Samsung Electronics 搶先出貨 HBM4E 樣品　股價飆漲　SK 海力士 HBM4 完成開發、台廠南亞科、華邦、力成同步卡位

Reuters 7 月 7 日報導指出，三星電子（Samsung Electronics）已將更快速的 HBM4E 樣品送達主要客戶手中，較原訂時程顯著提前，激勵三星股價當日盤中大漲。DIGITIMES 同步引述韓媒指出，三星本次送樣時程領先 SK 海力士約 2 週，是 HBM 世代交替戰中關鍵的「搶客戶」攻勢。Yahoo 財經則補充，SK 海力士同日宣布 HBM4 開發完成並準備進入量產，黃仁勳（Jensen Huang）證實三星、SK 海力士、美光三大原廠均已通過 NVIDIA HBM4 認證，標誌 HBM4 量產時程全面提前。

經濟日報引述韓國經濟日報進一步揭露細節：三星本次 HBM4E 樣品為 12-Hi 36GB 規格，採用 1c 奈米 DRAM 製程與 TSV 矽穿孔堆疊，頻寬達 1.5 TB/s、傳輸速率 1.4 Tb/s，較 HBM4 8-Hi 16GB 的 1.0 TB/s 提升 50%。DIGITIMES 並引述 SK 海力士執行長郭魯正於 7 月初法說會的說法：「HBM4E 樣品 2026 年內完成開發」，並規劃 2026 Q4 進入風險量產。三家原廠合計 2027 全年 HBM4E 產能將上看 60 萬片，較 2025 年 HBM3E 全年 18 萬片大幅擴張 3.3 倍。

cnyes 7 月 7 日報導指出，HBM4 大戰已正式開打，黃仁勳親口證實三大原廠均通過 NVIDIA 認證，這是繼 2024 年 HBM3e 良率問題後，三家原廠首次「同時達標」。報導指出，NVIDIA 將於 2026 Q4 起開始分階段採用 HBM4，並於 2027 H1 的 Rubin 平台上全面採用 HBM4E。三星本次「搶先送樣」策略被市場解讀為試圖在 HBM4E 世代提前卡位，避免重演 HBM3e 時期被 SK 海力士甩開的市佔流失。

TradingKey 7 月 7 日報導指出，HBM4 整體產能將於 2026 H2 翻倍擴產，HBM4E 訂單也將開始轉向台積電（TSMC）以 3 奈米製程代工 base logic die。美光（Micron）將是台積電 HBM4E base die 業務的最大客戶，並可望在 2027 H1 推升其股價。DIGITIMES 引述供應鏈指出，台積電將於 2026 Q4 完成 3 奈米 N3P 製程的 HBM4E base die 試產，2027 H1 進入 full-scale 量產。

台廠供應鏈同步受惠。南亞科（2408）以 DDR5 16Gb/32Gb 量產配合 HBM4 邊緣運算需求，第三季合併營收有望挑戰 350 億元歷史新高；華邦電（2344）NOR Flash 已於第二季正式切入 NVIDIA Rubin 供應鏈；力成（6239）以 HBM4E TSV 後段封測（Known-Good-Die Burn-In）與美光合作擴產，第三季機台陸續進駐；欣興（3037）ABF 載板因應 HBM4E 12-Hi 載板面積較 HBM3E 增加 18%，2026 H2 載板出貨量將季增 25% 以上。TrendForce 預估 2027 年 HBM4E 將佔整體 HBM 市場 52%，ASP 較 HBM4 同期高出 35~45%，成為記憶體廠毛利率最關鍵的救援動能。

TrendForce 集邦科技 7 月 7 日最新報告指出，2027 年 HBM4E 將佔整體 HBM 市場 52%，ASP 較 HBM4 同期高出 35~45%。三大原廠合計 2027 全年 HBM 與 DDR5 LTA（長期供貨合約）金額已突破 800 億美元，較 2025 年 320 億美元成長 150%。法人圈指出，HBM4E 與 DDR5 雙軌超級循環效應將延續至 2028 年，台系記憶體與封測鏈下半年進入「產能排到 2027 上半年」的滿載狀態，南亞科全年 EPS 由 5.2 元上修至 6.8 元、華邦電由 4.5 元上修至 5.6 元、力成由 9.8 元上修至12.3 元、欣興由 6.5 元上修至 8.1 元。建議密切追蹤 7 月底三星與 SK 海力士的法說會對 HBM4E 良率細節與 Rubin Ultra 認證時程的更新，這將是整體 HBM 供應鏈股價動能的下一個觸發點。投資人除了觀察法人目標價調整外，也應留意三大記憶體廠對 HBM4E 量產時程的不同表態，因為良率與客戶認證節奏往往決定誰能率先拿下 Rubin Ultra 與下一代 Rubin Ultra 平台的獨家供應權，進而拉開彼此的營運現金流差距。

記憶體市場供需與 HBM 趨勢

記憶體市場在 AI 與 HPC 應用強勁帶動下進入新一輪上升週期，DRAM 與 NAND 報價同步反轉向上。其中 HBM（高頻寬記憶體）需求最為火熱，NVIDIA H100/H200、B200、Google TPU、AMD MI300 等 AI 加速器對 HBM3e 的拉貨動能延續至 2027 年，SK 海力士、三星、美光三大廠同步擴產仍無法滿足需求，缺口預估達 18-22%。台廠中，華邦電、長鑫存儲、力積電、南亞科等在 DDR5、LPDDR5、HBM 配套記憶體等領域積極布局，預期將隨著 AI 滲透率提升而受惠。法人預期，記憶體族群 2026 下半年獲利將顯著回升，本益比有進一步上修空間。

供應鏈與法人觀點

在 NAND Flash 端，隨著伺服器與資料中心儲存需求回溫，三星、鎧俠、美光、SK 海力士等原廠庫存去化順利，報價已連續數月反彈，企業級 SSD 與 PCIe Gen5 SSD 滲透率快速提升，帶動群聯、慧榮、威剛、創見等控制 IC 與模組廠出貨動能。法人指出，記憶體族群過去兩年因景氣低迷而評價偏低，在 AI 與企業級應用帶動下，2026 年下半年至 2027 年將進入獲利與評價雙升階段，建議關注 HBM 相關供應鏈與 DDR5 升級週期受惠股。