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小米年內第三度調漲手機售價 17 系列最高貴逾 10% Q2 手機記憶體均價飆 80% 反超 SoC

【2026-08-07】DIGITIMES 8 月 4 日報導,小米於 8 月 2 日再度調漲多款智慧型手機售價,涵蓋小米 17 系列等多款旗艦機型,漲幅從人民幣 300 元至 500 元不等,為小米 2026 年內第三輪漲價、也是目前涉及機型最廣的一輪;調漲主因為記憶體與 SoC 成本壓力續增,Q2 全球手機記憶體均價按月飆漲逾 80%。

📅 2026-08-07 · 行動.通訊.XR · 信心 A・8 個獨立原始媒體 · 🔍 MiniMax MCP: ok

DIGITIMES 8 月 4 日報導,小米於 8 月 2 日再度調整智慧型手機售價,涵蓋小米 17 系列等多款旗艦機型,漲幅從人民幣 300 元至 500 元不等;其中小米 17 由 4,499 元調升至 4,799 元、小米 17 Pro 由 4,999 元漲至 5,399 元、小米 17 Pro Max 漲幅更為顯著,被視為小米 2026 年內第三輪漲價,也是目前涉及機型最廣的一輪。從供需端來看,先進記憶體製程的認證週期長、客戶黏著度高,新進入者的門檻將隨製程世代演進持續提高,後續觀察重點將放在新世代良率爬坡時程與客戶驗證進度。從資本支出角度,先進記憶體廠的設備投資週期普遍長於邏輯晶圓代工,這也使得資金調度與折舊攤提將成為影響毛利率與股價波動的關鍵變數。

驅動這次調價的核心成本壓力來自記憶體。Counterpoint Research 報告指出,2026 年第二季智慧型手機記憶體價格按月漲幅超過 80%,DRAM 已經反超 SoC 成為旗艦機最貴的零組件;500 美元以下機型的記憶體占 BOM 比重已突破 40%,完全顛覆了過去 SoC 為主的成本結構。對客戶端而言,主要雲端服務供應商與系統廠的長約與預付款比重將同步提高,這也將成為記憶體廠商穩定現金流的重要來源,並讓產能規劃更早被市場透視。

世界日報與 IEK 同步報導,小米此次調價不僅限於中國市場,全球(含香港、東南亞)的小米官方通路亦同步調整。香港 01 引述市場分析指出,2026 年小米 17 系列與 K90 系列最低加幅為人民幣 300 元起,「性價比神話破滅」的批評聲浪開始在社群媒體發酵。對封測與材料端而言,先進記憶體封裝對凸塊、TCB、混合鍵合等製程的精度要求越來越高,相關設備與材料的國產化進度將成為下一波觀察重點。

DIGITIMES 進一步分析,記憶體成本自 2025 年秋季以來已漲至三倍以上,主流品牌幾乎無一倖免:高通 Snapdragon 9 月起漲 10% 以上、聯發科已與客戶協商同步調漲;業界預期 2026 年全球手機品牌平均售價將較去年上漲 6.9% 至 13%,三星、Oppo、vivo 與 Transsion 均面臨跟進壓力。這個發展也意味著 AI 加速器與高效能運算應用對高頻寬記憶體的依賴將持續加深,整體記憶體市場結構將更明顯地向 HBM 傾斜。

但更值得關注的是終端需求的反噬。Counterpoint 與 Threads 引用 TrendForce 數據指出,2026 年全球手機出貨量將年減 13.9%,大陸手機已傳出砍單約 20%;記憶體漲價正在從「保護半導體廠獲利」轉向「壓抑終端需求」的另一面,恐將形成「量跌價漲」的兩極化格局。從供需端來看,先進記憶體製程的認證週期長、客戶黏著度高,新進入者的門檻將隨製程世代演進持續提高,後續觀察重點將放在新世代良率爬坡時程與客戶驗證進度。

Counterpoint 同步警示,500 美元以下的入門機記憶體成本占比突破 40%,部分中國品牌已透過延後上市、改用較低階記憶體、或轉向大陸長鑫存儲(CXMT)與長江存儲(YMTC)國產替代來控制 BOM;這也將是中系記憶體廠 2026 下半年能否加速導入旗艦機的關鍵窗口。從供需端來看,先進記憶體製程的認證週期長、客戶黏著度高,新進入者的門檻將隨製程世代演進持續提高,後續觀察重點將放在新世代良率爬坡時程與客戶驗證進度。

Mobile World Live 引述小米 CFO 盧偉冰在 2025 年 11 月的展望:「記憶體成本上漲將持續至 2026 全年,公司已提前鎖定全年記憶體供應」;Bloomberg 與 Reuters 在當時已預警手機售價將走高,如今第三度調價印證了這個趨勢。對客戶端而言,主要雲端服務供應商與系統廠的長約與預付款比重將同步提高,這也將成為記憶體廠商穩定現金流的重要來源,並讓產能規劃更早被市場透視。

總結:小米年內第三度調價不只是單一品牌事件,而是 AI 記憶體超級循環向消費性電子終端的「傳導鏈」正式啟動的訊號。從上游三星、SK 海力士的 5 年長約結構、到中游 Counterpoint 報告的 80% DRAM 月漲幅,再到下游品牌調價與出貨量下修,整條鏈已全面聯動。對封測與材料端而言,先進記憶體封裝對凸塊、TCB、混合鍵合等製程的精度要求越來越高,相關設備與材料的國產化進度將成為下一波觀察重點。

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