【2026-07-15】HBM 搶產能車用記憶體供應拉警報　瑞銀：2026 Q2 起車用 DRAM 恐爆缺貨漲價潮 全球車廠年損 110 億美元

瑞銀：車用 DRAM 2026 Q2 起缺貨、漲價幅度上看 50%

瑞銀全球汽車產業研究報告（2026 年 1 月發布）明確警告：隨著 HBM 與企業級 SSD 擠佔全球 DRAM 與 NAND Flash 產能，車用 DRAM 將於 2026 年第二季起浮現缺貨潮，價格年增幅度上看 45~55%。瑞銀分析師 Patrick Hummel 指出，車用 DRAM 與消費性 DRAM 不同，須符合 AEC-Q100、ISO 26262、IATF 16949 等車規認證，認證週期長達 5~7 年，因此短期內車用記憶體供給無法快速擴產。DIGITIMES Research 與 TrendForce 同步預估，2026 全年車用 DRAM 缺口達 1.2 億顆（equivalent 8Gb 顆粒），車用 NAND Flash 缺口達 0.85 億顆（equivalent 256Gb 顆粒）。

車廠衝擊：年損 110 億美元、390 萬輛產量下滑

Forbes MENA 與 EE Times 報導，車用記憶體供應吃緊可能造成全球車廠年損約 US$110 億美元，其中：(1) 直接 BOM 成本上漲：車用 DRAM 從 US$4.2（2GB）漲至 US$6.5，車用 NAND 從 US$3.8（32GB）漲至 US$5.4，每輛車 BOM 成本增加 US$30~80；(2) 產量下滑：因記憶體缺貨被迫減產，預估 2026 全年全球汽車產量將下滑 390 萬輛（約佔全球年產量 4%）；(3) 新車延後上市：BMW、Audi、Mercedes-Benz 等多家歐系車廠已通知經銷商，2026 Q3 起部分車型（如電動車 iX、EQS、e-tron）將延後 4~8 週交車。現代汽車（Hyundai）與起亞（Kia）則因與 SK Hynix 同集團關係，取得優先供應，成為亞洲車廠中受衝擊最小的代表。

記憶體廠的產能排擠：HBM 與企業級 SSD 拿走 35% 產能

TechNews、IG、瑞銀報告同步指出，記憶體廠的產能排擠效應明顯——(1) SK Hynix：2026 年 HBM 產能佔比從 2023 年的 18% 提升至 35%，傳統 DRAM（含車用、消費性）產能被迫縮減；(2) Samsung：HBM 產能從 15% 提升至 32%，並將 Hwaseong 12 號廠（P2L）轉為 HBM 專用生產線；(3) Micron：HBM 產能從 12% 提升至 28%，並宣布 2026 年將於紐約州 Clay 廠擴建 HBM 專用產線；(4) 南亞科：雖尚未量產 HBM，但因 DRAM 價格上漲而將產能優先供應高毛利 DDR5 產品。DIGITIMES Research 統計，2026 全年 HBM 與企業級 SSD 合計拿走全球記憶體產能 35%，較 2023 年的 18% 擴張近一倍。

台廠受惠：南亞科、華邦電、旺宏車用訂單 Q3 起放量

DIGITIMES Research 指出，台灣記憶體廠在車用市場具備高度競爭力——(1) 南亞科：DDR4 / DDR5 車用 DRAM 已通過 Audi、BMW、Tesla 等車廠認證，2026 Q3 起車用營收佔比從 18% 提升至 28%；(2) 華邦電：NOR Flash、DRAM、SLC NAND 三大產品線同步切入車用，2026 Q3 取得 Bosch、Continental、Denso 等 Tier 1 供應商訂單，車用營收年增 45%；(3) 旺宏（Macronix）：NOR Flash 切入車用儀表板、ADAS 控制器，2026 Q3 取得 Subaru、Mazda 等日系車廠訂單；(4) 宇瞻（Apacer）、宜鼎（Innodisk）：工業級記憶體模組切入車用後市場。DIGITIMES Research 預估台廠車用記憶體營收 2026 全年達 NT$1,150 億，年增 38%，是少數不受記憶體漲價負面影響的次產業。

長期解決方案：產能擴張 + CXL 記憶體擴展 + 車廠自研晶片

Forbes 與 EE Times 指出三條長期解決方案：(1) 產能擴張——Micron 宣布 2026 年於紐約州 Clay 廠擴建 HBM 與車用 DRAM 雙用產線，預計 2027 年下半年量產；Samsung 與 SK Hynix 同步擴建平澤（Pyeongtaek）與華城（Hwaseong）廠區，2028 年投產；(2) CXL（Compute Express Link）記憶體擴展技術——透過 CXL 2.0 介面將 NAND Flash 模擬為 DRAM 替代品，可緩解 30% 的 DRAM 需求，群聯（Phison）與三星已於 2026 年 Q2 推出 CXL 記憶體模組原型；(3) 車廠自研晶片——Tesla 自研 HW5.0 自駕晶片記憶體用量較 HW4.0 提升 80%，但透過自研 SoC 整合記憶體介面可降低外購 DRAM 依賴；BYD、Hyundai 也投入自研記憶體控制晶片。DIGITIMES Research 認為，2027 年下半年 HBM 產能擴張後車用 DRAM 供給將逐步緩解，但價格將維持高位 12~18 個月。

車用供應鏈與資本市場觀察：台廠記憶體股、外資買盤、汽車 OEM 應對

瑞銀與 Bloomberg 指出車用 DRAM 缺料議題持續發酵 12~18 個月，相關台廠與國際 OEM 受惠與受衝擊程度明顯分化。資本市場端，台股車用記憶體概念股 7 月以來同步強勢，南亞科 7 月股價上漲 18%、華邦電上漲 22%、旺宏上漲 26%，外資合計買超 12.6 萬張。車廠端，Toyota、Honda、Ford、GM、Stellantis 同步宣布 4Q26~1Q27 部分熱銷車型可能延遲交車 4~8 週，並評估「優先供應電動車與高階車款」策略以度過缺料期。DIGITIMES Research 強調，2026 年全球汽車銷售因車用記憶體缺料可能下滑 1.8~2.2%，但售價平均提升 US$120~180，可部分抵銷銷量下滑衝擊，整體 2026 車用半導體市場規模上看 US$718 億、年增 8.5%，並於 2027 H2 反轉向上。TekEveryday 將持續追蹤 Micron、Samsung、SK Hynix 車用 DRAM 投產進度，以及 Tesla、BYD、Hyundai、Stellantis 等 OEM 應對策略。