DRAM 庫存低於 10 天 三星 SK 海力士 Micron Q4 合約價再漲 40%
事件摘要
記憶體產業研究機構 Shattered.io 與 TrendForce 同步指出,三星與 SK 海力士 2026 年 9 月底 DRAM 與 NAND 庫存水位已跌破 10 天安全線,創下 2017 年以來新低。TrendForce 9 月最新報告預估,Q4 2026 DRAM 合約價將較 Q3 上漲 40~50%,NAND Flash 同步調漲 40~50%,32GB DDR5 模組現貨價 Q2 已衝上 550~600 美元,較 2023 年低點 105 美元翻漲 4.8 倍。Gartner 與 Network World 同步示警,2026 全年 DRAM 均價預估漲幅上看 47%,AI 加速器 HBM 排擠消費性供給的結構性問題,將延續至 2027 年 Q1 之後才有望緩解。
HBM 排擠效應與三大記憶體廠策略
Tech-Insider 與 Investing.com 引用供應鏈消息指出,三星、SK 海力士與 Micron 2026 年合計資本支出上看 600 億美元,並把絕大部分新增產能分配給 HBM3E 與 HBM4,2026 年 H2 將 HBM3E 供貨價調漲 20~30%。TrendForce 與 Shattered.io 指出,NVIDIA Vera Rubin（5 月底量產）、AMD MI400 系列、Google TPU v7 等 AI 加速器大量採用 HBM4,單一 AI 伺服器 HBM 用量是消費性 PC 的 8~12 倍,排擠效應直接導致消費性 DRAM、NAND 報價同步飆漲。En.Unibetter 與 Astute Group 同步預估,2026 年三星與 SK 海力士 HBM 合計市佔率將上看 88%,Micron 約 12%,三大廠幾乎以 AI 客戶為優先。
終端市場的全面漲價傳導
Shattered.io 與 Yahoo Finance 引用 Bloomberg 報導指出,記憶體漲價已從 PC、伺服器市場延伸至智慧型手機。華為消費者業務負責人余承東 10 月 1 日在 Mate 90 發表會上坦言,記憶體成本讓華為每支手機平均多 200 美元;三星 Galaxy S26 Ultra 256GB 與 512GB 已在 9 月同步調漲 100 美元。Counterpoint Research 估計,2026 年全球售價低於 200 美元的手機占比將從 2024 年的 38% 下滑至 28%,低階手機市場正式進入結構性退場階段。Gartner 與 Bloomberg 同步指出,Android 高階機種 ASP 將比 2025 年再上揚 18%~22%,對蘋果 iPhone 18 系列反而是「定價空間打開」的正向利多。
DRAM 與 NAND 現貨市場動態
Shattered.io 與 Tech-Insider 同步指出,32GB DDR5 模組現貨價 Q2 2026 衝上 550~600 美元,2TB SSD 從 2023 年 100 美元上漲至 600 美元以上,Reddit r/pcmasterrace 與 r/hardware 網友反映「組一台電競 PC 記憶體支出已超過顯卡」。Investing.com 引用 TrendForce 報告指出,Q4 DRAM 與 NAND 合約價上漲動能將延續到 2027 年 Q1,屆時三星平澤 P4 廠、SK 海力士 M16 與 M17 廠新增產能才會逐步到位。Ersa Electronics 與 Unibetter 同步指出,NAND Flash 2026 年 Q2 合約價 Q-on-Q 上漲 70~75%,創下 2018 年以來最大單季漲幅,反映 AI 推論應用對高密度儲存的強勁需求。
市場意涵與後續觀察
記憶體庫存跌破 10 天、Q4 合約價再漲 40% 代表記憶體產業已進入「賣方市場」,DRAM 與 NAND 將是 2026 年 Q4 至 2027 年 Q1 科技股獲利的關鍵動能。對台股供應鏈而言,南亞科、華邦電、旺宏、群聯、十銓、威剛等台系記憶體模組與 IC 設計公司將直接受惠,2026 Q3~Q4 法說會將成為下一波股價催化劑。三大記憶體廠 2026 年合計資本支出 600 億美元中,SK 海力士 HBM 占比上看 50%、三星 35%、Micron 30%,代表 HBM 排擠效應至少延續 4~6 季,2027 年下半年才有機會逐步緩解。
後續觀察與產業長期趨勢
記憶體漲價已從 PC、伺服器延伸至手機與消費性電子,2026 全年 DRAM 與 NAND 合計市場規模上看 1,800 億美元,較 2024 年的 1,110 億美元成長 62%,創下 2021 年以來新高;SK 海力士 2026 H1 營業利益率衝上 32%,創下 2018 年以來新高,股價同步創歷史新高,三星半導體部門 2026 Q3 營業利益率回升至 22%,代表記憶體產業正進入「超級週期」,Micron 與西部資料、鎧俠（Kioxia）也同步受惠,NAND 報價 Q4 將上看 70~75% 季增;對台股記憶體供應鏈而言,2H26 與 2027 年上半年將是獲利爆發期,南亞科、華邦電、旺宏、群聯等可望在 Q3~Q4 法說會繳出亮眼成績單,長期則需觀察 HBM 排擠效應緩解時點與中國長江存儲（YMTC）、長鑫存儲（CXMT）的產能擴張進度,預期 2027 H2 將是關鍵轉折點。
資料來源
- Shattered.io: Memory Chip Shortage: Stockpiles Fall Below 10 Days [2026]
- TrendForce: DRAM and NAND prices Q4 2026 contract price forecast
- Network World: Samsung warns of memory shortages driving industry-wide price surge in 2026
- Unibetter: RAM Memory Shortage 2026 Guide: Price Trend
- Ersa Electronics: Memory Chip Price Increase 2026 Market Trends
- Astute Group: DRAM and NAND prices jump as Samsung, SK Hynix and Micron tighten supply
- Investing.com: The End of Cheap Memory: Why 2026 Marks a Structural Shift in Tech Economics
- Tech-Insider: 2026 Memory Chip Shortage: SK Hynix Warns