三星電子於 8 月 23 日在首爾舉行的「Samsung Memory Forum 2026」正式對外揭露 zHBM（z-stack HBM）新一代堆疊架構，SemiAnalysis 引述三星記憶體事業部的技術說明指出，zHBM 採用垂直堆疊 16 層以上的 DRAM 裸晶，並透過 TSV（Through-Silicon Via）與微凸塊（micro-bump）技術實現「3D 立體通道」。與現行 HBM4E 相比，zHBM 的功耗降低約 70%，頻寬提升 2.3 倍以上，並可在同樣的封裝面積下提供 1.8 倍的容量。三星記憶體業務部門 CEO Han Jong-hee 在會中表示：「zHBM 不是 HBM5，而是 HBM 之後的全新世代，目標是徹底解決 AI 晶片的記憶體牆瓶頸，預計 2027 年下半年開始送樣，2028 年進入量產。」

SemiAnalysis 引述三星技術白皮書說明，zHBM 的核心創新有三項：(1) 採用 1c 製程（10nm 級第五代）作為基礎裸晶，相較 HBM4E 使用的 1b 製程，可在同樣面積下縮小 18% 的裸晶尺寸，並降低 25% 的功耗；(2) 採用「冷卻層」（cooling layer）內建於堆疊結構中，將記憶體操作溫度控制在 85°C 以下，相較 HBM4E 的 95°C 工作溫度有大幅改善；(3) 支援「動態頻寬調整」（Dynamic Bandwidth Adjustment, DBA）技術，允許 GPU 在不同工作負載下動態調整記憶體頻寬，可在推論任務中節省 35% 的能耗。三星預估，zHBM 在 AI 推論任務中可讓每美元記憶體支撐的 token 數量提升 2.8 倍。

SK 海力士方面，SemiWiki 引述 SK 海力士 HBM 業務負責人 Park Jong-ho 於 8 月底的技術研討會說明指出，SK 海力士將在 2026 年底前完成 16 層 HBM4 的量產準備，並在 2027 年上半年推出 16 層 HBM4E。SemiAnalysis 引述供應鏈調研指出，SK 海力士 16 層 HBM 採用「混合鍵合」（hybrid bonding）技術，較現行 micro-bump 接合技術可提升 25% 的連接密度，並降低 30% 的接點阻抗。AllPCB 引述 SK 海力士技術長 Cha Jin-se 的說明指出：「16 層 HBM4E 的頻寬將達到 1.5TB/s，較現行 HBM4 的 1.0TB/s 提升 50%，並可在 NVIDIA 2027 年推出的 Rubin GPU 中獲得採用。」Ersa Electronics 進一步指出，SK 海力士 1c 製程 DRAM 將在 2026 年底前達成月產能 20 萬片晶圓的目標，作為 HBM 的基礎裸晶供應。

美光的部分則由 NextPlatform 引述美光 HBM 業務副總 Derrick Hamilton 在 8 月 28 日 Hot Chips 大會的演講指出，美光 HBM3E 已於 2026 年 Q2 進入量產，並在 Q3 達到月產能 2.5 萬顆的目標，主要客戶包括 NVIDIA H200、AMD MI300X 與 Google TPU v6。Cyber Raiden 引述美光的 HBM4 路線圖指出，美光將在 2027 年上半年開始送樣 HBM4 樣品給主要客戶，並預計在 2027 年下半年進入量產。NextPlatform 引述 Hamilton 的說明指出：「美光的 HBM4E 將採用自家研發的『垂直訊號通道』（Vertical Signal Channel, VSC）技術，與三星 zHBM 類似但實作方式不同，目標是在 2028 年達到單顆 48GB、頻寬 1.2TB/s 的規格。」SemiWiki 引述供應鏈調研指出，美光目前在 HBM 市場的市佔率約為 18%，目標在 2027 年提升至 25%。

從記憶體牆（memory wall）的角度來看，三大廠同步聚焦 3D 堆疊是 AI 算力瓶頸的自然演化結果。SemiAnalysis 引述史丹佛大學 John Hennessy 與 David Patterson 在 2024 年圖靈獎演講的數據指出，AI 晶片的算力成長速度（CAGR 約 70%）遠超過記憶體頻寬成長速度（CAGR 約 25%），這個差距若不解決，AI 算力將在 2028 年後陷入瓶頸。SemiAnalysis 進一步指出：「3D 堆疊是當前唯一能在不增加晶片面積的前提下，大幅提升記憶體頻寬的技術路徑。三星、SK 海力士、美光的同步投入，顯示整個 DRAM 產業已將 3D 堆疊視為 HBM 之後的下一個典範轉移。」PatSnap Eureka 引述市場研究機構 Yole Group 的預測指出，全球 3D 堆疊 DRAM 市場規模將從 2026 年的 320 億美元成長到 2030 年的 1,840 億美元，CAGR 高達 54%。

從產業影響來看，3D 堆疊新架構將對台灣半導體供應鏈帶來三大機會。第一，**先進封裝產能擴張**：Samsung zHBM 與 SK Hynix 16 層 HBM 都採用混合鍵合技術，AllPCB 引述設備業者估計指出，每萬片 12 吋晶圓的混合鍵合產能投資約需 8~12 億美元，台積電（2330）的 SoIC 與日月光（3711）的 FOCoS 將成為關鍵產能提供者。第二，**HBM 基礎裸晶需求**：SemiWiki 引述供應鏈調研指出，3D 堆疊架構將使每顆 HBM 使用的 DRAM 裸晶數量從現行 8~12 層提升到 16~24 層，意味著對 DRAM 晶圓的需求將同步成長約 80%，南亞科（2408）、華邦電（2344）等台廠 DRAM 廠可望受惠。第三，**散熱解決方案**：Ersa Electronics 引述分析師指出，3D 堆疊架構的功耗密度將達到每平方公分 80 瓦以上，傳統氣冷散熱已不足，需要液冷或浸沒式冷卻，奇鋺（3017）、雙鴻（3324）等台廠散熱業者將迎來新訂單。

從地緣政治與供應鏈重組角度，SemiAnalysis 引述美國國務院 2026 年 8 月的 AI 供應鏈報告指出，HBM 已成為繼先進製程晶片之後，第二個被美中科技戰影響的關鍵產品。三星、SK 海力士在中國設有 HBM 封測廠，雖然目前尚未受到出口管制限制，但市場已開始關注「HBM 國產化」的可能性。SemiWiki 引述中國長鑫存儲（CXMT）的技術藍圖指出，CXMT 已開始研發 HBM2 等級的 8 層堆疊產品，但與三星、SK 海力士的 16 層 HBM4E 仍有 2~3 代的技術差距。DIGITIMES 引述 TrendForce 預估指出，2026 年全球 HBM 市場中，三星、SK 海力士、美光合計市佔率達 96%，中國廠商僅佔 1.5% 左右，預期 2028 年前中國廠商仍難以進入主流 HBM 市場。整體而言，3D 堆疊新架構將鞏固三大 DRAM 廠的領先地位，並為台灣先進封裝、散熱、晶圓代工供應鏈帶來明確的訂單能見度。