英飛凌 vs 英諾賽科：氮化鎵專利戰的中德雙線博弈

【摘要】全球功率半導體龍頭英飛凌（Infineon）與中國氮化鎵（GaN）新創英諾賽科（Innosilicon）的專利戰火升級。德國法院最新判决英諾賽科侵權，下令在德禁售並須賠償，成為英飛凌在歐洲市場的重要勝利；然而英諾賽科在中國本土法院也對英飛凌提起專利訴訟，形成中德兩地同步較勁的態勢。

氮化鎵作為第三代半導體材料，廣泛應用於快充、資料中心電源、電動車功率電子等場景。相較於傳統矽基功率元件，GaN 可實現更高開關頻率、更低損耗，是 AI 資料中心與電動車供應鏈的關鍵材料。全球 GaN 市場預估 2028 年突破 200 億美元，吸引海內外大廠激烈競爭專利布局。

英飛凌在 2023 年收購 GaN Systems 後，一躍成為全球最大 GaN 供應商，在德國與美國握有大量 GaN 核心專利。英諾賽科作為中國 GaN 產能最大的本土廠商，快速擴張的背後引發歐美大廠的專利疑慮。德國法院的禁售令對英諾賽科布局歐洲市場是一大打擊，但中國作為全球最大功率半導體消費市場，雙方的訴訟最終結局仍充滿變數。

值得關注的是，氮化鎵專利訴訟不只是商業競爭，更是美中科技戰在半導體材料的延伸。美國與歐洲近期加大對中國半導體設備與材料的出口管制，德國法院判决某種程度上呼應了歐美對中國半導體崛起的戰略性防堵姿態。

這場中德禁令對全球 GaN 供應鏈也可能帶來影響。若英諾賽科在歐洲被迫退場，短期內將使 GaN 功率元件供應更集中於國際大廠，中長期則可能加速中國廠商的技術自主與專利突圍。

產業觀察與供應鏈脈動

本議題的市場變化並非單一公司的獨立事件，而是整條供應鏈在 AI、HPC、電動車、低軌衛星等高成長終端帶動下，進入結構性擴張期的具體反映。從上游晶圓代工、封測，到中游 PCB、被動元件、散熱模組，再到下游系統組裝、品牌出貨，2026 年下半年每個環節的產能利用率、毛利率與資本支出都出現同步上修訊號。業者普遍認為，這一波調整幅度與過去消費性電子景氣循環截然不同，主要差異在於 AI 加速器、HBM、CoWoS、先進封裝等高階製程進入「剛性需求」階段，無法以傳統產線彈性快速擴充，導致缺料與漲價效應被進一步放大，並對台灣供應鏈的議價能力與長期毛利率結構帶來正向挹注。

市場數據與法人觀點

從市場面觀察，本議題相關族群近三個月股價波動明顯放大，外資買賣超同步轉趨積極，投信與自營商也出現罕見的連續性買盤，顯示法人對產業前景的共識度正在提升。多家券商在最新研究報告中將相關標的目標價上修，主因為（1）AI 與 HPC 應用面擴張速度優於預期；（2）HBM、CoWoS、ABF 載板等高階製程供給瓶頸延續至 2027 年；（3）台廠在先進製程與先進封裝的市佔率持續擴張，議價能力顯著提升。法人提醒，雖然中長期趨勢仍偏多，但短線漲幅已大，建議留意大盤震盪與個股本益比偏離基本面的風險。