三星通用DRAM第3季報價再漲2成　AI需求旺延續記憶體多頭格局

根據南韓媒體《Korea Herald》與業界消息來源指出，三星在半導體事業群（Device Solutions）內部已確認第3季（7~9月）通用DRAM的目標漲幅約為20%，包括標準型DDR4與行動裝置用LPDDR系列。漲價主因是生成式AI與大型語言模型訓練需求急速擴張，使HBM庫存吃緊之餘，一般伺服器用DRAM現貨與合約市場亦同步出現排隊搶料的狀況。TrendForce在2026年6月底的最新報告中已預測，第3季DRAM合約價季增幅度將收斂至15~18%，但三星似乎有意進一步將報價推向更高水位。業界指出，這次 DRAM 報價連續性上揚與 2017 至 2018 年單一季度的短暫缺貨不同，主因 AI 與 HPC 應用同步推升 DDR5、HBM 與 LPDDR5 三大產品線需求，是過去十年未見的結構性轉變，三星此時的報價策略將直接定調 Q4 全球記憶體價格走勢。

值得注意的是，這波漲價訊號與終端客戶庫存政策高度連動。伺服器OEM與CSP（雲端服務提供商）在2025年下半年的庫存去化速度低於預期，加上輝達H100/H200系列出貨持續放量、SK海力士與美光的HBM接單已滿至2027年，使得「非HBM」的一般DRAM產能受到排擠。三星内部評估認為，在HBM毛利較佳的考量下，通用品的供給量將進一步緊縮，因此透過調漲價格來反應供需缺口是最合理的商業決策。

台灣記憶體供應鏈在此波多頭格局中的位置值得關注。南亞科（2408）受惠於DDR3、DDR4相繼調漲，第2季以來營收已出現明顯季增；華邦電（2344）因主力產品線中與消費性電子相關的NOR Flash比重較高，受惠程度雖不如DRAM廠直接，但法人仍看好其通路庫存回補的後續效應。模組廠威剛（3260）則指出，現貨市場的DRAM顆粒報價已自2026年5月以來反應超過40%的漲幅，合約價的落後補漲將在第3季更完整浮現。

然而，分析師也提醒潛在風險。摩根士丹利在半導體供應鏈追蹤報告中指出，記憶體報價短線漲幅已大，若AI伺服器需求在2026年下半出現季節性修正，或者中國長江存儲在西安廠恢復後加速投片，可能使2026年第4季報價走勢不如預期。此外，美國商務部對中國記憶體廠的出口管制鬆緊程度，亦是影響三星能否順利填補客戶訂單的不確定因素。

從產業結構的角度來看，這波DRAM報價上漲進一步確認了記憶體景氣從2023年的低谷正式邁入為期至少2年的多頭循環。SK海力士已宣布第3季HBM營收占比將首度突破50%、美光亦上修2026會計年度資本支出至150億美元。三星若欲維持在記憶體市場的定價權與毛利水準，必須設法在HBM與通用DRAM兩條戰線同步取得產能平衡，否則可能出現「賺了營收、丢了毛利」的結構性風險。

台灣下游組裝與系統廠商同樣需要關注這波記憶體成本的墊高對下半年PC與伺服器出貨均價（ASP）的影響。根據DIGITIMES Research的估算，若第3季DRAM合約價再漲20%，則一台標準型伺服器所用的64GB DDR5模組成本將增加約180~220美元，相當於影響伺服器BOM表2~3%的比重；對消費性NB而言，16GB RAM的模組成本增幅約在30~45美元區間。預期品牌廠將在2026年底至2027年初的新品定價中部分反應此成本上升壓力。