記憶體 Q4 漲勢未歇 DRAM 季增上看 20% NAND 季增上看 30% 群聯 南亞科 華邦電三大受惠標的全解析

記憶體 Q4 漲價潮未歇 DRAM 季增上看 20% NAND Flash 季增上看 30% 法人看好 2027 上半年再漲一輪

TrendForce 與經濟日報同步揭露，記憶體 Q4 漲價潮未歇，法人預估第 4 季 DRAM 與 NAND Flash 價格將分別季增 20%、30%，供需缺口持續為負，價格談判權仍掌握在供應端。**(1) DRAM**——一般型 DRAM 價格將季增 15-20%、Server DRAM 季增 20-25%、Mobile DRAM 季增 10-15%；DDR4 季增 28-33%、DDR5 季增 18-22%、DDR3 季增 35-40%；(2) **NAND Flash**——企業級 SSD 將季增 30-40%（主因 Agentic AI 即時檢索需求）、消費級 SSD 季增 20-25%、嵌入式 NAND（UFS 3.1 / UFS 4.0 / UFS 5.0）季增 15-20%；(3) **HBM 與 HBM3e/HBM4**——HBM 價格 Q4 季增上看 8-12%，HBM3e 已於 Q3 大幅量產、HBM4 已進入風險試產、HBM4E 已於 9 月底送出第一個工程樣品給 NVIDIA。Omdia 與 DIGITIMES Research 同步指出，三星電子 2026 年 NAND 產出將從 2025 年的 490 萬片降至 468 萬片、年減近 4.5%，SK 海力士產量則從 190 萬片降至 170 萬片、年減逾 10%，**全球 NAND Flash 供給將於 2026 Q4 至 2027 H1 持續吃緊**。DIGITIMES 與財訊同步分析，AI 伺服器（NVIDIA Blackwell 系列 / Vera Rubin 系列）排擠三星、SK 海力士、美光等三大記憶體廠的 DDR5 與 HBM 產能，是 DRAM 與 NAND 缺貨的根本原因，預估此供需結構性失衡將延續至 2027 年上半年，**法人看好 2027 H1 將再漲一輪 DRAM 季增 15-20%、NAND 季增 20-25%**。

群聯 南亞科 華邦電三大受惠標的群聯 9 月營收年增上看 240% 南亞科 Q4 毛利率上看 35% 華邦電 NOR Flash 切入 NVIDIA Vera Rubin

工商時報與科技新報同步揭露，**台股記憶體受惠三雄：群聯 (8299)、南亞科 (2408)、華邦電 (2344)**，三家公司在 Q4 漲價潮中的最新進展：**(1) 群聯 (8299)**——9 月合併營收 86.41 億元、月增 8.5%、年增 230%，創單月歷史新高；累計前 9 月合併營收 651 億元、年增 78%，主因企業級 SSD 出貨放量、UFS 5.0 嵌入式 NAND 切入 Android 高階手機（Samsung Galaxy S27、Pixel 11、Xiaomi 16、Oppo Find X9）；法人預估群聯 Q4 合併營收上看 280-300 億元、單季毛利率上看 28-32%、單季 EPS 上看 16-18 元；**(2) 南亞科 (2408)**——Q3 合併營收 286 億元、年增 75%，毛利率由 Q2 的 18% 跳升至 28%，單季 EPS 5.2 元，創 9 季新高；Q4 受惠 DRAM 季增 20% 與 DDR4 季增 28-33%，法人預估 Q4 毛利率上看 32-35%、單季 EPS 上看 7.5-8.5 元；2027 H1 新廠（12 吋廠）將於 Q3 進入風險試產、Q4 量產，月產能 30,000 片；**(3) 華邦電 (2344)**——9 月合併營收 88.6 億元、年增 38%，主因 NOR Flash 切入 NVIDIA Vera Rubin 平台單一機櫃搭載 600 顆以上 NOR Flash（較前一代 Hopper 機櫃的 300 顆增加 100%），並打入 Tesla、BMW、BYD 等車用記憶體供應鏈；法人預估華邦電 Q4 合併營收上看 260-280 億元，創單季歷史新高。Yahoo 股市同步指出，**市場先前質疑記憶體價格將於 2026 H2 反轉下跌，但目前法人普遍認為記憶體漲勢將延續至 2027 年中**，主因 AI 基礎建設持續擴張、GPU 出貨放量、HBM 產能排擠效應，三大記憶體廠掌握定價主導，毛利率向上提升，記憶體概念股已成為台股 Q4 至 2027 上半年的主流熱門族群。

DDR4 全球供給快速消失 企業級 SSD 因 Agentic AI 即時檢索需求 NAND 缺貨結構性延續至 2027

TrendForce 與 Omdia 進一步揭露記憶體供需結構：**(1) DDR4 全球供給快速消失**——三星、SK 海力士、美光陸續將產能轉往 DDR5 與 HBM，全球 DDR4 供給快速消失，Q4 DDR4 季增上看 28-33%，2027 H1 DDR4 價格將上看 70-90%，是記憶體漲勢中最具「缺貨題材」的一環；**(2) Agentic AI 即時檢索需求**——Agentic AI 服務（如 OpenAI ChatGPT Agent、Anthropic Claude Agent、Google Gemini Agent、Microsoft Copilot Agent）需要即時檢索龐大的向量資料庫與企業知識圖譜，推升企業級 SSD 需求大幅放量，**Q4 企業級 SSD 季增上看 30-40%**，是 NAND 缺貨結構中的核心；(3) **HBM3e 與 HBM4 量產進度**——三星 HBM3e 已於 Q2 量產、HBM4 已於 Q3 風險試產、預計 2026 H2 量產；SK 海力士 HBM3e 與 HBM4 已於 Q2-Q3 同步量產，HBM4E 已於 9 月底送出第一個工程樣品給 NVIDIA；美光 HBM3e 已於 Q2 量產、HBM4 已於 Q3 風險試產、預計 2027 H1 量產。DIGITIMES 與經濟日報同步分析，記憶體缺貨結構性延續至 2027 年並非單一事件，而是 AI 算力 + HBM 排擠 + 產能移轉 + DDR4 消失 + Agentic AI 五大因素疊加，**這波記憶體超級循環週期預估將延續至 2027 H2 至 2028 H1**，台廠群聯、南亞科、華邦電的營收與毛利率將於 Q4 同步挑戰歷史新高。