Nikkei Asia 多源報導指出，日本半導體材料大廠 Resonac Holdings（舊名昭和電工）於 9 月 29 日宣布，成功開發 300mm（12 吋）碳化矽（SiC）基板，成為日本第一家達成此一里程碑的業者。相較於目前業界主流的 150mm（6 吋）與 200mm（8 吋）SiC 基板，300mm 基板單一晶圓可產出的 IC 數量可達現有基板的 4 倍，大幅提升 SiC 功率元件的生產效率與單位成本。這項進展讓 Resonac 在與美國 Wolfspeed、中國業者（天科合達、山東天岳等）的 300mm SiC 基板競賽中取得關鍵地位。

SiC 為電動車與再生能源的關鍵功率半導體材料。SiC（碳化矽）為第三代半導體材料的代表，相較於傳統矽（Si），SiC 在高電壓、高溫、高頻運作下的損耗更低、效率更高，已成為電動車（EV）逆變器、再生能源（太陽光電、風電）變流器、軌道交通、AI 資料中心高效率電源供應器、工業自動化等高功率應用的首選材料。過去 SiC 基板的主流尺寸為 150mm（6 吋），近年逐步過渡到 200mm（8 吋）；300mm（12 吋）則被視為 SiC 基板的下一個世代，能進一步降低單位晶片成本、提升產量。

Resonac 領先日本同業加入 300mm SiC 俱樂部。Nikkei Asia 分析指出，在 Resonac 之前，全球只有美國 Wolfspeed 與中國業者公開展示或量產 300mm SiC 基板。日本雖然在半導體材料與設備領域長期占據關鍵地位，但在 SiC 基板大尺寸化競賽中起步較晚；Resonac 此舉代表日本產業界正式加入 300mm SiC 競賽，並試圖與 Wolfspeed、中國業者在次世代功率半導體材料上維持競爭力。這也呼應日本經濟產業省（METI）在「半導體與數位產業戰略」中將 SiC 視為戰略物資的政策方向。

300mm SiC 基板的技術挑戰。業界分析指出，SiC 基板從 200mm 升級到 300mm 並非單純的尺寸放大，而是面臨多項技術挑戰：(1) SiC 晶體生長速度慢、易產生微管（micropipe）與其他缺陷，300mm 等級的晶體品質控制難度大幅提升；(2) SiC 硬度高、切割與研磨難度大，薄化與拋光良率控制是關鍵；(3) 200mm 與 300mm 製程的設備投資差異巨大，300mm 需要全新的長晶爐、切割機、研磨機等。Resonac 並未揭露 300mm SiC 基板的具體量產時程與產能規劃，但「成功開發」本身已是關鍵技術突破訊號。

對 AI 資料中心電源與電動車市場的影響。多源分析指出，AI 資料中心對高效率電源供應器的需求大幅增加，SiC MOSFET 在 AI 伺服器電源供應（PSU）中的滲透率快速提升；電動車方面，特斯拉（Tesla）Model 3 率先全面採用 SiC 逆變器、比亞迪（BYD）、Hyundai、Kia 等車廠也陸續跟進。Resonac 進入 300mm SiC 俱樂部代表次世代 SiC 基板供應鏈將更多元化，有助於穩定 SiC 元件的整體供應。

對台灣半導體與功率元件產業的意涵。台灣在 SiC 基板環節相對薄弱，但下游功率元件與封測環節有不少業者投入，包括：(1) SiC 元件：瀚薪科技（已被羅姆 Rohm 併購）、盛新材料、尼克森、杰力、富鼎等；(2) SiC 模組與封裝：欣興、南亞電路、旭德等。Resonac 與 Wolfspeed、中國業者的 300mm SiC 競賽將影響台廠採購 SiC 基板的成本與供應穩定性，台廠需密切關注並評估多源採購策略，以確保在電動車、AI 資料中心等高成長市場的競爭力。