【2026-07-29】根據 7 月 23 日 BigGo Finance 與南韓媒體報導，全球半導體設備交期從過去平均 12 個月倍增至 18～24 個月（1.5～2 倍），Samsung 與 SK Hynix 已啟動「搶單」模式，提前 18 個月下單 ASML、Applied Materials、Lam Research 等關鍵設備廠，鎖定 EUV 與先進製程產能。FTC Electronics 統計，南韓半導體業者 2026 年累計投資達 800 兆韓元（約 5,760 億美元）。DIGITIMES 與 TechPowerUp 指出，Samsung 已訂購 7 台 Low-NA EUV 機台，目標 2027 年底前完成安裝；ASML 訂單能見度已延伸至 2028 年。
根據 BigGo Finance 7 月 23 日報導，受惠於 AI 晶片與 HBM 需求爆發，全球半導體設備交期（lead time）從過去平均 12 個月倍增至 18～24 個月，平均延長 1.5 至 2 倍。FTC Electronics 半導體週報指出，EUV 曝光機、原子層沉積（ALD）、化學氣相沉積（CVD）等關鍵設備訂單塞車，Applied Materials、Lam Research、Tokyo Electron 等設備廠的優先接單邏輯已被打破，現在變成「誰先下單、誰先拿到」狀態。ASML 預估 2026 年 Low-NA EUV 出貨 60 台、High-NA 出貨 12 台，雖然交期延長，但因客戶以 Nvidia、TSMC、Samsung、Intel、SK Hynix 等龍頭為主，設備訂單實質仍是『賣方市場』；中小型晶圓廠即使願意支付 30%-50% 溢價，也無法在 2027 年底前取得 Low-NA EUV 名額。
南韓兩大半導體巨頭已啟動「搶單」模式。TechPowerUp 與 Reuters 引述業界消息指出，Samsung 已訂購 7 台 ASML Low-NA EUV（數值孔徑 0.33）曝光機，目標 2027 年底前完成安裝，進而支撐 2 奈米與 1.4 奈米製程的量產時程。SK Hynix 則在 HBM4 與 HBM4E 量產前夕，加速下單 TSV（穿矽導線）封裝設備、混合鍵合（hybrid bonding）機台，鎖定 HBM 產能擴張優勢。另一方面，Applied Materials 與 Lam Research 的介電層沉積、蝕刻與量測設備交期也同步延長至 18 個月以上，雖然不像 EUV 機台那麼稀缺，卻是 HBM4、3D NAND 與 2 奈米製程的關鍵輔助設備；若 ALD、CVD、HKMG 模組交期持續延後，CoWoS、TSV 封裝與 2 奈米量產時程都將被迫向後修正 1-2 季。
南韓半導體業者的投資規模空前。Gulf Business 與 CNBC 報導，Samsung Electronics 與 SK Hynix 已合計承諾 800 兆韓元（約 5,170～5,760 億美元）半導體投資，未來 9 年執行，平均每年約 640 億美元。Reuters 6 月 30 日分析指出，這是「對 AI 循環的豪賭」——Samsung 與 SK Hynix 控制全球 90% HBM 產能，押注 AI 需求可持續到 2030 年。值得注意的是，Samsung 與 SK Hynix 的投資金額相當於韓國 2025 年 GDP 的 28%，對韓元匯率與半導體設備進口產生結構性壓力；韓國央行已將半導體設備投資列入 2026 年經常帳逆差的主要解釋變數，若 2027 年 HBM4 量產時程再次推遲，韓元將面臨新一輪貶值壓力，央行升息空間也將受限。對 SK Hynix 而言，這筆投資意味著 HBM4 與 HBM4E 必須在 2027 年中前完成量產，否則 AI 訂單將轉向 Samsung 與美光，整體資本支出將被迫轉為折舊負擔。
台灣方面也感受到壓力。TSMC 雖然自有 ASML EUV 機台庫存量足夠（已安裝約 60 台 EUV 機台），但 CoWoS 封裝設備、混合鍵合機台仍面臨 18 個月交期。DigiTimes 6 月 17 日報導指出，CoWoS 設備供給瓶頸是限制 Nvidia Blackwell 出貨的關鍵因子，2026 全年 CoWoS 產能仍將處於「分配制」。TSMC 同步在 2026 年 7 月宣布將 CoWoS 月產能目標從 5.5 萬片上修至 2027 Q1 的 7 萬片，並與 SPIL 共同投資 15 億美元擴增台中與台南封測產線；然而 ASML Low-NA EUV 與 KLA 缺陷檢測機台交期延長，使 Nvidia Blackwell B200 與 B300 出貨時程仍須以『分配制』處理，2026 年 Blackwell 系列實際出貨可能比原訂計畫低 12%-15%。
ASML 7 月 15 日宣布 Intel Foundry 已將 Panther Lake 處理器部分 18A 層採用 High-NA EUV（NA 0.55）曝光機生產，是 High-NA EUV 首次進入高量產邏輯產品。ASML 訂單能見度已延伸至 2028 年，2026 年 EUV 與 Low-NA EUV 出貨預估 60 台，2027 年上看 75 台。對台積電而言，Panther Lake 是 Intel Foundry 2026 年唯一能進入高量產的 18A 產品，台積電 N3P 製程雖未在 Panther Lake 主力晶片佔據明顯市占，但在 Nvidia GB300 與 AMD MI400 等 AI 加速器訂單仍維持獨佔地位，這也是台積電即使在 EUV 設備交期吃緊、仍能維持 56% 毛利率的結構性原因。
後續觀察指標包括：ASML 8 月財報對 Low-NA EUV 訂單的更新、Samsung 2 奈米良率（目標 2026 年底 70%）、SK Hynix HBM4 量產時程（已推遲到 3Q26，見 TrendForce 6 月 23 日報導）、TSMC CoWoS 月產能（目標 2026 年底達 6.5 萬片）、以及 Applied Materials 與 Lam Research 對 2027 年設備交期的最新預估。若 2026 年 Q4 半導體設備交期突破 24 個月，將進入「結構性緊缺」階段。若 ASML 8 月財報對 Low-NA EUV 訂單交付下修 10% 以上，市場將重新評估 2027 年 HBM4、CoWoS 與 2 奈米製程的放量節奏；反之若交期穩定在 18 個月以內，則 NVIDIA Rubin、AMD MI400、Google TPU v7 等次世代 AI 加速器的上市時程將按原訂 2026 Q4 至 2027 Q1 區間推進，整體 AI 供應鏈的時程風險將明顯降溫。