慧榮老總:記憶體還要再漲 報價飆 4 到 10 倍 有錢也排不到貨
NAND Flash 控制 IC 大廠慧榮(Silicon Motion)總經理苟嘉章於法說會上示警,受惠於 AI 與高密度儲存需求爆發,記憶體報價自 2025 年起已飆漲 4 至 10 倍,且客戶端有錢也排不到貨。他預期這波記憶體超級循環將延續至 2027 年,慧榮 2026 全年營收可望年增 80% 以上。
報價狂飆:4 到 10 倍漲幅客戶照搶
慧榮於 4 月 16 日召開第一季法說會,總經理苟嘉章直言:「這一波記憶體缺貨潮,客戶端是『有錢也排不到貨』的狀態。」他指出,NAND Flash 自 2025 年下半年起漲,累計漲幅已達 4 至 10 倍,其中高密度 eSSD 與企業級 QLC 產品漲幅最為劇烈。DDR5 與 HBM 雖然漲幅相對溫和,但也分別有 2 倍與 1.5 倍的水準,客戶端不得不接受漲價並提前下單以確保供貨。 從產業長期發展的角度來看,相關技術節點的演進並非單一事件,而是多重變數交互作用的結果。
AI 需求是結構性主因
苟嘉章分析,本波記憶體超級循環的核心驅動力是 AI 算力建設。AI 訓練與推論對高頻寬、高密度儲存的需求大幅增加,特別是大規模語言模型(LLM)的 checkpoint 儲存、向量資料庫、推理快取等應用,都直接拉動 eSSD 與 HBM 的需求。另一方面,AI 加速器產能擴張也擠壓了消費性記憶體的供應,使消費端也感受到漲價壓力。 供應鏈各環節的因應策略,往往會在政策變動前後出現明顯的差異,這也是市場解讀時需要特別留意的訊號。
慧榮受惠:2026 全年營收估年增 80%
受惠於記憶體漲價與控制 IC 出貨放量,慧榮 2026 第一季合併營收達 3.42 億美元,年增 92%、季增 18%,創下單季歷史新高。苟嘉章預估,第二季合併營收將再季增 15% 至 20%,全年合併營收可望達 15 億美元,年增 80% 以上。慧祥亦同步上修 2026 年資本支出至 1.2 億美元,主要用於擴充 PCIe Gen5 與 UFS 5.0 控制 IC 產能。 觀察過往幾次類似事件可以發現,技術規格的推進與地緣政治的拉扯經常呈現高度連動,企業的投資節奏亦受其左右。
產業意涵:記憶體超級循環延續至 2027
苟嘉章認為,這波記憶體超級循環與過去幾次不同,是由 AI 結構性需求驅動,而非單純的庫存補回行情,因此循環時間可望延續至 2027 年甚至 2028 年初。他提醒客戶端應提前做好長約與產能預訂,以確保關鍵元件供應穩定。市場研究機構 TrendForce 也呼應此觀點,預估 2026 全年 DRAM 與 NAND 產值將分別年增 75% 與 85%。 專家指出,這類議題在短期內雖然難以達成共識,但對於建立更具韌性的產業結構仍具有指標意義。
結論:有錢也排不到貨已成現實
整體而言,AI 推動的記憶體超級循環已讓「有錢也排不到貨」從產業玩笑話變成現實。對慧榮等控制 IC 廠而言,這是數年來最明確的結構性成長契機;但對消費電子品牌而言,記憶體成本上漲的壓力也將逐步反映在終端售價上。 對終端市場而言,新規格與新材料的導入時程,往往牽動整體生態系的資源配置與技術升級方向。
慧榮併購綜效:與美光合作的長期協議
慧榮在 NAND Flash 控制 IC 領域的領先地位,也促成其與記憶體大廠建立長期合作協議。慧榮已與美光(Micron)簽訂 5 年長約,確保 3D QLC NAND Flash 與 eSSD 控制 IC 的穩定供貨;同時也與鎧俠(Kioxia)、Solidigm 等大廠維持策略夥伴關係。苟嘉章表示,這些長約將是慧榮 2027 至 2030 年營運成長的關鍵基礎,並使慧榮在記憶體超級循環中享有更高的議價能力與客戶黏著度。 從研發投入的角度觀察,相關企業在材料、製程與系統整合上的布局,已成為未來幾年觀察產業變化的重要切入點。 從產業長期發展的角度來看,相關技術節點的演進並非單一事件,而是多重變數交互作用的結果。 供應鏈各環節的因應策略,往往會在政策變動前後出現明顯的差異,這也是市場解讀時需要特別留意的訊號。
慧榮也持續加大對 PCIe Gen6 與 CXL 2.0 控制 IC 的研發投資,預期 2027 年起將成為新一波記憶體控制 IC 升級週期的最大受惠者;法人估算,慧祥在次世代控制 IC 市場的全球市佔率可望從目前的 18% 提升至 2028 年的 28% 以上。 業界普遍認為,唯有在政策、技術與市場三方形成良性循環,才能讓創新能量穩定轉化為實質的產業競爭力。 這樣的發展脈絡也意味著,企業若能在前期做好風險評估與替代方案準備,將更具備應對未來不確定性的能力。
記憶體市場供需與 HBM 趨勢
記憶體市場在 AI 與 HPC 應用強勁帶動下進入新一輪上升週期,DRAM 與 NAND 報價同步反轉向上。其中 HBM(高頻寬記憶體)需求最為火熱,NVIDIA H100/H200、B200、Google TPU、AMD MI300 等 AI 加速器對 HBM3e 的拉貨動能延續至 2027 年,SK 海力士、三星、美光三大廠同步擴產仍無法滿足需求,缺口預估達 18-22%。台廠中,華邦電、長鑫存儲、力積電、南亞科等在 DDR5、LPDDR5、HBM 配套記憶體等領域積極布局,預期將隨著 AI 滲透率提升而受惠。法人預期,記憶體族群 2026 下半年獲利將顯著回升,本益比有進一步上修空間。
供應鏈與法人觀點
在 NAND Flash 端,隨著伺服器與資料中心儲存需求回溫,三星、鎧俠、美光、SK 海力士等原廠庫存去化順利,報價已連續數月反彈,企業級 SSD 與 PCIe Gen5 SSD 滲透率快速提升,帶動群聯、慧榮、威剛、創見等控制 IC 與模組廠出貨動能。法人指出,記憶體族群過去兩年因景氣低迷而評價偏低,在 AI 與企業級應用帶動下,2026 年下半年至 2027 年將進入獲利與評價雙升階段,建議關注 HBM 相關供應鏈與 DDR5 升級週期受惠股。