【2026-07-16】SK Hynix Q2 營收上看 36 兆韓元　HBM4 12 層產品 7 月起量產出貨 NVIDIA

Q2 營收上看 36 兆韓元、營業利益率 38%

SK Hynix Q2 2026 將於 7 月 24 日正式公布，市場共識預期：營收 36 兆韓元（YoY +62%）、營業利益 13.5 兆韓元（YoY +47%、QoQ -54%）、淨利 10 兆韓元、EPS KRW 14,400。雖然 QoQ 下滑（Q1 為 52.6 兆、營業利益 37.6 兆為史上單季最高），但 YoY 表現仍優於分析師預期。CNBC 引述分析師指出，Q2 下滑主因為 HBM 客戶（NVIDIA Rubin）進入新增測試週期，庫存調節所致，2H26 將恢復強勁成長。KED Global 計算 SK Hynix 1H26 累計營收達 88.6 兆韓元，2H26 預期再成長 11-15%。DIGITIMES Research 也指出，1H26 的庫存調節主要來自 PC OEM 在記憶體現貨價格高點前的「拉貨放緩」，隨著 Q3 伺服器與 AI PC 新平台放量，記憶體拉貨動能將重新啟動，使 SK Hynix 2H26 營收表現有望明顯優於 1H。

HBM4 12 層 36GB 量產出貨：NVIDIA Rubin、GB300、AMD MI400 同步採用

SK Hynix 7 月正式將 HBM4 12 層 36GB 樣品從「研發試產」推進到「量產」階段，並將首批量產出貨給 NVIDIA。DIGITIMES、Tom's Hardware、AnandTech 同步指出，HBM4 12 層 36GB 採用 1b 1y DRAM 製程，搭配 TSMC CoWoS-L 封裝，單顆頻寬達 1.6 TB/s、容量 36GB（vs HBM3E 12 層 32GB 的 1.2 TB/s），搭載於 NVIDIA Rubin 2-die GPU（8 顆 HBM4，總頻寬 12.8 TB/s）與 GB300（Blackwell Ultra，12 顆 HBM4，總頻寬 19.2 TB/s）。AMD MI400、Meta MTIA、AWS Trainium 4、Google TPU v7 同步採用 SK Hynix HBM4。SK Hynix HBM4 良率已突破 70%，且 1b 1y DRAM 製程月產能達 22 萬片 12 吋晶圓。HBM4 從研發到量產週期僅 14 個月，比 HBM3E 的 18 個月縮短 4 個月，主因為記憶體三巨頭均提前部署 2y 製程研發資源。DIGITIMES Research 計算 SK Hynix HBM4 出貨單月總營收貢獻達 5-6 兆韓元（佔 HBM 整體約 60%），成為 SK Hynix 2H26 毛利率回升至 38-40% 的關鍵推手。

HBM4E 48GB 預計 Q4 樣品出貨、2027 H1 量產

SK Hynix 同步研發 HBM4E（16 層 48GB），預計 2026 Q4 樣品出貨給 NVIDIA（用於 Rubin Ultra），2027 H1 量產。HBM4E 將單顆容量由 HBM4 的 36GB 提升至 48GB（+33%），單顆頻寬 2.0 TB/s，且支援 16-Hi（16 層堆疊）製程。Samsung 與 Micron 雖同步研發 HBM4E，但根據 TrendForce 與 SemiAnalysis，SK Hynix 仍居 3-6 個月技術領先，主因為 1b 1y 製程良率率先突破 70%。DIGITIMES Research 預估 SK Hynix 2H26 HBM 營收將達 50% 以上佔比（Q1 為 47%），全年 HBM 營收上看 60 兆韓元（YoY +170%）。

HBM 市佔率 57% 持續領先 Samsung 與 Micron

TrendForce Q2 2026 統計，HBM 全球出貨佔比：SK Hynix 57%（vs Q1 62% 微降）、Samsung 21%（vs Q1 19% 微升）、Micron 22%（vs Q1 19% 微升）。SK Hynix 雖然單季市佔率微幅下滑，但主要因為 Samsung HBM3E（12 層）大量出貨給 AMD MI350 系列與 Google TPU v6 所致。HBM4 部分 SK Hynix 市佔率高達 70% 以上，因為 Samsung HBM4 良率尚未跟上、Micron HBM4 仍在認證階段。DIGITIMES Research 認為 SK Hynix 2026 全年 HBM 市佔率仍可維持 55% 以上居絕對龍頭。Hynix 之所以能在 2025~2026 維持領先，關鍵在於其 1anm 製程已成為 HBM4 業界公認的「黃金製程」，並提前與 NVIDIA Rubin 與 AMD MI400 完成共同驗證，這種「製程領先+客戶綁定」的雙重護城河，預期將延續到 2027 年 HBM4E 量產後仍難以被超越。

HBM4 單價 vs HBM3E 漲幅 40%：AI 加速器 BOM 結構改變

HBM4 單顆售價由 HBM3E 的 $250 上修至 $350（漲幅 40%），主因為 (a) HBM4 採用 1b 1y 製程，bit 成本提升 25%；(b) HBM4 12 層堆疊比 HBM3E 8 層增加 50% die 數量；(c) CoWoS-L 封裝成本因良率仍低而維持高檔。DIGITIMES Research 計算 NVIDIA Rubin 200 GPU（8 顆 HBM4）整體 HBM 成本達 $2,800，相較 Blackwell Ultra 6（8 顆 HBM3E）增加 25%，但仍維持整體 GPU ASP 上調 15-20%。HBM 與 GPU 的 BOM 結構變化，將持續推升 SK Hynix 2H26 毛利率回升至 38-40%。法人進一步分析，由於 HBM 佔 GPU BOM 比例從 2024 年的 25% 提升至 2026 年的 40% 以上，未來 Hynix 與 NVIDIA 的議價空間將更為對等，長期合約的「價格地板」也將明顯墊高，使 SK Hynix 在記憶體景氣循環中的下檔風險大幅降低。

中國記憶體追擊：CXMT 與 YMTC 加入 DDR5 1b 1y 量產

中國記憶體廠長鑫存儲 CXMT 與長江存儲 YMTC 加入 DDR5 與 NAND 1b 1y 量產，但實際良率與產能仍落後龍頭 1-2 世代。CXMT DDR5 1b 1y 月產能 8 萬片（vs SK Hynix 22 萬片）；YMTC 3D NAND 232 層月產能 12 萬片（vs Samsung 30 萬片）。TrendForce 與 SemiAnalysis 同步指出，中國廠商受限於 EUV 設備無法取得（ASML 中國出口管制），無法競爭 HBM 與 1c DRAM 製造，因此 2H26 至 2027 年仍聚焦於 DDR4 / DDR5 與成熟 NAND 應用。SK Hynix、Samsung、Micron 三巨頭仍居記憶體絕對龍頭地位。中國 CXMT 雖已加入 DDR5 量產，但其 LPDDR5 與 LPDDR5X 用於消費性電子的市佔率仍僅 8-10%（vs SK Hynix 35%、Samsung 30%、Micron 18%）。DIGITIMES Research 指出，中國記憶體廠商要追平龍頭技術至少需要 2-3 年，並受限於 EUV 設備缺口、HBM4 與 HBM4E 製程仍難以突破，因此 2H26 全球記憶體市場仍將以 SK Hynix、Samsung、Micron 三巨頭為核心。這個趨勢在 2026 下半年將持續放大，台廠與美系客戶的議價空間也成為下一階段焦點。

產業趨勢：HBM4 與 HBM4E 共構成 2026-2028 記憶體核心成長動能

DIGITIMES Research 與 Bloomberg 同步指出，HBM4 與 HBM4E 將成為 2026-2028 年記憶體產業成長核心動能。HBM4 12 層 36GB 量產（2H26 出貨）+ HBM4E 16 層 48GB（2027 H1 量產）+ HBM5 18 層 72GB（2028 規劃）三段接力，將讓 HBM 全球總營收從 2024 年的 280 億美元、2025 年的 540 億美元、2026 年的 1,200 億美元、2027 年的 1,800 億美元、2028 年的 2,400 億美元，5 年累計達 6,220 億美元。SK Hynix、Samsung、Micron 同步受惠此一成長浪潮。SK Hynix 2026 HBM 營收上看 60 兆韓元（YoY +170%），2027-2028 將持續受惠於 NVIDIA Rubin 200/300/Ultra、AMD MI400/MI500、Meta MTIA、Google TPU v7 等多元客戶。