DRAM現貨價季漲80%！HBM擠壓產能　記憶體超級週期下半場供需持續緊繃

根據sourceability.com與Tech-Insider.org的追蹤數據，2026年第一季DRAM現貨價格的季漲幅達到80%至90%，為近十年來最劇烈的單季漲幅。Counterpoint Research發布的記憶體市場報告指出，造成此次價格暴漲的核心原因在於：HBM（高頻寬記憶體）的單位消耗比（consumption ratio）為3比1，意即每生產一片HBM顆粒所消耗的DRAM wafer數量，是傳統DDR顆粒的三倍。當三大供應商將93%的合併產能轉向HBM，以滿足輝達GB200、超微MI350等AI GPU的強勁需求，傳統PC與伺服器用DRAM的可供貨量便急劇萎縮。

TrendForce在最新一季的合約價報告中預估，2026年第二季傳統DRAM合約價將再上漲58%至63%，NAND Flash合約價漲幅更高達70%至75%。報告指出，供應商正持續將產能重分配至HBM、伺服器DRAM與企業級SSD，使得消費級DRAM的貨源更加吃緊。事實上，此波記憶體漲價並非典型的景氣循環復甦，而是AI應用對記憶體產能的結構性撕裂——大叔美股筆記（Uncle Stock Notes）將此現象命名為「Memory Squeeze（記憶體擠壓效應）」，強調這次的供給緊縮並非來自景氣下滑後的庫存消化，而是來自AI算力需求對整條供應鏈的重新定向。

在此背景下，蘋果據報正評估將中國本土記憶體廠商長鑫存儲（CxMT）列入iPhone新機的備選供應商名單。此一消息的背景是：HBM需求飆漲已將三星、SK海力士與美光的產能牢牢鎖定在AI伺服器市場，蘋果若要確保iPhone的DRAM供應無虞，必須尋找傳統DRAM的替代來源。長鑫存儲是中國唯一能量產LPDDR5的中國本土記憶體廠，其12層堆疊樣品已獲部分中國手機品牌採用，若獲蘋果認證，將是陸系DRAM首次打進蘋果供應鏈，引發三星與SK海力士是否將因而流失訂單的疑慮。

對台灣記憶體產業而言，此波記憶體超級週期的受益者主要在兩個區塊：首先是上游DRAM原廠，包括南亞科與華邦電。華邦電持續優化利基型DRAM與NOR Flash的產品組合，受惠於DDR3價格大漲；南亞科則在DDR4與LPDDR4領域擁有穩定客戶基礎，法人預估其2026年營收將較2025年大幅成長。其次是中下游的封測族群：力成與南茂的記憶體封測訂單已滿載至2026年中，主要原因是HBM的後段測試時間是傳統DRAM的數倍，所需的測試產能成為新的瓶頸。

然而，此波漲價行情也存在結構性隱憂。富果直送的記憶體產業分析指出，雖然HBM供不應求的格局短期內難以緩解，但中國本土記憶體廠商（特別是長鑫存儲）正趁此機會加速技術迭代與市場滲透填補中低階與傳統記憶體市場的供給缺口。這對台灣廠商的意義在於：當HBM的超額利潤集中在三星、SK海力士與美光手中時，台灣記憶體廠商受惠的主要是傳統DRAM價格上漲的短期利多，而非HBM的長期結構性價值。一旦中國廠商的先進DRAM技術追上，台廠在中低階市場的競爭壓力將明顯增加。DIGITIMES 也提醒，HBM 規格演進速度快於一般 DRAM，平均每兩年便會出現新的頻寬與堆疊標準，意味著上游設備、材料供應商與後段封測業者都必須提前布局下一代 HBM4 與 HBM4E 的工程驗證，才能在規格切換的關鍵節點取得議價主導權，避免被邊緣化為「成熟製程供應商」。