HBM 進入超級循環！SK 海力士 1c 良率達 80% 三星吞美光痛失 Rubin 大單
【2026-06-01】HBM 進入由 AI 驅動的「超級循環（supercycle）」，SK 海力士 1c DRAM 良率突破 80%、年內將半數產能切換至新製程，年底月產能上看 19 萬片，並提前卡位下一代 HBM4E 為輝達 2027 年下半年 AI 加速器主力供應商。三星則以「Turn-key 一站式垂直整合」策略，與 SK 海力士同獲輝達 Vera Rubin 平台 HBM4 訂單；美光（HBM 占比約 18%）意外落選，痛失 Rubin 大單。台廠南亞科（2408）、華邦電（2344）受惠記憶體超級週期，5 月股價漲幅逾 20%。
HBM 超級循環的三條劇本
2026 年 HBM 市場規模預估達 800 億美元，較 2025 年 480 億美元成長 67%。三條劇本並行：（1）SK 海力士憑藉 1c 良率突破與輝達長期合約，2026 年 HBM 市占上看 50%；（2）三星以「記憶體 + 邏輯 + 封裝」Turn-key 方案重返戰場，2026 年 HBM 市占率從 20% 提升至 35%；（3）美光雖然 2026 年底前 HBM 產能「全部售罄」，但因輝達 Rubin 平台僅向 SK 海力士、三星採購 HBM4，美光痛失最大客戶新平台訂單，2026 年 HBM 市占率下滑至 18%。 從產業長期發展的角度來看，相關技術節點的演進並非單一事件，而是多重變數交互作用的結果。
SK 海力士的關鍵進度
SK 海力士 1c 製程（第六代 10 奈米級 DRAM）良率達 80% 業界領先，年內將半數產能切換至新製程，年底月產能可達 19 萬片；並大幅增加 EUV 設備投資，將成為下一代 HBM4E 核心，以支援輝達 2027 年下半年推出的 AI 加速器 Rubin Ultra。在 HBM3E 方面，SK 海力士仍是輝達 Blackwell 系列（B200、GB200、GB300）獨家供應商，市占率超過 90%。 供應鏈各環節的因應策略，往往會在政策變動前後出現明顯的差異，這也是市場解讀時需要特別留意的訊號。
三星的 Turn-key 差異化策略
三星電子以「Turn-key 一站式垂直整合方案」實現差異化，整合記憶體（HBM4）、邏輯晶片代工、SoIC 3D 封裝與 CoWoS 同類技術，目標客戶是希望降低供應鏈複雜度的 Google TPU v7、AWS Trainium 3 等雲端 ASIC 平台。三星同時供應 HBM4 給輝達 Vera Rubin 平台，與 SK 海力士並列雙供應商，預期 2026 年 HBM 營收上看 200 億美元，年增逾 100%。 觀察過往幾次類似事件可以發現，技術規格的推進與地緣政治的拉扯經常呈現高度連動，企業的投資節奏亦受其左右。
美光的兩難與契機
美光 2026 年 HBM 產能雖已全部售罄，且 HBM 占其總營收比重已突破 30%，但因輝達 Vera Rubin 平台 HBM4 供應商未含美光，痛失下一代旗艦加速器訂單。美光的應對策略：（1）加速 HBM4E 研發，目標 2027 年 Q1 通過輝達 Rubin Ultra 認證；（2）擴大對 Google TPU、AWS Trainium、Meta MTIA 等 ASIC 客戶的供應；（3）強化 1γ DRAM 與第九代 NAND 主流記憶體市占，預估 2026 年中採用 1γ 節點生產的 DRAM 將占其總位元出貨量的 50% 以上。 專家指出，這類議題在短期內雖然難以達成共識，但對於建立更具韌性的產業結構仍具有指標意義。
台廠記憶體的順風與風險
台灣 DRAM 廠以南亞科（2408）、華邦電（2344）為代表，5 月股價漲幅分別達 28%、23%，受惠於標準型 DDR5 與 LPDDR5 需求回升，以及 HBM 產能排擠效應帶動 DRAM 整體漲價。NAND Flash 族群則包括群聯（8299）、威剛（3260）、十銓（4967）受惠企業級 SSD 需求，2026 年 Q2 報價已較 Q1 上漲 25%。風險方面，包括中國長鑫存儲（CXMT）成熟製程產能開出、超微與 Google 在非 HBM 領域自製晶片等長期變數。 對終端市場而言，新規格與新材料的導入時程，往往牽動整體生態系的資源配置與技術升級方向。
記憶體市場供需與 HBM 趨勢
記憶體市場在 AI 與 HPC 應用強勁帶動下進入新一輪上升週期，DRAM 與 NAND 報價同步反轉向上。其中 HBM（高頻寬記憶體）需求最為火熱，NVIDIA H100/H200、B200、Google TPU、AMD MI300 等 AI 加速器對 HBM3e 的拉貨動能延續至 2027 年，SK 海力士、三星、美光三大廠同步擴產仍無法滿足需求，缺口預估達 18-22%。台廠中，華邦電、長鑫存儲、力積電、南亞科等在 DDR5、LPDDR5、HBM 配套記憶體等領域積極布局，預期將隨著 AI 滲透率提升而受惠。法人預期，記憶體族群 2026 下半年獲利將顯著回升，本益比有進一步上修空間。 從產業長期發展的角度來看，相關技術節點的演進並非單一事件，而是多重變數交互作用的結果。 供應鏈各環節的因應策略，往往會在政策變動前後出現明顯的差異，這也是市場解讀時需要特別留意的訊號。
供應鏈與法人觀點
在 NAND Flash 端，隨著伺服器與資料中心儲存需求回溫，三星、鎧俠、美光、SK 海力士等原廠庫存去化順利，報價已連續數月反彈，企業級 SSD 與 PCIe Gen5 SSD 滲透率快速提升，帶動群聯、慧榮、威剛、創見等控制 IC 與模組廠出貨動能。法人指出，記憶體族群過去兩年因景氣低迷而評價偏低，在 AI 與企業級應用帶動下，2026 年下半年至 2027 年將進入獲利與評價雙升階段，建議關注 HBM 相關供應鏈與 DDR5 升級週期受惠股。