2Q26 記憶體 IC 需求與價格上漲因素帶動　台灣業者合計營收估年增 244.8%

HBM 需求狂熱是最大驅動力

生成式 AI 的基礎設施投資熱潮，直接拉動了 HBM（High Bandwidth Memory）需求。NVIDIA 的 H100/H200 GPU、AMD 的 MI300X 以及各大 CSP 的自研 AI 晶片，都需要 HBM 作為關鍵記憶體元件。HBM 市場目前由三星、SK 海力士和美光（Micron）三家壟斷，而台灣廠商在南亞科、華邦電的佈局主要集中於利基型 DRAM 與低功耗 LPDDR，與 HBM 直接供應鏈的交集有限。然而，HBM 供不應求創造的溢出效應（spillover effect），使終端客戶擴大對傳統 DRAM 的採購量以作庫存緩衝，間接帶動台灣記憶體設計廠的出貨量提升。

Edge AI 滲透率提升：LPDDR5X 的爆發

2026 年 Edge AI 應用的爆發，為台灣記憶體廠開闢了新的成長曲線。隨著 Snapdragon X Elite、MediaTek Dimensity 9300 等支援本地 AI 推論的行動 SoC 滲透率提升，高階智慧手機、 AI PC、Edge Gateway 對 LPDDR5X 的需求呈跳躍式增長。LPDDR5X 的峰值頻寬較 LPDDR5 提升 33%，功耗降低 20%，完美符合 Edge AI 對「高效能、低功耗」雙重需求。台灣記憶體設計廠商中，晶豪科（3006）在 LPDDR5X IP 授權與模組設計上的佈局最為完整，2026 年上半年已取得三家一線手機品牌廠的 Design Wins。

中國供應鏈的「提前拉貨潮」

美國商務部對中國記憶體廠（如長江存儲 CXMT）的出口管制趨嚴，使中國系統廠於 2026 年上半年加速囤積美國及其盟友體系內的記憶體晶片。這波「提前拉貨潮」主要影響的是非 HBM 類的標準型 DRAM（DDR4/DDR5）和利基型 DRAM，台灣廠商因此受惠於訂單移轉效應。法人指出，南亞科（2408）已獲數家中國客戶延長一年的長期供貨合約（LTA），華邦電（2344）的 Nor Flash 也在中國通路商的拉貨力道下庫存週轉率創下三年新高。

244.8% 年增率的質量分析

244.8% 的年增率數字看似驚人，但分析師提醒需注意基期效應。2025 年第二季台灣記憶體相關業者營收基期偏低，主因為當時全球記憶體景氣仍處於庫存調整期。若以 2024 年第二季為基期，則兩年年複合成長率（CAGR）約為 68%，同樣十分亮眼。更重要的品質指標是：法人預估第二季的平均毛利率將從 2025 年同期的 18% 提升至 26%，顯示价格上涨的纯益率（margin）改善，而非仅靠量的增长推动。

記憶體市場供需與 HBM 趨勢

記憶體市場在 AI 與 HPC 應用強勁帶動下進入新一輪上升週期，DRAM 與 NAND 報價同步反轉向上。其中 HBM（高頻寬記憶體）需求最為火熱，NVIDIA H100/H200、B200、Google TPU、AMD MI300 等 AI 加速器對 HBM3e 的拉貨動能延續至 2027 年，SK 海力士、三星、美光三大廠同步擴產仍無法滿足需求，缺口預估達 18-22%。台廠中，華邦電、長鑫存儲、力積電、南亞科等在 DDR5、LPDDR5、HBM 配套記憶體等領域積極布局，預期將隨著 AI 滲透率提升而受惠。法人預期，記憶體族群 2026 下半年獲利將顯著回升，本益比有進一步上修空間。TrendForce 同步把 2026 年 HBM 市場規模上修至 960 億美元，2027 年上看 1,420 億美元，其中 HBM3e 與 HBM4 合計將佔 78%，是支撐台廠封測與散熱供應鏈未來三年最重要的營收基礎。

供應鏈與法人觀點

在 NAND Flash 端，隨著伺服器與資料中心儲存需求回溫，三星、鎧俠、美光、SK 海力士等原廠庫存去化順利，報價已連續數月反彈，企業級 SSD 與 PCIe Gen5 SSD 滲透率快速提升，帶動群聯、慧榮、威剛、創見等控制 IC 與模組廠出貨動能。法人指出，記憶體族群過去兩年因景氣低迷而評價偏低，在 AI 與企業級應用帶動下，2026 年下半年至 2027 年將進入獲利與評價雙升階段，建議關注 HBM 相關供應鏈與 DDR5 升級週期受惠股。