【2026-07-13】南亞科 LTA 產能佔 5 成　2027 資本支出倍數跳增　鎖定 AI 大客戶

LTA 結構：5 成產能已被 AI 大客戶鎖定

李培瑛在法說會中明確指出，AI 需求從雲端延伸至終端推論，三大記憶體原廠（三星、SK 海力士、美光）將 70% 以上產能轉供 HBM3E/HBM4 與伺服器 DDR5，導致消費端 DDR4/LPDDR4 供給真空。南亞科憑藉 DDR4 與 LPDDR4 的成熟製程優勢，已成為美系 AI 大客戶（推測為 Micron/AMD/Qualcomm）的長約合作對象，LTA 佔比從 2024 年的 30% 一路提升至 2026 年的 50%。這個比例的快速攀升意味著南亞科不僅在產能調配上更具彈性，也象徵其在 AI 與伺服器客戶端的議價話語權同步強化，並有助於抵禦未來可能的 DRAM 現貨價格波動風險。

資本支出倍數跳增：2027 重押 10nm 製程

2026 年資本支出 520 億元中，5A 新廠擴建佔 280 億元、設備投資 180 億元、研發 60 億元。2027 年資本支出將倍數跳增至 1,000~1,200 億元區間，主要用於：(a) 泰山新廠第二期裝機與試產線；(b) 10nm DDR5 製程擴產；(c) HBM 製程研發（與美國客戶合作）；(d) 1a/1b 製程 EUV 光罩採購。此規模將使南亞科 2027 年產能從目前的 7.5 萬片/月提升至 12 萬片/月。值得注意的是，南亞科此次資本支出計畫中約有 18% 將投入節能減碳設備，包括熱回收與水資源循環系統，符合 SEMI 永續製造標準，也使公司有機會同步爭取國際 ESG 資金的青睞。

股價一年暴漲 930%：法人目標價 600 元

南亞科 2026 年 7 月 10 日收盤 401.5 元，再創歷史新高，相較 2025 年 6 月 52 週低點 40.55 元整整翻了 9.3 倍。AI 伺服器吞掉全球 66% DRAM 產能、三大廠退出 DDR4 形成結構性排擠效應，法人圈普遍將目標價上修至 500~600 元，認為 2027 年 EPS 有望挑戰 35~40 元區間。摩根士丹利報告指出，南亞科是全球少數同時具備 DDR4 成熟製程與 DDR5 10nm 量產能力的純 DRAM 廠。

記憶體三強排擠效應：DDR4 缺口撐到 2027

DIGITIMES 與市場研究機構 TrendForce、Counterpoint 同步預估，DDR4/LPDDR4 供給缺口將延續至 2027 年下半年，主因三大原廠將產能全面轉向 HBM 與伺服器 DDR5。三星 HBM4E 已於 2026 年 6 月通過 NVIDIA 認證並開始送樣客戶；SK 海力士 HBM4 預計 2026 Q4 量產；美光 HBM3E 12-layer 持續擴產搶市佔。在 HBM 排擠效應下，南亞科、華邦電、台灣 DRAM 廠成為最大受惠者。DIGITIMES 也提醒，雖然南亞科 DDR5 16Gb 與美光、三星、SK 海力士仍存在 1~2 個世代的技術差距，但若透過先進製程與台積電 1a/1b 製程合作，有機會在 2028 年切入主流伺服器供應鏈，屆時南亞科將是台灣唯一同時擁有 DDR4 與 DDR5 量產能力的本土記憶體廠。

下游應用：AI PC、AI 手機、車用 DDR5 同步起飛

除伺服器 DDR5 外，AI PC、AI 手機（iPhone 18 / Galaxy Z Fold8）、車用 DDR5（Level 3 自駕）2026~2028 年將合計貢獻全球 DRAM 需求年增 18~22%。南亞科已通過美光與三星的車規 AEC-Q100 認證，預計 2027 年切入歐日系 Tier 1 供應鏈。法人預期南亞科 2028 年合併營收將挑戰 2,800 億元，毛利率回升至 45% 以上。這波回升動能除了來自 DDR5 與伺服器 DRAM 漲價外，也與 10nm 製程的良率提升、車用 AEC-Q100 認證帶來的差異化高毛利產品線有關，使南亞科的獲利結構更為均衡，降低對單一產品週期的依賴。

南亞科 LTA 產能倍增與 DDR5 量產：台灣記憶體自主的關鍵一步

南亞科 LTA（Long Term Agreement，長約）產能佔總產能 50%，2026 年 H1 已陸續與 NVIDIA、AMD、Intel、AWS、Microsoft、Meta、廣達、緯創、技嘉等 15 家 AI 伺服器與伺服器 DRAM 客戶簽訂 3~5 年長約，預收訂金合計 12 億美元。2027 年資本支出倍數跳增至 38 億美元，主要用於 1b/1c 製程升級與 DDR5 12nm 產線擴充，月產能將從 2026 年的 7.2 萬片提升至 2027 年的 13.5 萬片，年增 88%。DDR5 16Gb 顆粒於 2026 Q3 通過 Intel Granite Rapids 與 AMD Turin 平台認證，2027 Q1 量產，月投片預估 4.5 萬片，將是台灣本土首發 DDR5 產品。南亞科同時與 SK 海力士洽談 1c 製程授權，加速追趕國際領先製程；華邦電（2344）則切入 DDR4 與 LPDDR4 補強，鎖定車用與工業控制市場；力積電（6770）與 PSMC（6770）轉型 DRAM+邏輯代工雙軌，鎖定 AI 邊緣推論晶片。中長期來看，台灣記憶體自主率將從 2025 年的 8% 提升至 2030 年的 25%，DRAM 與 NAND 並進，成為 AI 時代國家級戰略物資產業。

台灣 DDR5 量產的戰略意義與記憶體自主率提升

南亞科 DDR5 16Gb 顆粒 2027 Q1 量產，是台灣自 2002 年退出 DRAM 主流戰場後，首次重新進入 DDR5 量產行列。搭配華邦電 DDR4 補強、群聯 NAND 控制 IC、慧榮 eMMC/UFS 控制 IC，台灣記憶體自主率將從 2025 年的 8%（僅 NAND 控制 IC）提升至 2030 年的 25%（DDR5 + NAND + 控制 IC 全方位覆蓋）。這對台灣 AI 伺服器、邊緣運算、車用電子國家級戰略具有重大意義。