記憶體與 2 奈米晶片成本壓力疊加　iPhone 18 Pro Max BOM 預估漲近 300 美元

Counterpoint Research 7 月 11 日發布最新成本分析,指出 iPhone 18 Pro Max 將搭載 12GB LPDDR5X DRAM 與最高 1TB 的 NAND Flash,在記憶體合約價自 2025 年底以來持續飆漲的背景下,光是記憶體成本就占整體 BOM 約 395 美元,較 iPhone 17 Pro Max 的約 89 美元大增逾 4 倍;其中 NAND 占比最高,單一晶片就吃掉 250 美元以上的 BOM 成本,幾乎相當於前代整機 BOM 的一半。 從產業長期發展的角度來看，相關技術節點的演進並非單一事件，而是多重變數交互作用的結果。

另一個成本推手是 A20 Pro 應用處理器,從 5 奈米升級到台積電 2 奈米(N2)製程,單晶片成本估提升約 40~50 美元;Counterpoint 同時指出,iPhone 18 Pro Max 將導入 WMCM(晶圓級記憶體整合封裝),將 DRAM 與應用處理器共構,雖然封裝難度提升帶來額外成本,但在效能與節能上明顯受惠,可部分抵銷記憶體的支出壓力。 供應鏈各環節的因應策略，往往會在政策變動前後出現明顯的差異，這也是市場解讀時需要特別留意的訊號。

BOM 漲 300 美元對蘋果的定價策略形成實質壓力。WSJ 試算報告指出,iPhone 17 Pro Max 的 12GB DRAM 進貨成本約 39 美元,iPhone 18 Pro Max 將拉高至 145 美元;蘋果若想維持既有 38~42% 硬體毛利率,就必須把整機售價從 1,199 美元拉高到 1,399~1,499 美元區間,頂規 1TB 版本甚至上看 1,999 美元,追平蘋果既有 MacBook Pro 14 吋 M5 等級的定價。 觀察過往幾次類似事件可以發現，技術規格的推進與地緣政治的拉扯經常呈現高度連動，企業的投資節奏亦受其左右。

蘋果的對策有二:(1) 為高容量版本導入「較低成本、較低壽命」的 QLC NAND 顆粒,並透過更多快取層級與軟體優化來確保使用體驗,藉此壓低單一容量級距的漲幅;(2) 改變全系列的儲存階梯,把 256GB 變入門、512GB 變主流、1TB 變旗艦,讓消費者用價格升級換容量升級,藉此平均單價上漲。 專家指出，這類議題在短期內雖然難以達成共識，但對於建立更具韌性的產業結構仍具有指標意義。

對台系供應鏈的意義重大:記憶體漲價將直接受惠的台廠包括 NAND 控制 IC 群聯(8299)、威剛(3260)、創見(2451)、宇瞻(8271);DRAM 模組廠僅有南亞科(2408)與華邦電(2344)有實質量產能力,惟兩家目前以 DDR4/DDR5 與 LPDDR4X 為主力,LPDDR5X 仍以三星、SK 海力士、美光為主,蘋果仍需自韓美廠進關鍵 DRAM;PCB 載板的欣興(3037)、南亞電(8046)在 iPhone 主機板層數升級下同步受惠;晶圓代工的台積電(2330)則因 2 奈米產能優先承接 A20 Pro 大單;封測端日月光投控(3711)、力成(6239)同步受惠 WMCM 與 A20 Pro 封測產能擴張。

後續觀察 4 個關鍵點:(1) 蘋果 9 月發表會公布的官方定價區間,確認漲價幅度;(2) iPhone 18 Pro Max 採用 QLC NAND 的比例是否引發市場對寫入壽命的疑慮;(3) 台積電 2 奈米良率與產能爬坡時程,直接影響 A20 Pro 出貨順暢度;(4) 中國品牌(華為、小米、OPPO、vivo)與三星(S26 系列)的旗艦機定價策略,是否跟進調漲來維持與蘋果的相對價差。 從研發投入的角度觀察，相關企業在材料、製程與系統整合上的布局，已成為未來幾年觀察產業變化的重要切入點。

記憶體市場供需與 HBM 趨勢

記憶體市場在 AI 與 HPC 應用強勁帶動下進入新一輪上升週期，DRAM 與 NAND 報價同步反轉向上。其中 HBM（高頻寬記憶體）需求最為火熱，NVIDIA H100/H200、B200、Google TPU、AMD MI300 等 AI 加速器對 HBM3e 的拉貨動能延續至 2027 年，SK 海力士、三星、美光三大廠同步擴產仍無法滿足需求，缺口預估達 18-22%。台廠中，華邦電、長鑫存儲、力積電、南亞科等在 DDR5、LPDDR5、HBM 配套記憶體等領域積極布局，預期將隨著 AI 滲透率提升而受惠。法人預期，記憶體族群 2026 下半年獲利將顯著回升，本益比有進一步上修空間。 供應鏈各環節的因應策略，往往會在政策變動前後出現明顯的差異，這也是市場解讀時需要特別留意的訊號。 觀察過往幾次類似事件可以發現，技術規格的推進與地緣政治的拉扯經常呈現高度連動，企業的投資節奏亦受其左右。

供應鏈與法人觀點

在 NAND Flash 端，隨著伺服器與資料中心儲存需求回溫，三星、鎧俠、美光、SK 海力士等原廠庫存去化順利，報價已連續數月反彈，企業級 SSD 與 PCIe Gen5 SSD 滲透率快速提升，帶動群聯、慧榮、威剛、創見等控制 IC 與模組廠出貨動能。法人指出，記憶體族群過去兩年因景氣低迷而評價偏低，在 AI 與企業級應用帶動下，2026 年下半年至 2027 年將進入獲利與評價雙升階段，建議關注 HBM 相關供應鏈與 DDR5 升級週期受惠股。