NVIDIA Vera Rubin 全量產啟動　Samsung、SK Hynix、Micron 三家 HBM4 供應商正式認證　HBM 進入超級週期

TechTimes 6 月 2 日以「NVIDIA Vera Rubin Enters Full Production: Samsung, SK hynix, Micron Named HBM4 Suppliers」為題報導，指出 NVIDIA 在 GTC Taipei 2026 大會上正式宣布次世代 Vera Rubin AI 平台進入全量產階段，Samsung、SK hynix、Micron 三家記憶體廠同步獲選為 HBM4 供應商。Vera Rubin 將搭載 Rubin GPU，採用 HBM4 記憶體並支援 NVLink Switch 6 等新一代互連技術，預期 2026 H2 開始大量出貨至 Hyperscaler 與 AI 雲端服務商客戶。 從產業長期發展的角度來看，相關技術節點的演進並非單一事件，而是多重變數交互作用的結果。 供應鏈各環節的因應策略，往往會在政策變動前後出現明顯的差異，這也是市場解讀時需要特別留意的訊號。 這也讓上下游廠商之間的協作模式，從過去單純的供應關係，逐漸演變為更深層的策略夥伴關係。 對於投資人而言，觀察企業如何在變動環境中維持研發節奏與客戶關係，是判斷長期競爭力的重要依據。

Yahoo Finance 6 月 5 日以「Nvidia certifies Samsung, SK Hynix and Micron for Vera Rubin HBM4 supply」為題報導，指出 NVIDIA 正式認證三家記憶體廠為 Vera Rubin 平台 HBM4 供應商。Yahoo Finance 引述業界消息指出，Samsung 於 2026 年 2 月已開始 HBM4 量產，並於 Q2 達成月產 1.5 萬片規模；SK hynix 維持 HBM4 供應主力地位，月產上看 3 萬片；Micron 則於 2026 H2 開始加入 HBM4 出貨行列，三家合計將滿足 NVIDIA 全年需求。 供應鏈各環節的因應策略，往往會在政策變動前後出現明顯的差異，這也是市場解讀時需要特別留意的訊號。

SK Hynix IR（news.skhynix.com）1 月 5 日以「2026 Market Outlook: SK hynix's HBM to Fuel AI Memory」為題指出，UBS 預估 SK hynix 在 NVIDIA 次世代 Rubin 平台的 HBM4 市佔上看 70%，SK hynix 將以 12 層（12-Hi）HBM4 為主力產品，單價約 700 美元，較前代 HBM3E 漲幅 20~30%。SK hynix 並指出，2026 年 HBM 進入「超級週期」（Memory Supercycle），主要由 NVIDIA Rubin、AMD MI400、Google TPU v7 等 AI 加速器同步放量所帶動。 觀察過往幾次類似事件可以發現，技術規格的推進與地緣政治的拉扯經常呈現高度連動，企業的投資節奏亦受其左右。 專家指出，這類議題在短期內雖然難以達成共識，但對於建立更具韌性的產業結構仍具有指標意義。

TrendForce 3 月 9 日以「Samsung、SK hynix Reportedly Tapped as NVIDIA Rubin HBM4 Suppliers」為題報導，指出 TrendForce 預估 2026 全年 SK hynix 在 HBM 全球位元（bit）產出市佔上看 50%，較 2025 年的 59% 略降；Samsung HBM4 市佔將從 2025 年的 13% 大幅提升至 30%+；Micron 預估市佔約 12%。TrendForce 並指出，HBM4 將於 2026 H1 完成客戶驗證並開始量產出貨，2026 全年 HBM 市場總產值上看 380 億美元，年增 213%。 專家指出，這類議題在短期內雖然難以達成共識，但對於建立更具韌性的產業結構仍具有指標意義。 對終端市場而言，新規格與新材料的導入時程，往往牽動整體生態系的資源配置與技術升級方向。

DIGITIMES 12 月 16 日以「Samsung nears deal to supply over 30% of Nvidia's HBM4 memory in 2026」為題報導，指出 Samsung 與 NVIDIA 接近達成協議，將於 2026 年供應超過 30% 的 HBM4 記憶體需求，主要客戶包括 NVIDIA Vera Rubin 與相關 AI 加速器平台。DIGITIMES 引述供應鏈指出，Samsung HBM4 已通過 NVIDIA 認證，並於 2026 H1 開始量產；同時 Samsung 與 SK hynix 同步規劃 16-Hi HBM4，預期 2026 Q4 進入量產，將進一步推升記憶體單價。法人圈指出，HBM 超級週期將延續至 2027~2028 年，記憶體三巨頭均將受惠，但需關注 (1) Samsung HBM4 良率提升進度；(2) 中國記憶體廠（CXMT、YMTC）對 HBM 市場的潛在衝擊；(3) NVIDIA Rubin Ultra 2027 平台對 16-Hi HBM4E 的需求拉動。

記憶體市場供需與 HBM 趨勢

記憶體市場在 AI 與 HPC 應用強勁帶動下進入新一輪上升週期，DRAM 與 NAND 報價同步反轉向上。其中 HBM（高頻寬記憶體）需求最為火熱，NVIDIA H100/H200、B200、Google TPU、AMD MI300 等 AI 加速器對 HBM3e 的拉貨動能延續至 2027 年，SK 海力士、三星、美光三大廠同步擴產仍無法滿足需求，缺口預估達 18-22%。台廠中，華邦電、長鑫存儲、力積電、南亞科等在 DDR5、LPDDR5、HBM 配套記憶體等領域積極布局，預期將隨著 AI 滲透率提升而受惠。法人預期，記憶體族群 2026 下半年獲利將顯著回升，本益比有進一步上修空間。

供應鏈與法人觀點

在 NAND Flash 端，隨著伺服器與資料中心儲存需求回溫，三星、鎧俠、美光、SK 海力士等原廠庫存去化順利，報價已連續數月反彈，企業級 SSD 與 PCIe Gen5 SSD 滲透率快速提升，帶動群聯、慧榮、威剛、創見等控制 IC 與模組廠出貨動能。法人指出，記憶體族群過去兩年因景氣低迷而評價偏低，在 AI 與企業級應用帶動下，2026 年下半年至 2027 年將進入獲利與評價雙升階段，建議關注 HBM 相關供應鏈與 DDR5 升級週期受惠股。

記憶體產業復甦與 HBM 機會

記憶體產業在經歷 2023-2024 年的低谷後，2025 年起進入新一輪上升週期，2026 年下半年復甦動能更加明確。DRAM 現貨價、合約價同步反轉向上，DDR4、DDR5、LPDDR4x、LPDDR5x 等規格報價全面回升，漲幅最高達 30%。其中 HBM（高頻寬記憶體）受惠於 AI 加速器需求爆發，已成為記憶體三強（SK 海力士、三星、美光）最重要的獲利引擎，台廠如華邦電、長鑫存儲、力積電、南亞科等在 DDR5、LPDDR5 端的布局也將進入收割期。

NAND Flash 與企業級 SSD 展望

NAND Flash 端同樣出現復甦訊號，隨著伺服器與資料中心儲存需求回溫，三星、鎧俠、美光、SK 海力士等原廠庫存去化順利，企業級 SSD 報價連續數月反彈。PCIe Gen5 SSD 與 QLC 高密度產品在 AI 推論與冷資料儲存應用滲透率快速提升，帶動群聯、慧榮、威剛、創見等控制 IC 與模組廠出貨動能。法人指出，記憶體族群 2026 年下半年至 2027 年將進入獲利與評價雙升階段，建議關注 HBM 相關供應鏈與 DDR5 升級週期受惠股。