DIGITIMES 科技網於 2026 年 9 月 4 日引述業界消息指出，美光（Micron Technology）計劃在 2026 年底前將高頻寬記憶體（HBM）月產能較 2025 年提升至 2 倍，並透過積極的設備投資強化 12 層 HBM4 供應能力。此擴產計畫將使美光在 HBM 市場的競爭力顯著提升，並有望追趕 SK 海力士（SK Hynix）與三星（Samsung）兩大競爭對手。根據 DIGITIMES 與多家外媒報導，12 層 HBM4 將在美光整體 HBM 投片中佔比上看 50%，這意味著美光押注 12 層堆疊將是 2027~2028 年 HBM 市場的主流規格，提前佈局以搶佔市場份額。

美光 HBM 擴產的關鍵驅動力來自 AI 加速器客戶的強勁需求。DIGITIMES 報導指出，美光 12 層 HBM4 主要鎖定三大客戶：(1) NVIDIA 預計 2026 年第四季推出的 Rubin 平台，單顆 Rubin GPU 將搭載 8 顆 HBM4 模組，總頻寬上看 13 TB/s；(2) AMD MI400 系列加速器，採用 HBM4 12-Hi 規格，預計 2027 年上半年開始出貨；(3) Google TPU v7「Ironwood」晶片，2026 年下半年量產。此外，AWS Trainium 3、Meta MTIA v3 等客製化 AI ASIC 客戶也將排隊搶產能。業界人士透露，美光 12 層 HBM4 的 2027 年產能已被上述客戶「包下」70% 以上，剩餘產能將開放給中小型 AI 晶片商。

美光的 HBM 擴產計畫在地理分布上以台灣與日本為主軸。DIGITIMES 報導指出，美光位於台中與桃園的 DRAM 廠將是 HBM4 12 層堆疊的主要生產基地，預計 2026 年底前額外投入約 55 億美元的資本支出（capex），用於購置 ASML EUV 曝光機、Applied Materials 沉積設備、KLA 檢測設備等關鍵機台。日本廣島廠（Hiroshima）則負責 HBM 基礎晶圓（base die）生產，採用 1-gamma 製程（10nm 級 DRAM 節點）。美光台灣董事長盧東暉（Donghui Lu）日前在 SEMICON Taiwan 2026 強調，美光將持續深化與台灣供應鏈的長期夥伴關係，並規劃與台系承攬商簽訂 5~10 年的長期合約，以確保 HBM 擴產進度能順利達標。

從製程技術角度，12 層 HBM4 是當前最先進的 HBM 規格，單顆容量上看 36 GB（12-Hi × 3 GB 單層），頻寬達 1.2~1.5 TB/s/顆。DIGITIMES 報導指出，美光 HBM4 採用「MR-MUF（Mass Reflow-Molded Under-Fill）」製程技術，這是美光獨有的 HBM 堆疊技術，相較於競爭對手的 TC-NCF（Thermal Compression Non-Conductive Film）製程，MR-MUF 具有更好的散熱性能與更高的良率。業界預估美光 12 層 HBM4 的良率在 2026 年底前可達 65~75%，相較於 8 層 HBM3E 的 80~85% 仍有改善空間。良率提升速度將直接影響美光 HBM4 的實際有效產能與獲利率，是接下來 6~12 個月最關鍵的觀察指標。

美光在 HBM 市場的市佔率歷年來都落後 SK 海力士與三星，但 2026 年的擴產計畫顯示美光急起直追的決心。DIGITIMES 與集邦科技（TrendForce）研究報告指出，2025 年 HBM 市場三大廠市佔率分別為：SK 海力士約 52%、三星約 35%、美光約 13%。隨著美光 HBM4 12 層產能開出，預期 2027 年市佔率將變化為：SK 海力士約 48%、三星約 30%、美光約 22%。美光的目標是 2028~2029 年將市佔率推升至 30% 以上，與三星並駕齊驅。為達此目標，美光除了擴大產能外，也持續投資 HBM5 與 HBM5e 規格的研發，預期 2027~2028 年將進入工程樣品階段。

台灣記憶體供應鏈將是美光 HBM 擴產的最大受惠者之一。DIGITIMES 報導指出，美光 HBM 擴產的關鍵台廠供應商包括：(1) 台積電（TSMC）：負責 HBM 基礎晶圓與部分 logic die 的晶圓代工；(2) 日月光（ASE）、矽品（SPIL）：負責 HBM 封裝測試（FT）；(3) 欣興電子（Unimicron）、南亞電路（Nan Ya PCB）：負責 HBM 載板（substrate）；(4) 弘塑科技（Grand Process Technology）、志聖工業（C Sun）：負責 HBM 先進製程設備；(5) 帆宣（Marketech International）、漢唐（Tong Hsing Electronic）：負責廠務與無塵室工程。法人預估，2026 年起美光 HBM 擴產將為台灣供應鏈帶來約 1,200~1,800 億新台幣的年營收貢獻，並在 2027~2028 年持續擴大。

風險與展望方面，美光 HBM 擴產仍面臨三大不確定性：(1) 設備到貨時程：ASML EUV 曝光機交期長達 18~24 個月，若設備延遲到貨將影響擴產進度；(2) NVIDIA Rubin 平台推出時程：若 Rubin 平台延後，HBM4 訂單可能遞延；(3) 中國記憶體廠（CXMT、長鑫存儲）的競爭：中國 DRAM 與 HBM 廠雖然技術仍有 2~3 代差距，但國家補貼與內需市場仍是潛在威脅。DIGITIMES 引述半導體設備商分析，預期美光 HBM 擴產實際有效產能在 2027 年上半年才會明顯釋出，2026 年底前仍屬於「設備進場 + 試產」階段。長期而言，AI 訓練與推論對記憶體頻寬的需求將持續成長，HBM 將成為繼 GPU 之後 AI 晶片供應鏈最關鍵的零組件，美光此次擴產將是鞏固其在 HBM 三強中地位的關鍵一役。