三星、SK 海力士 Q3 財報迎高標 HBM4 量產最後一哩 庫存跌破 10 天 2027 缺貨恐加劇

事件摘要

TrendForce 與 KB 證券、Seoul Economic Daily、MoneyDJ、ETtoday 同步揭露，韓國兩大記憶體巨頭三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士（SK hynix）2026 Q3 記憶體庫存已跌破 10 天供應量，創下歷史新低紀錄；KB 證券研究主管金東元於 9 月初報告中示警：「這已經不只是簡單的需求復甦，市場可能出現『可銷售庫存歸零』的極端情境」。SK 海力士 2026 Q3 營收預估將達 17.57 兆韓元（約 130 億美元）、營業利潤 7.03 兆韓元、淨利潤 5.75 兆韓元，三項指標均創單季歷史新高；三星電子 Q3 營收預估 76 兆韓元、營業利潤 12 兆韓元、年增上看 145%，半導體事業部（DS）營業利潤上看 9.5 兆韓元創 2018 年來新高。市場焦點集中於 SK 海力士 HBM4 12-Hi 32GB 量產時程與三星 HBM4 12-Hi 32GB 認證進度，兩家公司 HBM4 量產將於 2026 Q4 同步放量，2027 H1 進入「HBM4 全面取代 HBM3e」的世代交替期，預期 2027 年全球 DRAM 與 HBM 供需缺口將擴大至 8~10 個百分點。

SK 海力士 Q3 財報細節與 HBM4 量產布局

Seoul Economic Daily 與 sinotrade 同步報導，SK 海力士 2026 Q3 營收預估 17.57 兆韓元、營業利潤 7.03 兆韓元、淨利潤 5.75 兆韓元，分別較 2025 Q3 年增 38%、96%、105%；HBM 事業部佔總營收比重上看 42%（2025 Q3 為 28%），單季 HBM 營收 7.38 兆韓元、年增 87%，是 SK 海力士獲利暴增的核心驅動。SK 海力士 HBM4 12-Hi 32GB 採用 1b 奈米製程、單顆頻寬 1.5 TB/s，已於 2026 年 8 月完成 NVIDIA GB300 與 GB400 認證，9 月開始大量出貨，Q4 月產能從 1.5 萬片 wafer 擴張至 3 萬片，2027 H1 進一步上看 6 萬片。SK 海力士 Q3 法說會將於 10 月 24 日召開，市場關注 2026 全年資本支出是否上修（市場基期 22 兆韓元、樂觀派 25 兆韓元）、2027 H1 HBM3e 與 HBM4 比例（市場預期 2026 Q4 HBM4 占比 30%，2027 H1 達 60%、2027 H2 達 80%）、與 HBM4e 12-Hi 48GB 樣品時程（市場基期 2026 Q4、樂觀派 2027 H1）。

三星 HBM4 認證與記憶體版圖重分配

TrendForce 與 ETtoday 同步指出，三星電子 HBM4 12-Hi 32GB 已於 2026 年 8 月通過 Broadcom、AMD MI400 系列認證，9 月中通過 Google TPU v7 認證，Q4 將送樣 NVIDIA GB400 與 Apple M8 Ultra 進行最終認證；一旦三星 HBM4 通過 NVIDIA 認證，將打破「SK 海力士獨家供應 NVIDIA HBM4」的局面，預期 2027 H1 三星將拿下 NVIDIA 30% 訂單（vs HBM3e 時代 18%）、SK 海力士 60%（vs 72%）、美光 10%（vs 10%）。三星 Q3 營收預估 76 兆韓元、營業利潤 12 兆韓元、年增上看 145%，半導體事業部（DS）營業利潤 9.5 兆韓元創 2018 年以來新高，其中 HBM 事業部貢獻 3.5 兆韓元、DRAM 4 兆韓元、NAND 2 兆韓元。三星 Q3 法說會將於 10 月 30 日召開，市場關注三星 1c 奈米製程良率（市場基期 65%、樂觀派 72%）、HBM4 量產時程（市場基期 2026 Q4 開始、樂觀派 2026 Q3 已開始）、與 2027 年 HBM 訂單分配（NVIDIA 30% / Broadcom 25% / AMD 20% / Google 15% / 其他 10%）。

庫存跌破 10 天的供應鏈衝擊

udn 與 Yahoo 股市同步指出，KB 證券 9 月 7 日報告揭示三星與 SK 海力士 Q3 庫存跌破 10 天的極端現象，引發市場對 2027 年記憶體缺貨的全面性恐慌。KB 證券研究主管金東元指出，庫存跌破 10 天代表兩家公司「現貨幾乎賣光」，主因 HBM4 量產初期佔據大量 DRAM 晶圓產能（單顆 HBM4 12-Hi 32GB 消耗的晶圓面積是 DDR5 32GB 的 3.5 倍），連帶排擠傳統 DRAM 與 NAND 產能；TrendForce 同步預測 2027 年全球 DRAM 供需缺口將達 8~10 個百分點、NAND 缺口達 5~7 個百分點、HBM 缺口達 12~15 個百分點。MoneyDJ 與 MooMoo 同步分析，缺貨情境將推動記憶體價格 2026 Q4~2027 H1 持續上漲：DDR5 32GB 模組從 2026 Q2 的 130 美元上看至 2027 H1 的 200 美元（漲幅 53.8%）；HBM4 12-Hi 32GB 從 480 美元上看至 600 美元（漲幅 25%）；3D NAND 1Tb TLC 從 4.2 美元上看至 6.5 美元（漲幅 54.8%）。下游受影響產業包含：PC OEM（聯想、HP、Dell、華碩、宏碁）、伺服器 OEM（Supermicro、Dell PowerEdge、 HPE ProLiant）、消費型 SSD（Western Digital、Seagate、Kingston）、智慧型手機（Apple、Samsung、小米、OPPO、vivo），預期 2027 H1 終端電子產品均價將上漲 5~10%。

對台股與記憶體供應鏈的意涵

富聯網、ETtoday 與 sinotrade 同步指出，記憶體超級循環 2026~2027 全面引爆將對台股記憶體與封測供應鏈帶來三波效應：第一波是記憶體模組與 IC 設計受惠——南亞科（2408）DRAM 與 NAND 報價同步上漲 20~25%，2026 Q3 毛利率上看 35%（vs 2025 Q3 22%）、單季 EPS 上看 2.5 元創 2018 年來新高；華邦電（2344）NOR Flash 與利基型 DRAM 同步受惠，2026 Q4 報價上看 12% 漲幅；旺宏（2337）NOR Flash 與 SLC NAND 同步受惠；威剛（3260）、創見（2451）、十銓（4967）、宇瞻（8271）四大模組廠 DDR5 報價同步上漲 20~30%。第二波是封測與測試受惠——南亞科自有的 12 吋晶圓廠產能利用率 95%+，但華邦電、旺宏將尋求力積電（6770）與世界先進（5349）的 8 吋晶圓代工產能，預期 2027 H1 力積電與世界先進產能利用率將上看 95~98%；測試端則受惠於京元電子（2449）、欣銓（3264）、矽格（6257）的記憶體測試業務爆量，2026 Q4 合併營收年增上看 30~40%。第三波是設備與材料受惠——ASML、TEL、Lam Research、AMAT 等設備廠訂單滿手；台股的弘塑（3131）、辛耘（3583）、瑞耘（6532）、家登（3680）、帆宣（6196）、崇越（5434）、晶呈科技（4762）將同步受惠。預期記憶體超級循環將在 2026 Q4~2027 H1 為台股記憶體與封測相關供應鏈帶來 5,000 億新台幣的累積營收貢獻，並推動台股記憶體類股指數在 2027 Q1 突破 800 點歷史新高。

後續觀察重點

三星與 SK 海力士 Q3 財報與記憶體超級循環的五大觀察重點：(1) 10/24 SK 海力士與 10/30 三星 Q3 法說會是否上修 2026 Q4 與 2027 H1 HBM4 / DRAM / NAND 報價預期（市場基期 DDR5 32GB 模組 200 美元，樂觀派 220 美元）、(2) 2026 Q4 三星 HBM4 是否通過 NVIDIA GB400 與 Apple M8 Ultra 認證（一旦通過將打破 SK 海力士獨家供應 NVIDIA 局面）、(3) 2026 Q4~2027 H1 力積電、華邦電、世界先進等台系記憶體晶圓代工廠是否調漲 8 吋晶圓代工報價 10~15%（市場基期無調漲、樂觀派 2027 Q1 調漲 12%）、(4) 2027 H1 美光 HBM4 12-Hi 32GB 是否順利量產並切入 NVIDIA 與 AMD 供應鏈（市場預期美光將以更具競爭力的價格（單顆 460 美元）搶攻 10% 市占）、(5) 2026 Q4~2027 H1 終端 OEM 是否被迫跟進調漲 PC / 伺服器 / 智慧型手機售價 5~10%，並對全球消費市場需求造成壓力。一旦三星與 SK 海力士 2026 Q3 財報與 2026 Q4 展望順利達標並上修，記憶體超級循環將進入 18 個月的「主升段」，台股記憶體類股、封測類股、設備類股將在 2026 Q4~2027 H1 同步迎來「記憶體三喜」的歷史性多頭行情，預期 2027 H1 台股加權指數上看 5 萬 5,000 點、費城半導體指數（SOX）上看 8,500 點。