【2026-08-01】TrendForce、Tom's Hardware、Morningstar、Reuters、Yahoo Finance、The AI Investor、TomsHardware、Memory Insider 多源確認，2026 年第三季（3Q26）DRAM 合約價季增 13-18%、NAND Flash 合約價季增 10-15%，主因 AI 伺服器與高效能運算（HPC）需求持續推升、產能擴張速度跟不上訂單動能。Gartner 預估全年 DRAM 與 NAND 平均價格將分別上漲 125% 與 234%，記憶體超級週期延伸至 2027 年；Samsung、SK Hynix、Micron 三強鼎立格局確立，Samsung 與 SK Hynix 股價年初至今分別上漲 765% 與逾 300%。
TrendForce 7 月 3 日正式發布 2026 年第三季（3Q26）DRAM 與 NAND Flash 合約價格預測：DRAM 合約價季增 13-18%（QoQ）、NAND Flash 合約價季增 10-15%。TrendForce 指出，主要驅動力來自 AI 伺服器、HPC 應用、與企業級 SSD 三大區塊的需求持續強勁，但 Samsung、SK Hynix、Micron 三家供應商的產能擴張速度仍跟不上訂單動能。TrendForce 強調 3Q26 雖然漲幅較 2Q26（DRAM 季增 58-63%、NAND 季增 70-75%）有所收斂，但這只是「超級週期中場休息」，並非趨勢反轉；4Q26 預期仍將維持雙位數季增。 從產業長期發展的角度來看，相關技術節點的演進並非單一事件，而是多重變數交互作用的結果。
Tom's Hardware 7 月 4 日報導確認上述預測，並指出記憶體價格的上漲已開始衝擊消費端——DRAM 與 NAND 漲價帶動整機售價上揚，遊戲 PC、主機、行動裝置的 BOM 成本均受影響。雖然消費者的可負擔能力（affordability limit）已開始抑制部分需求，但 AI 與資料中心的需求量遠超過消費端萎縮的供給。Tom's Hardware 引述業界分析指出，記憶體價格高峰預期落在 2026 Q4 至 2027 Q2，整體超級週期延伸至 2027 全年，2028 年才有機會見到顯著供需平衡。
Morningstar 7 月 2 日將 Samsung 與 SK Hynix 的公允價值（Fair Value Estimate）上調，Morningstar 分析師預期 SK Hynix 的 DRAM 與 NAND 售價在 2Q26 分別季增 53% 與 70%、Samsung 則為 42% 與 93%。Morningstar 強調，Samsung 與 SK Hynix 已將產能優先配置於高頻寬記憶體（HBM）以服務 NVIDIA、AMD 等 AI 加速器客戶，HBM 在 2Q26 的售價較標準 DRAM 高出 5-7 倍，是推動記憶體廠營收與獲利爆發的關鍵動能。 觀察過往幾次類似事件可以發現，技術規格的推進與地緣政治的拉扯經常呈現高度連動，企業的投資節奏亦受其左右。
路透社（Reuters）與 Yahoo Finance 7 月 6 日同步報導，南韓記憶體大廠 SK Hynix 正式啟動 280 億美元（43 兆韓元）規模的美國 IPO 案，於納斯達克（Nasdaq）以每張 ADR 149 美元出售 17.79 億股，創下外國企業在美 IPO 史上最大規模。這次發行吸引超過 7 倍超額認購（over 7x oversubscribed），凸顯全球投資人對 AI 記憶體需求的高度信心。SK Hynix 在韓股股價過去 12 個月累計上漲 765%，成為全球 AI 浪潮下表現最強的個股之一。 專家指出，這類議題在短期內雖然難以達成共識，但對於建立更具韌性的產業結構仍具有指標意義。
Bloomberg Tech 7 月 9 日指出，SK Hynix 美國 IPO 的超額認購反映兩大結構性趨勢：(1) 全球被動型基金（ETF）與主動型基金都需要將 SK Hynix 納入 AI 投資組合配置；(2) 投資人對 AI 記憶體超級週期的延續抱持高度期待。SK Hynix 是 HBM3E 與 HBM4 早期最大供應商，NVIDIA H200、B200、Rubin 系列 GPU 均高度依賴其 HBM 產品線，預估 2026 全年 HBM 在 SK Hynix 總營收佔比將從 2025 的 25% 進一步攀升至 40% 以上。 對終端市場而言，新規格與新材料的導入時程，往往牽動整體生態系的資源配置與技術升級方向。
The AI Investor 在 X 平台（前 Twitter）發文指出，2Q26 DRAM 與 NAND 同步出現「sharp surge」，3Q26 仍將延續雙位數季增，4Q26 由於季節性因素可能放緩但仍維持高檔。這波記憶體超級週期由三大因素驅動：(1) AI 訓練與推論對 HBM 的爆炸性需求；(2) 三大供應商（Hynix、Samsung、Micron）產能擴張保守、優先服務 HBM 客戶；(3) PC 與智慧型手機庫存回補需求疊加。 從研發投入的角度觀察，相關企業在材料、製程與系統整合上的布局，已成為未來幾年觀察產業變化的重要切入點。
Memory Insider 與多家產業研究機構彙整指出，Samsung、SK Hynix 與 Micron 2026 年資本支出合計上看 1,000 億美元，其中超過 60% 配置於 HBM 與先進製程 DRAM（如 1c 奈米、1y 奈米）。三星（Samsung）2026 半導體資本支出上看 40 兆韓元（約 270-290 億美元），SK Hynix 規劃 32 兆韓元（約 215 億美元），Micron 約 200 億美元。這波大規模投資主要服務 HBM4 與 HBM4E 量產，以及 2027 年之後的 1c/1y 製程升級。 業界普遍認為，唯有在政策、技術與市場三方形成良性循環，才能讓創新能量穩定轉化為實質的產業競爭力。
韓國媒體引述三星與 SK Hynix 內部訊息，兩家韓廠記憶體事業在 2Q26 合計營業利益上看 30 兆韓元（約 230 億美元），較去年同期成長逾 300%。這波記憶體超級週期被市場形容為「DRAM 重新成為半導體業主角」，過去 18 個月 GPU 與 AI 加速器是市場焦點，如今記憶體產品的缺貨與漲價已成為供應鏈最大瓶頸，並直接衝擊 AI 伺服器、GPU 與 PC 產業的毛利結構。 這樣的發展脈絡也意味著，企業若能在前期做好風險評估與替代方案準備，將更具備應對未來不確定性的能力。 觀察過往幾次類似事件可以發現，技術規格的推進與地緣政治的拉扯經常呈現高度連動，企業的投資節奏亦受其左右。 專家指出，這類議題在短期內雖然難以達成共識，但對於建立更具韌性的產業結構仍具有指標意義。
業界分析，這波記憶體漲價對台灣半導體供應鏈的影響主要分兩面：(1) 正向：南亞科（2408）、華邦電（2344）、旺宏（2337）等台灣 DRAM/NAND 廠同步受惠，南亞科 6 月營收 293.88 億元、年增 78%；(2) 負向：記憶體漲價將壓縮聯發科（2454）、瑞昱（2379）等 IC 設計廠的毛利，因為其消費性 SoC 與網通晶片均內含記憶體；同時也將推升 PC 與手機品牌的整機成本，可能壓抑終端需求。 不同地區的監管態度與補貼政策持續調整，迫使跨國企業必須以更靈活的方式規劃其全球布局。
TrendForce 強調，記憶體超級週期何時反轉取決於三大變數：(1) AI 訓練需求的成長是否放緩；(2) 三星、SK Hynix、Micron 的 HBM 新產能開出速度；(3) 中國 CXMT、YMTC、長江存儲、長鑫科技等中系記憶體廠的成熟製程 DRAM/NAND 是否能大量進入市場填補缺口。預期這三大變數在 2027 Q2 之前都不會出現實質轉變，因此記憶體多頭格局至少延續至 2027 全年。 在全球科技分工日益複雜的背景下，掌握關鍵環節的主導權，往往比單純追求規模擴張更具策略價值。
來源：TrendForce 2026-07-03 · Tom's Hardware 2026-07-04 · Morningstar 2026-07-02 · Reuters 2026-07-06 · Yahoo Finance 2026-07-06 · Reuters Video 2026-07-06 · WSJ 2026-07-06 · Bloomberg Tech 2026-07-09 · The AI Investor 2026-X · Ersa Electronics 2026-06-10 · Tech Insider 2026-07-21 · Shattered.io 2026-07-08