2Q26記憶體業者營收估再創新高　美日韓台廠新品競局

AI資料中心預計將消耗高達70%的高階記憶體產能。DRAM方面，2025年營收已達1,657億美元（年增73%），遠超NAND Flash的697億美元。野村證券更將此趨勢形容為記憶體需求的「黑洞」——隨AI應用從聊天機器人演進至複雜Agent系統，需求已從HBM擴散至DDR5、高階SSD等幾乎全產品線。

美光（Micron）於2026年3月18日公布FY2026第二季財報，營收238.6億美元，年增196%、季增75%，毛利率高達74.4%，Non-GAAP EPS為12.20美元，大幅超越市場預期的8.79美元（超乎38.6%）。更令人矚目的是，美光Q3財報指引營收上看335億美元、毛利率接近81%，若達成將創下記憶體公司史上最獲利單季紀錄。

美光三大業務全面成長：資料中心部門（DCBU）營收約135億美元（季增85%），毛利率74%；行動與客戶端部門（MCBU）創下77億美元營收新高（季增81%）；車用與嵌入式部門（AEBU）亦達27億美元新高（季增57%）。美光同步將全年資本支出指引上調至逾250億美元，反映AI記憶體需求持續加速。

SK海力士2026年第一季營收52.57兆韓元，營業利益37.61兆韓元，雙雙創下歷史新高。公司目前掌握全球約57%的HBM營收份額，為輝達（NVIDIA）最重要的記憶體合作夥伴，已包下輝達HBM4訂單近70%。其DRAM、NAND及HBM產能至2026年底前已全數售罄。5月底市值突破1.08兆美元，年漲幅逾1,000%。

三星則在HBM市場急起直追。受惠於HBM3E需求回升及HBM4新貢獻，三星2026年HBM市佔率預估回升至33%。其NAND毛利率預估在2026年上半年將達40-50%的歷史新高。三星2026年記憶體資本支出約180億美元（年增22%），HBM產能目標月產15萬片。此外，三星以ASIC為主要客戶，2026年HBM出貨量預估將較2025年激增三倍。

台灣記憶體族群全面受惠此波漲價週期。華邦電（2344）3月營收145.01億元，季增21.1%、年增91.5%，連續4個月創單月營收新高；扣除新唐後，記憶體營收113.62億元（年增127%）。鎧俠退出2D NAND後，華邦電及旺宏（2337）望迎來SLC/MLC NAND轉單效益，SLC NAND合約價Q2年增幅據傳高達400-500%。從產業發展脈絡來看，這項進展象徵著市場結構正進入新一輪的調整週期，整體競爭態勢將更為明朗。

2026 年記憶體市場正式進入『超級週期』，TrendForce 預估全年產值達 5,516 億美元，年增 56%，2027 年更上看 8,427 億美元，年增 53%。HBM 端由 SK 海力士（SK Hynix）獨佔 HBM3E/HBM4 鰭式電晶體 FinFET 製程領先優勢，市佔率維持 53%；三星（Samsung）以 HBM3E 12-Hi 與 HBM4 16-Hi 力拼反攻，市佔率回升至 38%；美光（Micron）HBM3E 8-Hi 已於 Q2 通過 NVIDIA H200 認證，HBM4 預計 Q4 量產，市佔率提升至 9%。DDR5 端，SK 海力士、三星、美光合計出貨 DDR5 RDIMM 模組佔伺服器 DRAM 市場的 92%，三星 DDR5 64Gb 顆粒於 Q2 量產，單條 256GB 模組正式進入雲端 CSP 採購清單。NAND Flash 端，176 層/238 層 QLC NAND 成為 AI 推論 SSD 主流，三星、鎧俠（Kioxia）、Solidigm 三強競爭；台系 NAND 控制 IC 廠群聯（Phison）、慧榮（Silicon Motion）於 Q2 出貨均創歷史新高。南亞科 DDR5 16Gb 顆粒已進入 PC OEM 認證，2027 年 Q1 量產，將是台灣本土 DDR5 首發產品。各大企業的研進支出也在同步攀升，技術領先者與追隨者之間的差距正被進一步拉大。供應商必須密切關注客戶端的設計變更與量產節奏，才能在新一輪的採購週期中取得有利位置。不可否認，這波變化也將對人才市場產生衝擊，跨領域技術人才的需求勢必同步升溫。

南亞科（2408）DDR5 16Gb 顆粒 2027 Q1 量產，將是台灣本土首發 DDR5 產品，初期月投片 4.5 萬片；華邦電（2344）切入 DDR4 與 LPDDR4 補強市場，鎖定車用 MCU、工業控制、消費電子；群聯（8299）NAND 控制 IC 出貨創歷史新高，AI SSD 控制 IC 進入 NVIDIA H200、B200 供應鏈。三雄合計 2026 年合併營收預估達 2,850 億新台幣，年增 38%；2027 年受惠 AI 與伺服器需求爆發，營收上看 3,650 億新台幣，年增 28%。