三星 Q3 DRAM 合約價喊漲 20%　瑞銀上修 NAND 30%　DRAM 全年超級循環確立

Yahoo 股市報導，記憶體現貨與合約市場在 2026 年 6 月底同步走強，業界指出三星電子已正式啟動第三季 DRAM 合約價格協商，平均產品目標漲幅上看 20%。這個數字遠高於 TrendForce 先前預估的 13~18% 季增區間，意味著三星對市況有強烈信心。NAND Flash 部分，由於企業級 SSD 需求快速攀升，價格將續漲 35~40%，且此波漲勢可望延續至 2026 Q4。SK 海力士尚未公布 DRAM 第三季合約價，但其產品結構以 HBM 為主，預期漲幅將低於三星。

區塊客（BlockTempo）報導，瑞銀（UBS）於 7 月 6 日發布最新記憶體報告，調升 DRAM、NAND 報價預估。瑞銀預估 DRAM Q3 季增 32%、NAND 季增 30%，並指出「DRAM 與 NAND 同時進入超級循環」是 2017~2018 年以來首見。瑞銀進一步分析，DRAM 漲幅的關鍵驅動力是：(1) HBM 擠佔通用型 DRAM 產能，使 DDR4/DDR5 供給收縮；(2) AI 伺服器與傳統伺服器同步拉貨；(3) 三星、SK 海力士、美光等三大原廠資本支出謹慎，新產能開出有限。

從個股角度觀察，台灣記憶體族群全面受惠。南亞科（2408）受惠於 DDR4/DDR5 合約價上漲與利基型 DRAM 需求回溫，2026 Q2 營收預期季增 12~15%，毛利率有望由 2025 Q4 的 -8% 翻正至 8~10%。華邦電（2344）以 NOR Flash 與利基型 DRAM 為主，受惠於車用與工業控制需求，2026 H2 營收看增雙位數。模組廠方面，威剛（3260）、創見（2451）、十銓（4967）、宇瞻（8271）的合約價可望於 Q3 同步調漲 15~25%，毛利率改善幅度最大。

值得關注的是 HBM 市場的後續演變。三星與美光在 NVIDIA HBM4 訂單的市占率仍低於 SK 海力士（瑞銀預估 SK 海力士 2026 HBM4 市占率約 70%），但三星正積極以「HBM 已通過 NVIDIA 認證」與「HBM4 領先出貨」為訴求，試圖在 2026 H2 反攻。SK 海力士目前 HBM 營收占比已逾 35%，DRAM 平均售價因 HBM 拉升而表現穩健，與三星以傳統 DRAM 為主、靠漲價反映供需的策略形成對比。

後續觀察四大重點：(1) 三星 Q3 DRAM 合約價協商結果是否如預期上漲 20% 或更高；(2) 瑞銀預估的 32% 季增率是否能在 Q4 延續，使 DRAM 出現連續四季上漲；(3) 中國記憶體廠（長鑫存儲 CXMT、長江存儲 YMTC）的擴產進度與對全球供給的影響；(4) HBM4 在 NVIDIA Rubin 平台上的良率與價格走勢。對投資人而言，記憶體超級循環已不同於 2017~2018 年的單一產品週期，而是 AI 與非 AI 需求同步拉動，預期至少延續至 2027 上半年。

記憶體市場供需與 HBM 趨勢

記憶體市場在 AI 與 HPC 應用強勁帶動下進入新一輪上升週期，DRAM 與 NAND 報價同步反轉向上。其中 HBM（高頻寬記憶體）需求最為火熱，NVIDIA H100/H200、B200、Google TPU、AMD MI300 等 AI 加速器對 HBM3e 的拉貨動能延續至 2027 年，SK 海力士、三星、美光三大廠同步擴產仍無法滿足需求，缺口預估達 18-22%。台廠中，華邦電、長鑫存儲、力積電、南亞科等在 DDR5、LPDDR5、HBM 配套記憶體等領域積極布局，預期將隨著 AI 滲透率提升而受惠。法人預期，記憶體族群 2026 下半年獲利將顯著回升，本益比有進一步上修空間。記憶體模組廠商透露，因應 AI 伺服器單機搭載 HBM 容量翻倍成長，散熱模組與 PMIC 等附加元件的單機價值也同步提升 25% 至 40%，是周邊元件族群被低估的次商機。

供應鏈與法人觀點

在 NAND Flash 端，隨著伺服器與資料中心儲存需求回溫，三星、鎧俠、美光、SK 海力士等原廠庫存去化順利，報價已連續數月反彈，企業級 SSD 與 PCIe Gen5 SSD 滲透率快速提升，帶動群聯、慧榮、威剛、創見等控制 IC 與模組廠出貨動能。法人指出，記憶體族群過去兩年因景氣低迷而評價偏低，在 AI 與企業級應用帶動下，2026 年下半年至 2027 年將進入獲利與評價雙升階段，建議關注 HBM 相關供應鏈與 DDR5 升級週期受惠股。