【2026-08-05】DIGITIMES 議題雷達揭露中國新修《IC布圖設計保護條例》、光子與量子晶片首次納入；新浪科技、人民網、The Register、China IP Law Update、Kluwer Patent Blog 與多家原始媒體同步確認新法將於 2026 年 10 月 15 日施行。
中國在半導體智財權制度上邁出重大一步。DIGITIMES 議題雷達揭露，國務院總理李強日前簽署國務院令，公布修訂後的《集成電路布圖設計保護條例》（簡稱《條例》），這是 2001 年首次立法以來 20 餘年的首次系統性修訂，將於 2026 年 10 月 15 日起施行。對人才與研發能量的養成而言，這類政策也意味著資源將集中投入少數關鍵項目，產學合作與國際人才的引進將同步加速，並將在 2027 年後逐步反映在專利與技術輸出。
新浪科技與人民網同步報導，新條例修訂涵蓋四大重點：擴大保護範圍、規制虛假申請、加大侵權賠償、強化公共服務；最具突破性的條文是新增「對集成光子、量子等功能的集成電路的布圖設計，可以依照本條例的規定予以保護」，把光子晶片、量子晶片等新興 IC 正式納入中國國家智財權保護傘。對資本市場而言，政策方向具體化有助於提升中長期投資人的信心，相關族群的估值修復與資金流入可望在政策細節明確後逐步顯現。業界普遍認為，接下來半年的重點將放在具體子法的公布與第一波示範案的名單釋出，相關業者與新創團隊都應密切追蹤。從國際比較來看，此類政策與美、日、韓的產業振興方向有高度重疊，但細部補助條件與執行節奏的不同，仍將決定最終的產業受惠順序與外溢效應。
China IP Law Update 與 NatLawReview 進一步分析，新條文亦新增「第三方撤銷」程序與「懲罰性賠償」機制；Schwegman, Lundberg & Woessner 律師事務所指出，這代表中國在半導體 IP 領域正式接軌國際先進立法模式，未來侵權訴訟將可援引更高的賠償基數。業界普遍認為，接下來半年的重點將放在具體子法的公布與第一波示範案的名單釋出，相關業者與新創團隊都應密切追蹤。
The Register 報導指出，這次修法是中國主張全球晶片領導地位的關鍵一步；Kluwer Patent Blog 同步評論，新條例將成為其他新興市場國家（如巴西）修法參考對象，並對中國半導體國產替代政策形成關鍵配套。中國 IP Law Update 強調，新法第 54 條明確規範施行日期為 2026 年 10 月 15 日。對資本市場而言，政策方向具體化有助於提升中長期投資人的信心，相關族群的估值修復與資金流入可望在政策細節明確後逐步顯現。
China.org.cn 與 BlockTempo 同步整理出條例細部要點，包括對「商業利用」的定義擴大（包含進口、銷售與其他方式提供受保護的布圖設計、含該布圖設計的集成電路或含該集成電路的物品）；侵權賠償上限提高，並建立懲罰性賠償制度。對在地供應鏈而言，這項政策象徵明確的市場訊號，政府採購與補助資源將逐步向重點產業傾斜，相關業者的中長期營收能見度可望同步提升。
從產業戰略角度看，新條例代表中國把光子、量子、AI 加速晶片等下一代 IC 視為國家戰略資產；華為於 2026 年發表的「韜定律」半導體概念強調以時間維度替代幾何尺寸，與新條例的施行時間高度吻合，意味中國半導體國家隊將進入 IP 與技術雙軌並進的新階段。對人才與研發能量的養成而言，這類政策也意味著資源將集中投入少數關鍵項目，產學合作與國際人才的引進將同步加速，並將在 2027 年後逐步反映在專利與技術輸出。
對台廠而言，若計畫在中國市場銷售或代工光子、量子晶片，必須重新評估 IP 風險並建立合規機制；對國際半導體業者而言，新條例雖然強化保護，但也可能成為中國市場進入的新變數，後續與中國合作夥伴的授權協議將必須重新檢視。從國際比較來看，此類政策與美、日、韓的產業振興方向有高度重疊，但細部補助條件與執行節奏的不同，仍將決定最終的產業受惠順序與外溢效應。
來源：新浪科技、人民網、NatLawReview、China IP Law Update、The Register、Kluwer Patent Blog、China.org.cn、BlockTempo