【2026-08-17】DIGITIMES 8 月 17 日報導，華為旗下創投機構哈勃科技（Hubble Technology）近期大動作布局光通訊半導體供應鏈，繼今年 5 月入股磷化銦（InP）高速光晶片新創彌爾光半導體之後，最新宣布以 23.91% 持股比例成為鑫耀半導體第二大股東；DIGITIMES 分析指出，哈勃投資觸角從 VCSEL、通訊用雷射晶片延伸至高速傳輸與光電互連元件，瞄準 AI 算力擴張帶動的 800G/1.6T 光模組需求爆發。
磷化銦（Indium Phosphide, InP）襯底價格暴漲是華為加速卡位的關鍵背景：經濟觀察報 8 月 14 日報導，2 英吋光通訊級磷化銦襯底從 2025 年初 800 美元/片一路飆升至 2026 年 4 月 2,300-2,500 美元/片，漲幅接近 2 倍；6 英吋高端襯底價格更從 1,400 美元/片漲至 3,500 美元/片以上；DIGITIMES 指出 2026 年全球 800G 及以上光模組出貨量預計超過 6,300 萬只，占整體光模組出貨量六成，磷化銦成為繼導導、矽之後第三大關鍵半導體襯底材料。
華為哈勃此次入股鑫耀半導體的戰略意義涵蓋四個層面：(1) 襯底自主可控：鑫耀為中國少數能批量生產磷化銦襯底的廠商之一，可緩解華為受美日出口管制衝擊；(2) 光晶片協同：與既有彌爾光半導體、長進光子等投資標的互補，涵蓋雷射晶片、探測器、調變器全產品線；(3) AI 算力卡位：AI 集群使用的光收發器、LPO、CPO 市場預計從 2024 年 50 億美元增長至 2026 年 200 億美元以上（LightCounting 數據）；(4) 8,000-25 萬億日元市場規模：DIGITIMES 引用日媒披露哈勃以 25 萬億日元（約 1,700 億美元）規模的投資計畫，意圖打造光通訊國家隊。DIGITIMES 認為,華為此舉標誌中國光通訊產業進入國家隊主導階段,短期內將加速襯底、晶片、模組的國產替代,但長期仍需觀察技術良率、客戶驗證進度與海外市場准入,IPO 與二級市場回收節奏將是重要觀察指標。
中國光通訊產業鏈上游布局逐漸成型：(a) 襯底端：鑫耀半導體（磷化銦）、廣東平睿晶芯（年產 600 萬片襯底專案 2026/8 開工）；(b) 磊晶端：源傑科技、長光華芯（VCSEL、DFB、EML 雷射）；(c) 晶片設計：彌爾光半導體（高速光晶片）、華工正源（光模組）；(d) 模組端：華為、中際旭創、新易盛、天孚通信（800G/1.6T 光模組）；(e) 系統端：華為、中興、烽火（資料中心交換設備）。DIGITIMES 觀察認為，華為哈勃的全鏈布局意在對抗美國出口管制對中國 AI 與光通訊產業的雙重打擊。
對台灣光通訊供應鏈的影響層面：(1) 上詮、環宇通訊、眾達、波若威等台系光收發模組廠面臨中國紅色供應鏈價格競爭壓力，但台廠在矽光（Silicon Photonics）整合度與良率仍領先 1-2 代；(2) 聯亞、晶電、台積電（先進封裝）、日月光（SiPh 封裝）等受惠於全球 800G/1.6T 升級潮；(3) 上游磊晶廠全新、聯亞、IET-KU 將迎來高速光通訊磊晶片（InP、GaAs）的出貨動能；(4) DIGITIMES 預估台廠在 2026 年全球高速光通訊元件市占率仍可維持 35-40% 區間。
長線產業觀察指標與潛在風險：(a) 磷化銦襯底價格何時見頂：若 2027 年三星電機、住友電工等日韓大廠擴產到位，價格可能回落 30-40%；(b) 華為哈勃投資的 IPO 回收：長進光子 2026 年上市後哈勃持股稀釋至 2.85%，鑫耀半導體上市進度是觀察重點；(c) 美國出口管制升級風險：若磷化銦磊晶設備（如同位素 MOCVD）遭新一輪管制，華為布局可能受阻；(d) AI 集群資本支出放緩：若超大規模雲端業者（hyperscaler）2027 年資本支出年減逾 15%，光模組需求將放緩。
總結而言，華為哈勃此次重押磷化銦光通訊晶片，是中國應對美日半導體出口管制與 AI 算力擴張的雙重戰略；DIGITIMES 認為此布局短期內強化中國自主供應鏈，但長期需觀察 2027 年襯底供需平衡與 IPO 回收節奏。