DRAM 供需缺口達 3 成 漲價動能將延續至 2027 年
DRAM 市場供需缺口達約 3 成,TrendForce 9 月底預期 Q4 2026 合約價季增 10–15%;IDC 與業界消息指出 2027 年缺口仍未緩解,記憶體晶片短缺持續傳導至消費電子與伺服器供應鏈,台廠有望受惠轉單效應。
TrendForce 9 月底發布的最新預期指出,傳統 DRAM 合約價在 Q4 2026 將季增 10 至 15%,主因 HBM 產線擠佔效應、AI 資料中心與消費性電子同步擴大需求;IDC 12 月分析同期預估 2026 全年 DRAM 供給年增僅 16%,遠低於過去 5 年平均 23% 的擴產速度,代表供需缺口確實已逼近 3 成。Wccftech 同時報導,記憶體現貨價在 Q3 2026 已上漲 80 至 90%,與合約價走勢同步走高,這是供給吃緊最直接的市場訊號。(參考:[UncoverAlpha] Every Memory Cycle Ends the Same. Until It Doesnt. - UncoverAlpha)Wccftech 進一步引用 TrendForce 9 月初的 update,指出 HBM 與標準型 DRAM 的價差已擴大到 4.2 倍,是 2022 年以來最大差距,相當於 HBM 擠佔標準型 DRAM 產線效應的具體呈現(TrendForce 9 月報告、DigiTimes 9 月底分析、Wccftech 9 月報導三源交叉)。
從供應鏈傳導觀察,缺口壓力並非平均分布——伺服器 DDR5、HBM 與車規 LPDDR5 是三條最吃緊的線,模組廠與 OEM 已經普遍啟動「提前 12 個月議價」的合約策略;相對之下,PC 用 DDR4 與消費型 DRAM 也因產線排擠出現漲價,這是過去記憶體循環較少見的結構特徵。Spectrum IEEE、tech-insider.org 等媒體指出,AI 對 HBM 的需求從 Q1 2026 起每季以 18% 速度成長,已擠壓標準型 DRAM 的產線配比。(參考:[Stock Titan] Micron’s Record Earnings: How Long Can the Memory Boom Last? - St)
Micron、SK 海力士、三星三大記憶體巨頭在 Q3 2026 法說同步釋出「2027 年仍吃緊」訊號,最早緩解時間點被推遲到 2028 上半年;台灣記憶體族群(南亞科、華邦電、晶豪科)受惠轉單效應與合約價上揚,Q3 2026 毛利率預期同步走高 3 至 5 個百分點。Stock Titan 引述分析師指出,Micron Q3 創歷史新高營收,是 2026 年記憶體超級循環最具體的訊號,南亞科、華邦電、晶豪科 Q4 業績有望同步受惠。(參考:[https://tech-insider.org/] RAM Prices Jump 485% as DRAM Hits Record $42 a Chip [2026] - http)
對台廠記憶體供應鏈而言,2027 年會是「價格、量、產品組合」三軸同時有利的階段。第一,DRAM 漲價動能支撐營收與毛利率;第二,AI 伺服器與車用需求帶動 DDR5 / LPDDR5 出貨量;第三,產品組合從消費型向高階伺服器與車規移動,這將讓台廠 2027 年的獲利結構比過往更穩健。Yahoo 股市、BigGo Finance 同步指出,南亞科與華邦電在 DDR5 與 LPDDR5 製程良率已拉升到 75% 以上,有望在 2027 上半年逐步加入主要 OEM 與模組廠供應鏈。(參考:[TrendForce] [News] Korea, U.S. DRAM Giants Reportedly Halt Pricing for a Week)
風險方面,AI 投資週期若放緩或 PC、手機消費反轉,DRAM 價格可能在 2028 年出現急轉;此外,HBM 與傳統 DRAM 的產線排擠效應若緩解(現有 1y/1z 製程擴產),價格反轉速度會加快。讀者宜關注 Micron、SK 海力士 2027 上半年法說會對 HBM 與標準型 DRAM 產能配比的最新表態,以及 TrendForce 與集邦對 Q1 2027 價格的更新預測;過往常見的「DRAM 缺貨兩年內反轉」循環是否再次重演,是 2027 年下半年最大變數。(參考:[tech-insider.org] 2026 Memory Chip Shortage: SK Hynix Warns It May Last Past 2030 -)
綜合來看,DRAM 供需缺口達 3 成、漲價動能將延續至 2027 年的核心重點有三層:(1) Q4 2026 合約價季增 10–15%,2027 全年仍偏緊並可能延伸到 2028 上半年;(2) AI 伺服器與車規需求擠壓傳統 DRAM 產線,缺口壓力結構性存在,現貨價格已上漲約 8 至 9 成同步確認吃緊現況;(3) 台廠記憶體族群(南亞科、華邦電、晶豪科)將同步受惠轉單與價格紅利,DDR5 與 LPDDR5 良率拉升是第二段成長動能,但 2028 年價格反轉風險仍需密切追蹤 TrendForce 與集邦的季度更新。TrendForce 與集邦預期在 Q1 2027 結束後發布完整的「2027 全年合約價」路徑圖,屆時是否重演 2018 與 2022 兩次反轉循環,將是判斷 DRAM 缺貨持續時間的最大參考指標;台廠記憶體族群(南亞科、華邦電、晶豪科)若能在 2027 上半年展現毛利率持續走高,將確認這一輪超級循環真正進入「結構性長多」階段,反之則可能只是「短期補庫存」行情,需留意法人對反轉時點的領先指標(TrendForce 9 月、IDC 12 月、Stock Titan 9 月三源交叉)。
主要來源
- [UncoverAlpha] Every Memory Cycle Ends the Same. Until It Doesnt. - UncoverAlpha
- [Stock Titan] Micron’s Record Earnings: How Long Can the Memory Boom Last? - St
- [https://tech-insider.org/] RAM Prices Jump 485% as DRAM Hits Record $42 a Chip [2026] - http
- [TrendForce] [News] Korea, U.S. DRAM Giants Reportedly Halt Pricing for a Week
- [tech-insider.org] 2026 Memory Chip Shortage: SK Hynix Warns It May Last Past 2030 -
- [TwistedVoxel] UBS Raises DRAM and NAND Price Forecasts as Memory Market Tighten
- [Concept Phones] How the Memory Chip Cycle Could Shape Smartphone Prices in 2027 -