【2026-08-20】DIGITIMES 8 月 20 日報導，中國 DRAM 龍頭長鑫存儲（CXMT）IPO 募資成功後，預定在北京興建第二座 12 吋 DRAM 晶圓廠，目標 2027 年量產；CXMT 現為全球第四大 DRAM 製造商（Q1 2026 市佔 7.7%），但年底產能將直逼美光（14.2%），中國 DRAM 自給率預估從 2025 年的 18% 提升至 2026 年底 35%，威脅三星與 SK 海力士的龍頭地位。
DIGITIMES 8 月 20 日報導指出，長鑫存儲（CXMT，688825-CN）已在 7 月 27 日於上海證交所科創板掛牌 IPO，融資規模達人民幣 120 億元（約新台幣 540 億元），是中國半導體產業 2026 年最大規模 IPO 之一。TechNews 8 月 4 日報導指出，CXMT 預定在北京經濟技術開發區興建第二座 12 吋 DRAM 晶圓廠，月產能規劃 12 萬片（12 吋晶圓當量），預計 2027 年 Q3 量產，主要生產 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5 等主流規格 DRAM；此廠完工後，CXMT 全球月產能將自目前的 25 萬片提升至 37 萬片，逼近美光的 40 萬片。
CXMT 2026 年底產能直逼美光是市場最關注的焦點。DIGITIMES 引述 EET China 報導指出，2026 Q1 全球 DRAM 市佔率為三星 40.5%、SK 海力士 29.6%、美光 14.2%、CXMT 7.7%、南亞科 1.5%、華邦電 1.2%；但 CXMT 憑藉合肥廠區擴產 + 北京新廠建設，預估 2026 年底月產能將自 25 萬片提升至 32 萬片，市佔率上看 12-13%，逼近美光的 14.2%；2027 年底若新廠達產，市佔率上看 16-18%，正式超越美光成為全球第三大 DRAM 製造商。 供應鏈各環節的因應策略，往往會在政策變動前後出現明顯的差異，這也是市場解讀時需要特別留意的訊號。
中國 DRAM 自給率將因 CXMT 擴產大幅提升。DIGITIMES 引述中國半導體行業協會估算指出，2025 年中國 DRAM 自給率約 18%（含紫光、長鑫等本土廠商），但 CXMT 擴產 + 紫光重組（長江存儲併購紫光 DRAM 業務）+ 武漢新芯產能爬升後，2026 年底中國 DRAM 自給率上看 35%，2027 年可望突破 50%；這個變化對三星、SK 海力士的中國市場營收造成壓力——中國 DRAM 進口量 2025 年約 580 億美元，2026 年可能下滑 8-12%。 觀察過往幾次類似事件可以發現，技術規格的推進與地緣政治的拉扯經常呈現高度連動，企業的投資節奏亦受其左右。 此外，相關標準的制定過程往往牽涉多方利益協調，能在其中扮演積極角色的企業，將更有可能取得先發優勢。 從過往產業演進的軌跡來看，每一次重大技術突破背後，都伴隨著政策、資本與人才的高度整合。
CXMT 製程技術仍落後三星、SK 海力士 1.5-2 代。DIGITIMES 引述市調機構 TrendForce 指出，CXMT 目前主要使用 1a 製程（約 16-14nm 等效）生產 DDR4/DDR5，1b 製程（13-12nm 等效）已於 2026 Q2 完成研發，2026 Q4 試產；而三星、SK 海力士已量產 1c 製程（11-10nm 等效），並於 2026 Q1 開始研發 1d 製程（9-8nm 等效）。CXMT 在 HBM 領域仍落後 SK 海力士 3-4 年，2026 HBM3 量產時間可能延後至 Q4，HBM3E 仍處於研發階段。 專家指出，這類議題在短期內雖然難以達成共識，但對於建立更具韌性的產業結構仍具有指標意義。
CXMT 計畫於 2026 年底開始量產 HBM3 切入 AI 伺服器市場。DIGITIMES 引述高盛 2026 年 7 月 28 日研報指出，CXMT 已在 HBM 領域明確設定目標，計劃 2026 年實現 HBM3 及 HBM3E 量產，直接切入 AI 伺服器最核心的高階記憶體市場，與 SK 海力士、三星、美光正面競爭；但 CXMT HBM3 良率與頻寬表現仍有疑慮，預估初期市佔率僅 2-3%，要追上 SK 海力士的 50%+ HBM 市佔率需 2-3 年時間。 對終端市場而言，新規格與新材料的導入時程，往往牽動整體生態系的資源配置與技術升級方向。
CXMT 的擴產威脅已引起市場警覺。DIGITIMES 引述摩根士丹利（Morgan Stanley）2026 年 8 月研報指出，「CXMT 是 2026 年記憶體產業最大的不確定因素」，預估 2026 年 DRAM 市場供需將因 CXMT 擴產 + 紫光重組 + 武漢新芯產能開出而趨於平衡甚至微幅過剩，DRAM 價格 Q4 2026 可能出現 5-8% 回調；但因 AI 伺服器 HBM 需求強勁、HBM3E 與 HBM4 供應仍吃緊，HBM 價格可望持續上漲至 2027 Q1。 從研發投入的角度觀察，相關企業在材料、製程與系統整合上的布局，已成為未來幾年觀察產業變化的重要切入點。
CXMT 母公司「長鑫科技集團」已啟動合肥廠區第二期擴產計畫。DIGITIMES 引述中國媒體報導指出，長鑫科技集團 2023-2028 年規劃將每月 DRAM 產能從 12 萬片（12 吋當量）提升至 35 萬片，5 年擴產幅度近 3 倍；總投資規模超過 800 億人民幣，資金來源包括 IPO 募資 120 億、武漢國資委注資 200 億、中國國家集成電路產業投資基金（大基金二期）注資 300 億、安徽省政府產業基金注資 100 億、其他 80 億。
台灣記憶體廠南亞科、華邦電面臨競爭壓力。DIGITIMES 整理指出，南亞科主要生產 DDR4、DDR5 標準型 DRAM，月產能約 7 萬片（12 吋當量），與 CXMT 直接競爭；華邦電以利基型 DRAM（Specialty DRAM）為主，月產能約 5 萬片，與 CXMT 重疊度較低。若 CXMT 2026 年底月產能達 32 萬片，將擠壓南亞科在中國 DDR4/DDR5 市場的市佔率（南亞科中國市佔約 5-6%），可能下滑至 3-4%。 這樣的發展脈絡也意味著，企業若能在前期做好風險評估與替代方案準備，將更具備應對未來不確定性的能力。
本事件對台灣半導體設備廠是利多。DIGITIMES 引述 SemiAnalysis 報告指出，CXMT 兩座 DRAM 廠 + 紫光重組 + 武漢新芯擴產，預估 2026-2027 年中國 DRAM 設備投資規模達 180 億美元，主要採購 ASML（EUV 暫無，採購 DUV 浸潤式 ArFi）、Applied Materials、TEL、Lam Research、KLA 等國際設備大廠；台廠 ASML 台灣供應鏈（如帆宣、家登、瑞岩）及美光/台積電設備供應鏈（如京鼎、聖暉、公準、均華、弘塑）可望同步受惠。 不同地區的監管態度與補貼政策持續調整，迫使跨國企業必須以更靈活的方式規劃其全球布局。
CXMT 與長江存儲（YMTC）的擴產策略截然不同。DIGITIMES 引述產業觀察指出，長鑫科技（CXM）專注 DRAM、長江存儲（YMTC）專注 NAND 與 3D NAND，兩家公司互不競爭但同步擴產；中國官方政策鼓勵本土廠商「分工合作」，避免內部價格戰；CXMT 的 DRAM 產能擴張策略可能促使中國官方進一步整合紫光、長鑫、長江三家，建立「中國 DRAM / NAND 國家隊」，挑戰三星與 SK 海力士的雙雄格局。 在全球科技分工日益複雜的背景下，掌握關鍵環節的主導權，往往比單純追求規模擴張更具策略價值。
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