HBM4 記憶體戰爭正式進入白熱化階段。三星電子與 SK 海力士計畫於 2026 年下半年同步提高向 NVIDIA 供應 8 層 HBM4 記憶體的比例，以配合 NVIDIA 在 Vera Rubin 平台上對供應穩定性與散熱效能的雙重要求。三星 HBM4 已率先通過 NVIDIA 品質認證，並於 2026 年 2 月正式開始向客戶出貨。SK 海力士則加速清州 M15X 工廠量產，並準備於下半年擴大供貨規模。業界預估，兩家公司合計 HBM4 出貨佔比將從目前的 20~30% 提升至年底 50% 以上。這場 HBM 戰爭已不只是「技術領先」的競爭，更是「產能規模」、「客戶關係」、「價格策略」、「散熱設計」的綜合較量，預期將在 2026 下半年成為全球記憶體產業最受矚目的焦點之一。

價格方面，SK 海力士 HBM4 12-high 產品的售價估達約 500 美元高位，比 HBM3E 12-high 高出 50% 以上，反映 HBM4 在堆疊層數、頻寬、與散熱設計上的全面升級。HBM4 採用 1bnm 或更先進製程，單顆容量達 36GB、頻寬突破 1.2TB/s。隨著 NVIDIA Vera Rubin 平台量產爬坡，HBM4 將在 2026 下半年進入快速放量期，並帶動整體 HBM 市場規模從 2025 年的 300 億美元擴增至 2026 年的 500 億美元以上。SK 海力士於 2026 上半年已出貨首批 HBM4 12-high 樣品給 NVIDIA，頻寬與容量均較 HBM3E 12-high 提升 50% 以上。同時，SK 海力士的「Please Make More HBM」獨家訊息也揭露 NVIDIA 對 HBM4 需求遠超預期，並要求供應商加速擴產。

三星在 HBM4 戰役中「後來居上」。雖然 SK 海力士仍是 NVIDIA 的 HBM 首選供應商，但三星 HBM4 在品質認證上率先通關，並於 2026 年 2 月開始出貨，搶下 NVIDIA Vera Rubin 首批訂單約 20~30% 的份額。三星近期更宣布 2026 年 HBM 銷售預計將實現 3 倍增長，並已與客戶洽談 2027 年及之後的供貨協議。這代表三星在 HBM 領域已正式擺脫先前良率不佳的陰影，並重返 AI 記憶體戰場主舞台。三星透過「價格折讓」與「優先供貨」策略爭取 NVIDIA 訂單，並於 2026 上半年加速其華城（Hwaseong）HBM 專用工廠的良率提升，預估下半年三星在 HBM4 整體市占率將從年初約 20% 提升至年底 35% 以上。

值得注意的是，HBM 市場並非「贏家通吃」。美光（Micron）已宣布 HBM4 進入量產，預計 2026 年下半年開始向 NVIDIA 與 AMD 客戶出貨，並積極爭取 12~15% 的市占率。此外，中國長鑫存儲（CXMT）與長江存儲（YMTC）也加快 HBM 研發，雖然短期內難以進入 NVIDIA 等國際客戶供應鏈，但對中國本土 AI 加速器市場具有重要意義。整體而言，HBM4 將是 2026~2028 年記憶體產業最重要的成長動能，並將重塑全球記憶體市場的競爭格局。SK 海力士、三星、美光三大廠合計市占率約 95%，但中國本土廠商若在 2027~2028 年取得突破，可能進一步擾動市場結構，預估 2030 年中國本土 HBM 市占率有機會達到 5~10%。

台灣供應鏈方面，南亞科、華邦電、旺宏等台廠雖未直接供應 HBM4，但在 HBM 所需的 TSV（矽穿孔）製程設備與封裝材料上扮演關鍵角色。此外，台積電 CoWoS 產能擴張也是 HBM4 放量不可或缺的環節——沒有足夠的 CoWoS 先進封裝產能，HBM4 也無法大量整合進 GPU 機櫃。這代表 HBM4、CoWoS、GPU 三者必須同步擴產，才能滿足 NVIDIA Vera Rubin 平台的需求節奏。台廠中，弘塑（濕製程設備）、家登（EUV 光罩盒）、帆宣（廠務系統）等也將受惠於三大記憶體廠的擴產投資，形成「HBM 概念股」與「CoWoS 概念股」雙軌同步成長的格局。

業界專家提醒，雖然 HBM4 市場前景看好，但 2026 年下半年仍須密切注意幾個變數：(1) NVIDIA Vera Rubin 實際出貨量是否符合預期、(2) 客戶端庫存水位變化、(3) 中國本土 HBM 是否加速進入市場影響價格。同時，HBM4 散熱設計（thermal management）也是關鍵技術挑戰，由於頻寬與功耗同步提升，傳統散熱方案已無法滿足需求，必須採用更先進的 micro-channel cooling 或 immersion cooling 等技術。整體而言，HBM4 已成為 AI 時代記憶體產業的戰略物資，並將在 2026~2028 年創造可觀的市場商機，台灣相關供應鏈也將同步受惠。