代 PCIe SSD 將採用 chiplet 與 UCIe 架構。SK hynix 指出,因應 AI 基礎建設對高頻寬與低功耗的需求,PCIe 自第四代以來世代演進速度加快,每 2-3 年頻寬翻倍;第六代起,功耗優化與設計/製程協作變得更關鍵。SK hynix 自第三代 PCIe 起即以 TSMC 製程開發 SSD 控制器;第六代、第七代將採用 chiplet 設計,把傳統單晶片控制器拆解為以 UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)互連的功能單元,目的是縮短開發時間、各功能獨立世代演進、提升容量與功耗優化彈性。

對 AI 與半導體產業的戰略意涵。多源分析指出,SK hynix 與 TSMC 在 HBM 與 CoWoS 上的深度合作,象徵 AI 記憶體從單純的「晶片堆疊」走向「晶片+先進封裝+生態系」的系統級整合。HBM5 與 CoWoS 共同驗證代表兩件事:(1) HBM 進入次世代時,先進封裝的同步設計比晶片本身更關鍵;(2) NVIDIA 等系統商直接受益於「HBM+封裝」整體解決方案,而非單獨的 HBM。這也解釋為何 SK hynix、三星、美光等記憶體廠商都積極與 TSMC 結盟先進封裝資源,而 TSMC 也將 CoWoS 列為 2026-2028 年最重要的產能擴張項目之一。

對台灣半導體供應鏈的影響。分析指出,SK hynix × TSMC × NVIDIA 的三方生態系進一步強化台灣在 AI 供應鏈的關鍵地位:(1) CoWoS 與 SoIC 需求持續擴大,日月光、矽品、欣興等封測與載板廠直接受惠;(2) HBM 對 TSV(矽穿孔)需求大增,精材、鈦昇等台廠受惠;(3) 12 層以上的 HBM 堆疊帶動 EMC(環氧樹脂封裝材料)與散熱材料需求,日商與台廠同步受惠。這一波 HBM 與 CoWoS 的雙引擎擴張,將是台灣半導體後段供應鏈 2026-2028 年最重要的成長動能。

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