【2026-07-15】記憶體成 AI 推論最大瓶頸　南韓學者籲廠商轉型「晶圓代工模式」 學界尋找 HBM 之外的出路

AI 推論瓶頸：HBM 佔 AI 加速器成本 35% 卻一顆難求

南韓半導體學術界與業界 7 月 14 日於首爾舉辦「2026 AI 記憶體前瞻論壇」，與會學者包括 KAIST 電機系教授金大中、首爾大學 SNU 半導體研究所所長崔永鎮、SK Hynix 技術長李根秀等。核心共識：HBM 與高頻寬記憶體將成為 AI 推論最大瓶頸。NVIDIA H200、B100 等 AI 加速器的物料清單（BOM）中，HBM 成本佔比已從 2023 年的 22% 上升至 2026 年的 35%，超越 CoWoS 先進封裝（28%）、GPU die（25%），成為 AI 加速器最貴的元件。SK Hynix 2026 年 HBM 產能已被 NVIDIA、AMD、Google、Amazon、Broadcom 等客戶提前 3 年訂滿，2027~2028 年產能已 sold out，但市場對 HBM 需求持續超出供給 40% 以上。

KAIST 三大替代方案：超薄晶圓堆疊、AI 編碼壓縮、光子記憶體

KAIST 半導體工程系教授金大中於論壇發表三大替代方案：(1) 超薄晶圓堆疊（Ultrathin Chip Stacking）——將 12 層以上、每層厚度僅 25μm 的 DRAM 晶圓透過 TSV（Through-Silicon Via）技術垂直堆疊，單顆封裝頻寬可從 HBM3E 的 1.2TB/s 提升至 2.4TB/s，功耗降低 35%，目標 2027 年量產；(2) AI 編碼壓縮（Neural Compression）——透過神經網路即時壓縮 AI 模型權重與激活值（activation），記憶體頻寬需求降低 50%，等效讓 HBM 產能倍增；(3) 光子記憶體（Photonic Memory）——利用矽光子（Silicon Photonics）技術讓記憶體與處理器之間以光訊號傳輸，延遲降低至電傳輸的 1/100，2028 年實驗室驗證，2030 年量產。金大中強調，這三條技術路線並非要取代 HBM，而是「HBM + X」的混合架構。

首爾大學：呼籲記憶體廠商轉型「晶圓代工模式」

首爾大學半導體研究所所長崔永鎮提出「Foundry-Lite Model」（晶圓代工模式）概念，呼籲 SK Hynix、Samsung 等傳統記憶體廠商不要再單獨銷售記憶體顆粒，而是學習台積電（TSMC）的純晶圓代工模式。具體做法包括：(1) HBM-as-a-Service 訂閱制——客戶支付年費取得 HBM 容量配額（Capacity Quota），廠商保證供給與升級；(2) Memory Foundry——接受客戶委託設計（Design Service）並代工生產客製化 HBM 模組；(3) AI Memory Marketplace——記憶體廠商與 AI 客戶透過平台媒合記憶體產能。崔永鎮指出，這種轉型可讓記憶體廠商跳脫「週期性景氣循環」的宿命，毛利率從 35~45% 提升至 55~65%。

DIGITIMES Research vs 學界：HBM 獨佔地位兩派觀點

DIGITIMES Research 對南韓學者的觀點持保留態度。DIGITIMES Research 分析師王尊民指出，HBM 仍是未來 5 年 AI 記憶體市場的主流，原因有三：(1) HBM4 / HBM4E 已於 2025~2026 年陸續量產，單顆容量從 24GB（HBM3E）提升至 36GB（HBM4E），頻寬從 1.2TB/s 提升至 1.6TB/s，HBM 技術仍持續演進；(2) NVIDIA、AMD、Google 等 AI 客戶已將 HBM 整合至 SoC 設計中，換成替代方案需要重新設計 AI 加速器，生態系慣性（Ecosystem Inertia）極強；(3) HBM 供應鏈高度集中（SK Hynix 54%、Samsung 35%、Micron 11%），新進者切入難度極高。DIGITIMES Research 預估 2030 年 HBM 市場規模將達 US$158 billion，仍佔 AI 記憶體市場 78%。

台廠轉型機會：南亞科、華邦電、群聯、長鑫存儲的角色

南韓學者提出的「Foundry-Lite Model」對台廠帶來新的轉型機會。(1) 南亞科（Nanya）：原為標準型 DRAM 廠，2026 年宣布切入 HBM 製造（透過 TSV 技術），預計 2027 年量產 HBM3；(2) 華邦電（Winbond）：NOR Flash 廠，2026 年宣布與 NVIDIA 合作開發「NOR-HBM Hybrid」方案，結合 NOR Flash 的低延遲與 HBM 的高頻寬；(3) 群聯（Phison）：原為 NAND Flash 控制 IC 廠，2026 年宣布與 SK Hynix 合作開發「CXL（Compute Express Link）記憶體擴展方案」，透過 CXL 介面將 NAND Flash 模擬為 HBM 替代品；(4) 長鑫存儲（CXMT，中系 DRAM 廠）：2026 年宣布切入 HBM 製造，目標 2027 年量產 HBM2 規格，雖然技術落後 SK Hynix 兩代，但憑藉中國內需市場仍有機會。DIGITIMES Research 認為，台廠在 HBM 周邊（封裝、測試、控制 IC）仍具備高度競爭力，2027~2030 年將是台廠轉型的關鍵三年。

記憶體供應鏈資本市場與政府政策動向觀察

AI 推論記憶體瓶頸議題已成為各國政府、半導體產業、學術界共同關注的焦點。DIGITIMES Research 與日經亞洲報導指出，台灣、日本、韓國三國政府已於 2026 年 6 月底啟動「記憶體三國同盟」備忘錄，預計 2027~2030 年共同投入 US$45 億研究 AI 推論記憶體替代方案，並以台廠南亞科、華邦電、群聯為主要合作對象。經濟部亦於 7 月中宣布將「AI 推論記憶體」列為下世代重點產業，並提供 5 年 600 億研發補助。資本市場端，南亞科、華邦電、群聯 7 月股價同步創波段新高，南亞科突破 NT$120、華邦電 NT$98、群聯 NT$830，外資合計買超 8.6 萬張。TekEveryday 將追蹤 2026 IEEE International Memory Workshop、IEDM 2026 最新發表，以及全球首座「Foundry-Lite」記憶體試產線落地進度，提供最即時的技術與市場觀察。