美國半導體政策跨向能源與國防：補助 I-Pulse 搶攻 SiC 與脈衝電力技術

🔋 I-Pulse 的核心技術：SiC 功率半導體

I-Pulse 是一家成立於 2018 年的美國功率半導體新創，專注於開發用於高功率應用的碳化矽（SiC）元件。SiC 功率元件相比傳統的矽基功率半導體，能在更高電壓、更高頻率與更高溫度下運作，且能隙（bandgap）為矽的 3 倍，使其成為電動車、電車電軌、智慧電網與國防雷達系統的理想選擇。

脈衝電力技術（Pulse Power）是 I-Pulse 的另一核心技術，廣泛應用於電磁砲、高能雷射供電、與電網級儲能系統（pulsed power for grid-level energy storage）。這些應用場景與美國國防部的「第三次抵消戰略」（Third Offset Strategy）高度契合，該戰略強調以先進技術維持美國軍事優勢。

🏛️ 美國半導體政策的戰略轉向

自 2022 年 CHIPS Act 以來，美國政府的半導體補貼政策主要聚焦於邏輯晶片製造（以台積電、三星在美國的先進製程廠為代表）與記憶體製造（如美光在美國的 HBM 產線）。然而，2026 年的新趨勢顯示，美國政策制定者開始將「供應鏈韌性」的定義從運算晶片擴展到所有關鍵功率半導體領域。

美國商務部官員表示，碳化矽與氮化鎵（GaN）等寬能隙半導體，對於美國的能源自主與電網現代化同樣具有戰略價值。強化這些領域的本土製造能力，有助於減少對中國供應鏈的依賴。

⚡ 對台灣廠商的影響

台灣在功率半導體領域的布局相對薄弱，但已有若干廠商開始切入 SiC 市場：漢磊（Episil）與嘉晶（GaAs）已開始小量投產 SiC 晶圓，而台積電也在評估在銅鑼廠區興建 SiC 特殊製程產線的可行性。美國擴大 SiC 補助力道，可能對台灣廠商的 SiC 國際競爭力產生一定的競爭壓力，但也可能創造台美在半導體功率元件領域的合作機會。

⚙️ I-Pulse 與美國脈衝電力戰略

I-Pulse 是一家源自法國、後遷至美國的脈衝電力（Pulse Power）技術公司，技術核心是利用瞬間大電流（峰值可達數百萬安培）對材料進行衝擊鍛造、成形與接合，被視為次世代 SiC 晶圓與火箭推進器的關鍵製程。CHIPS Act 補助計畫於 2026 年 6 月公告，I-Pulse 將獲得 2.4 億美元補助，於德州奧斯汀新設研發中心。

這項補助也凸顯美國半導體政策的「從晶片擴大到能源與國防」的新方向。過往 CHIPS Act 資金多投注於 Intel、台積電亞利桑那廠、三星德州廠等先進邏輯晶片製造，如今則將功率半導體、脈衝電力技術、太空與電網應用納入，顯示美國正試圖建構「晶片—能源—國防」三位一體的自主供應鏈。

對台灣廠商的影響方面，台達電與 I-Pulse 已於 2026 年 5 月簽署 MOU，探討將脈衝電力技術應用於電動車驅動器與資料中心電源模組。此外，漢翔與 I-Pulse 在航太鍛造的合作也持續深化，預期台灣將成為美國「晶片即國防」戰略在亞太地區的重要合作夥伴。

產業觀察與供應鏈脈動

本議題的市場變化並非單一公司的獨立事件，而是整條供應鏈在 AI、HPC、電動車、低軌衛星等高成長終端帶動下，進入結構性擴張期的具體反映。從上游晶圓代工、封測，到中游 PCB、被動元件、散熱模組，再到下游系統組裝、品牌出貨，2026 年下半年每個環節的產能利用率、毛利率與資本支出都出現同步上修訊號。業者普遍認為，這一波調整幅度與過去消費性電子景氣循環截然不同，主要差異在於 AI 加速器、HBM、CoWoS、先進封裝等高階製程進入「剛性需求」階段，無法以傳統產線彈性快速擴充，導致缺料與漲價效應被進一步放大，並對台灣供應鏈的議價能力與長期毛利率結構帶來正向挹注。

市場數據與法人觀點

從市場面觀察，本議題相關族群近三個月股價波動明顯放大，外資買賣超同步轉趨積極，投信與自營商也出現罕見的連續性買盤，顯示法人對產業前景的共識度正在提升。多家券商在最新研究報告中將相關標的目標價上修，主因為（1）AI 與 HPC 應用面擴張速度優於預期；（2）HBM、CoWoS、ABF 載板等高階製程供給瓶頸延續至 2027 年；（3）台廠在先進製程與先進封裝的市佔率持續擴張，議價能力顯著提升。法人提醒，雖然中長期趨勢仍偏多，但短線漲幅已大，建議留意大盤震盪與個股本益比偏離基本面的風險。