【2026-10-26】長鑫 4F² 伺服器 DDR5 年底推出 美光嗆「只是神話」押 3D DRAM 翻盤 中國記憶體逆襲路徑分歧
長鑫存儲預計在 2026 年底前推出首款採用 4F² 結構的伺服器 DDR5 RDIMM 模組,直接挑戰三星、SK 海力士與美光;美光則公開表示 4F² 只是神話、不參與這場競賽,改押 3D DRAM 翻轉戰局。長江存儲在 NAND 已拿下全球第三的市占,DRAM 布局則是下一個戰場,而台灣的南亞科與華邦電必須重新計算自己的位置。
DRAM 產業近十年最重要的一條技術路線之爭,在十月底有了新的表態。長鑫存儲預計在 2026 年底前推出首款採用 4F² 結構的產品,瞄準伺服器用 DDR5 RDIMM 記憶體模組。4F² 這個架構的邏輯,是用四層而非六層的單元結構逼近傳統節點的儲存密度,讓製程微縮不必完全依賴更激進的 EUV 多重曝光;DIGITIMES的說法更直白,長鑫是在挑戰 DRAM 微縮的「無人區」,而北京與合肥兩座廠的產能利用率目前都維持在高檔。TechNews 10/14、DIGITIMES
但真正讓這條路線成形的是兩大廠的分工與互補。長江存儲在 2026 年第二季取得全球 NAND 位元出貨量約 14% 的份額、排名第三,僅次於三星的 25% 以及 SK 海力士連同 Solidigm 的 22%;同時有研調指出,長江存儲下一步的布局就是 DRAM。這種「一家攻 NAND、另一家攻 DRAM」的分工,是中國記憶體產業能同時逼近兩個市場的結構性原因,而 DIGITIMES 也把這兩條線的匯流點直接指向記憶體三雄的定價能力。Yahoo 財經港版、DIGITIMES
面對長鑫的挑戰,美光選擇了不參與這場競賽。DIGITIMES的報導指出,美光打臉 4F² DRAM 稱「只是神話」,不參戰三星與長鑫競爭,改押 3D DRAM 翻轉戰局。這個表態背後的邏輯是策略選擇而非技術否定:3D DRAM 是把記憶體單元垂直堆疊、在面積上取得密度優勢的路線,對已經握有堆疊技術經驗與大量專利的美光而言是更自然的延伸;而 4F² 是一場製程與良率的豪賭,押注成功的廠商不多,於是美光選擇用時間換空間,不讓寶押在對手的規則上。DIGITIMES、鉅亨網
從市占數據看,這場競賽還沒有翻盤的跡象。Counterpoint Research 的資料顯示,2026 年第二季三星以 38% 領先 DRAM 市場營收,SK 海力士 25%、美光 24%,而長鑫存儲約占 7%、排名全球第四。TrendForce 的產業預估則指出,長鑫存儲的月產能預計從目前約 32 萬片提升到 2027 年的 42 萬片,但中國自有的 AI 與雲端需求可能吸收掉新增供給直到 2027 年。換句話說,產能會增加,但市占結構的實質改變可能要到更後面才會浮現——這也解釋了為什麼市場上會出現「2028 年前無法威脅全球市占格局」的判斷。Yahoo Finance、TrendForce
對台灣記憶體廠而言,這條線的意義在於產品組合必須重新排定。長鑫這次瞄準的正是伺服器 DDR5 市場,直接競爭對手是三星、SK 海力士與美光三大記憶體原廠;而南亞科與華邦電目前仍以 DDR4 及利基型記憶體為主。數位時代的整理把風險講得很清楚:當中國廠商把資源集中在最高單價的伺服器標準品,台灣廠商如果留在 DDR4 與利基市場,雖然短期受惠於傳統產品線的供給吃緊,但中長期會面對「技術階層與單價結構都往下移」的雙重擠壓。數位時代 bnext、TrendForce
值得留意的是,輝達執行長黃仁勳在同一時間點表態,對與長鑫存儲的合作持「開放態度」,並表示全球多數供應鏈環節都有中國企業參與。DIGITIMES的記錄是,輝達與長鑫的合作保持開放態度,記憶體永遠不嫌多。當最大的 AI 加速器買家對中國記憶體廠不設禁令、而中國廠商又把觸角伸進伺服器標準品,這兩件事疊在一起,才是 2027 年之後記憶體市場格局真正可能被改寫的原因。接下來值得追蹤的是:長鑫 4F² 伺服器 DDR5 的實際量產與良率、3D DRAM 誰能先把成本壓到可量產的門檻、以及美光的 3D 堆疊量產時程。經濟日報、CNBC
主要來源
- 美光打臉4F² DRAM稱「只是神話」 不參戰三星與長鑫競爭、押3D DRAM翻轉戰局 — DIGITIMES
- 長鑫喊勇闖DRAM微縮「無人區」 北京、合肥廠產能利用率維持高檔 — DIGITIMES
- 長鑫存儲擬推出首款4F² 伺服器DDR5 記憶體,挑戰國際三大廠 — TechNews
- 長鑫4F2架構是什麼?DDR5技術突破,南亞科、華邦電受衝擊 — 數位時代 bnext
- CXMT, YMTC Ramp Memory Capacity, but China's AI Cloud Boom Could Soak Up New Supply Through 2027 — TrendForce
- 長鑫存儲4F² DRAM技術突破,真能超車三星、SK海力士? — 鉅亨網
- Jensen Huang sees no sign of 2029 memory glut — CNBC
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