ASML High-NA EUV 邁入新的里程碑。Intel 18A 製程已在美國奧勒岡州完成 High-NA EUV 製程的雙重驗證，產品良率已達到與傳統 NXE 平台（Low-NA EUV）相當的水準，並開始向客戶出貨。這代表 Intel 成為全球首家實現 High-NA EUV 邏輯晶片高產量出貨的晶圓代工廠，並試圖藉此在先進製程上超越台積電與三星。High-NA EUV 是 ASML 極紫外光（EUV）設備的新一代版本，其中「NA」代表「數值孔徑」（Numerical Aperture），每台要價高達 4 億美元，是半導體設備史上單價最高的產品之一。Intel 此次率先採用 High-NA EUV，不僅代表製程技術的領先，也象徵 Intel 在晶圓代工業務上重新取得市場關注，並為其晶圓代工業務（Intel Foundry）爭取更多客戶訂單鋪路。

然而台積電在 High-NA EUV 的導入策略上相對保守。台積電認為，由於 High-NA EUV 成本過高，目前生產中暫時不需要這項技術；台積電正努力降低成本，並在投入生產前最大化 High-NA EUV 的效益。這代表台積電將延後 High-NA EUV 導入時程，可能在 N2P 或 A16 製程之後才會全面採用。業界解讀，台積電延後導入並非技術能力不足，而是基於「成本效益」的商業判斷——Low-NA EUV 加上雙重曝光/四重曝光等技術，仍能在 N2 與 A16 製程達到目標良率與效能。台積電的策略是等 High-NA EUV 單台成本下降至 3 億美元以下，且通過量產驗證後再採用，這與 Intel 提早採用的策略形成鮮明對比。台積電董事長魏哲家多次強調，「採用新技術的時機比誰先用更重要」，代表台積電對 High-NA EUV 採「謹慎樂觀」的態度，並將成本與良率視為最重要的決策考量。

雖然台積電延後導入 High-NA EUV，但 ASML 仍將 2026 年全年營收預測大幅上調至 430~450 億歐元。ASML 表示，2025~2026 年 EUV 設備銷量將持平（維持在 50 台以內），其中台積電占約 20 台；但 2027 年將恢復動能，主要受惠於：(1) SK 海力士等記憶體廠將採用 High-NA EUV 升級 DRAM 製程、(2) 中國客戶對成熟製程設備的需求持續、(3) Intel 18A 量產放量後將持續採購 High-NA EUV。ASML 強調，半導體產業的長線成長動能依然強勁，僅是世代交替期間出現短期波動。ASML 2026 上半年已交付約 25 台 Low-NA EUV 與 5 台 High-NA EUV，並於 7 月宣布將 High-NA EUV 年產能從 5~6 台提升至 2027 年的 8~10 台，預期將成為推升 2027~2028 年營收的關鍵動能。

業界專家指出，High-NA EUV 的導入是一個「漸進過程」而非「世代交替」。Intel 雖然率先在 18A 採用 High-NA EUV，但初期僅用於特定層數（critical layers），並非所有製程層都使用。台積電的策略則是在 Low-NA EUV 平台上透過多重曝光技術達到同等效果，等到 High-NA EUV 成本下降後再全面採用。這兩種策略各有優缺點：Intel 較早採用可搶占技術領先形象，但短期成本壓力較大；台積電延後採用可控制成本，但可能錯失部分客戶的技術領先期望。Intel 18A 採用 High-NA EUV 初期生產的晶片包括 Panther Lake 處理器（消費端）與 Clearwater Forest 伺服器處理器，預期 2026 下半年可看到首批搭載 Intel 18A 製程的消費性產品上市，並成為 High-NA EUV 量產實力的首次大型驗證。

首批 High-NA EUV 晶片涵蓋邏輯與記憶體。Intel 18A 製程採用 High-NA EUV 已於奧勒岡州量產驗證，並開始向客戶出貨；同時，SK 海力士也計畫在 1bnm DRAM 製程採用 High-NA EUV，預計 2027 年開始量產。這代表 High-NA EUV 不只用於邏輯製程，也將逐步導入記憶體製程，並成為半導體產業未來 5~10 年最重要的設備升級方向。SK 海力士採用 High-NA EUV 主要用於 1bnm DRAM 的 EUV layer，可望讓 DRAM 製程微縮至 10nm 級別，並使單顆容量提升至 32~48Gb 以上。中國記憶體廠（長鑫存儲 CXMT、長江存儲 YMTC）也積極評估 High-NA EUV 導入，但受制於美國出口管制，短期內難以取得相關設備。

業界專家提醒，雖然 High-NA EUV 是半導體設備升級的必然方向，但短期內仍須注意幾個變數：(1) Intel 18A 製程的客戶採用進度、(2) SK 海力士 High-NA DRAM 量產時程、(3) 台積電 N2 與 A16 製程的客戶採用情況、(4) 中國半導體設備國產化的影響。同時，High-NA EUV 的營運成本（包含光罩、維護、與材料）也是晶圓廠重要的考量，台積電延後導入的策略或許能在長期取得更佳的成本效益。整體而言，ASML High-NA EUV 將在 2026~2028 年逐步成為半導體產業的主流設備，並將重塑全球晶圓代工與記憶體市場的競爭格局，同時也將為 ASML 帶來可觀的營收成長與市場領導地位。