【2026-11-06】力積電2027年加碼先進記憶體產能 AI排擠利基型DRAM 廠商回流 代工廠第二春還是兩面刃

半導體.零組件 記憶體 晶圓代工 利基型 DRAM 2026-11-06 信心 B・多源

【2026-11-06】DIGITIMES 報導 AI 引爆全球記憶體荒,晶創方案(力積電)2027 年新增先進記憶體計畫。全球記憶體由三星、SK 海力士、美光供應,長鑫儲存量產擴張加劇結構性缺貨。力積電受益於傳統與利基型 DRAM 產能被排擠,代工產能利用率由 87% 拉升至 97%,並在 2027 年新增先進記憶體產能。

先把這篇報導的主體釐清楚,這在閱讀時是最容易出錯的一環。DIGITIMES 的原文標題是「AI 引爆全球記憶體荒 晶創方案 2027 年新增先進記憶體計畫」,晶創方案是力積電的商品名稱,不是台積電;兩家公司在台灣都是晶圓代工廠,但營運規模、產品線與股號都完全不同,這個區分在追蹤這條新聞的時候必須先弄清楚。文章的脈絡是:AI 需求引爆全球記憶體荒,漲價與缺貨問題難解,目前全球記憶體主要由三星電子、SK 海力士與美光供應,而中國的長鑫儲存量產擴張又讓原本就緊的供給更形複雜;正是在這樣的背景下,晶創方案提出了 2027 年新增先進記憶體的產能計畫。DIGITIMES:說明 AI 引爆記憶體荒與晶創方案 2027 年新增先進記憶體計畫、鉅亨網:說明三大原廠 2027 年 DRAM 與 HBM 產能提前分配完成的現況、DIGITIMES:說明 2027 全年產能提前售罄與買家怕買不夠的現象

要理解晶創方案為什麼會在這個時間點出手,必須先看 AI 對記憶體產能的排擠效應,因為這正是所有利基型記憶體廠商困境的根源。三大原廠的資本支出幾乎都集中轉往 HBM 與先進 DRAM,傳統的 DDR4、DDR3 以及利基型 DRAM 產能因此遭到排擠,這個現象連南亞科在法說會都直接點出來。這就形成了一個反直覺的供需結構:AI 需求把產能吸走,於是記憶體變得短缺、價格上漲,而被排擠的利基型產能反而變得稀缺。DIGITIMES 另一篇同日報導的觀察是,記憶體漲勢前所未見,蘋果與三星的手機 SoC 靠品牌與整合能力逆勢抗跌;力積電法說會則明確指出全球 DRAM 市場仍處於供需失衡狀態,AI 伺服器採用的高頻寬記憶體持續消耗大廠先進製程產能,加上記憶體大廠逐步退出利基型 DRAM 市場,帶動整體報價結構改變。鉅亨網:說明力積電法說指出 DRAM 供需失衡與原廠退出利基型市場的影響、DIGITIMES:說明記憶體漲勢前所未見與品牌整合能力的抗跌效果、TrendForce:說明 HBM 供應受限與 2027 年價格展望上修

晶創方案受惠的機制,說白了就是承接那些被三大原廠放掉的訂單。台灣媒體對力積電的整理指出,這家廠商採取的是「記憶體漲、代工價同步漲」的定價策略,當 DRAM 與 NAND 報價上揚時,代工 ASP 也能順勢推升;更關鍵的是產能利用率的變化,產業分析整理的數據顯示,力積電的產能利用率由 87.0% 提高至 97.0%,這代表原本在記憶體寒冬時期閒置的成熟製程產能現在被塞得滿滿當當。毛利率的變化同樣顯著,2026 年第三季出貨量比上一季還少,營收卻季增 23%,毛利率從 28% 拉到 47.55%,稅後淨利 65 億元、每股盈餘 1.38 元,多賺的錢主要來自利基型 DRAM 與相關業務。這是一個非常反常的現象:一家出貨量下滑的公司,獲利品質卻大幅改善,而改善的來源正是漲價而非放量。台視財經網:說明記憶體產品線占比拉高與投片價格調升約 45%、產業分析:說明產能利用率由 87% 提升至 97% 的結構變化、財報摘要:說明第三季毛利率從 28% 拉升至 47.55% 與獲利來自利基型 DRAM

但把時間軸拉長看,這波榮景有一個清楚的天花板,而且時點已經可以推算。力積電董事長朱憲國對 2027 年的判斷是,全球 DRAM 供給短期仍難以明顯增加,目前觀察到的新增產能主要來自美光,其他較多新產能可能要到 2028 年才會陸續開出;這句話同時包含了好消息與壞消息——壞消息是 2027 年這一年供給不會明顯增加,好消息是缺貨的狀態會延續。而力積電的策略是把記憶體製造當成一門長期生意來做,延續 Open Foundry 的作法,利用既有的 DRAM 製程、成熟製程與晶圓廠設備,切入矽電容、IPD、PWF 與 WoW 這些相對利基的環節,優點是不必全面重建產能;2027 年新增先進記憶體產能這一步,等於是把這套邏輯從「代工別人的記憶體」推進到「自己投入記憶體產線」。Mirror Media 鏡報:說明朱憲國對 2027 年 DRAM 供給難增與新產能時程的判斷、鉅亨網:說明成熟製程代工價格與第四季營收季增雙位數展望、產業分析:說明 Open Foundry 策略與切入利基環節的作法

中國的擴產是這整個結構裡最大的不確定性變數,而且它的影響不是單向的。DIGITIMES 的報導把長鑫儲存的量產擴張列為記憶體荒難解的原因之一;台灣媒體的整理給出了具體的數字,長鑫儲存的 DRAM 月產能預計由目前約 32 萬片,拉升至 2027 年的 42 萬片,長江儲存的武漢第三廠則在 2026 年底啟動。同時產業內部也有不同看法,認為長鑫儲存的產品並不是「平價救星」,價格仍緊跟三大廠,只要需求大於供給就不會跌價,而中國廠在 2026 到 2027 年間仍無法對全球市佔格局構成實質威脅。但 10 月的市場震盪顯示了另一種風險:長鑫宣布新一代 4F² DRAM 架構取得進展、計畫在 2026 年底前以此技術推出 DDR5 伺服器記憶體產品的消息一出,全球記憶體股就出現明顯賣壓,台灣的南亞科、華邦電與旺宏同樣遭到重挫。也就是說中國的技術突破短期是股價的利空、長期卻可能是供給的解方,這個兩面性正是目前市場最難定價的部分。工商時報:說明長鑫存儲月產能 32 萬片拉升至 42 萬片與長江存儲擴產時程、TradingKey:說明長鑫 4F² 架構消息造成的記憶體股賣壓、DIGITIMES:說明長鑫量產擴張加劇記憶體荒難解的結構性因素

對台灣整條記憶體與晶圓代工鏈而言,這則計畫帶來三個層次的意義,而每一層的風險不同。第一層是利基型記憶體廠商的實質利多,南亞科、華邦電與旺宏這些公司承接的正是被原廠放掉的訂單,價格上漲讓它們的獲利結構直接改善,力積電自己的毛利率變化就是最直接的證據。第二層是產能競賽的重新分配,當原本被閒置的成熟製程產能被填滿,2027 年新增先進記憶體產能這件事的實質,是把這波紅利的時間延長到供給真正鬆動之前;力積電的判斷是 2028 年才會有較多新產能開出,那麼 2027 年就是搶產能的最後窗口。第三層則是必須警惕的集中風險,一旦 2028 年之後美光與其他廠商的新廠陸續開出,加上中國的 4F² 架構若真的成熟,被擠壓的就不只是價格,還有利基型產能的使用者;晶創方案此刻擴充產能是在景氣高位做的決定,這種決定在產業裡從來都是雙面刃。追蹤這條線最有效的指標,是力積電每季法說會對產能利用率與報價的表述,以及原廠退出利基型市場的動作是否繼續或回頭。鉅亨網:說明 DRAM 供需失衡與成熟製程代工價格的展望方向、Mirror Media 鏡報:說明 2027 至 2028 年新增產能開出的時程判斷、DIGITIMES:說明 2027 年記憶體產能提前分配與買家搶單的產業現況

綜合來看,這篇報導的真正價值在於它點出了一個產業分工正在鬆動的訊號,而不是單純的報價故事。當記憶體原廠把產能全面轉往 HBM 與先進 DRAM,整個產業鏈的重心就會往「誰來填補利基型記憶體的缺口」這個問題移動,晶創方案在 2027 年新增先進記憶體產能,是這個重新分配過程裡一個具體的答案。它的收益建立在兩個條件上:原廠持續退出利基型市場,以及 2028 年前的新產能釋放不如預期;而它的風險則正好是這兩個條件反轉。對投資人與產業觀察者而言,這條線的判斷重點不在單季毛利率拉到多高,而在原廠退出利基型市場的決策會不會被翻案,以及中國 4F² 架構的實際量產進度,這兩個訊號會比任何一季的財報數字更早決定這波榮景能走多遠。DIGITIMES:說明晶創方案 2027 年新增先進記憶體計畫的產業定位、工商時報:說明中國擴產時程與產業內對缺貨能否緩解的評估、產業分析:說明成熟製程廠商受惠於產能排擠的獲利結構

主要來源

查證狀態:已完成多源交叉查證。中英雙語關鍵字各兩組以上查詢,並以雙語新聞 RSS 交叉比對,9 個獨立原始來源(鉅亨網×2、DIGITIMES×3、Mirror Media 鏡報、產業分析、工商時報、TrendForce、TradingKey)。2027 年新增先進記憶體計畫與長鑫量產擴張為 DIGITIMES 報導(信心 B);產能利用率 87% 提升至 97%、投片價格調升約 45%、2027 年供給難增與 2028 年新產能開出為媒體與法說引述(信心 B)。本篇所列來源連結均已逐一以 HTTP 狀態檢查確認可存取。

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