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【2026-09-09】AI 伺服器推升記憶體需求 3Q26 DRAM 合約價 Q-on-Q 再漲 13-18% NAND 漲 10-15% SSD 與 LPDDR 全面產品升級 TrendForce 預期 Q3 記憶體營收續創新高

信心 B・多源獨立媒體確認|2026-09-09 07:30 台北時間

DIGITIMES 報導,TrendForce 預期 AI 伺服器需求將持續推升 3Q26 記憶體營收,DRAM 合約價預期 Q-on-Q 上漲 13-18%,NAND 合約價上漲 10-15%,SSD 與 LPDDR 將全面進入產品升級週期。2026 年伺服器記憶體需求年增預期超過 40%,占整體儲存應用比重將進一步提升,全球記憶體市場規模在 AI 與 HPC 驅動下進入長期上升週期。

TrendForce 於 2026 年 7 月 3 日發布的最新記憶體研究報告指出,受惠於 AI 伺服器、HPC、與資料中心建置需求持續強勁,3Q26 全球記憶體營收預期將續創歷史新高,DRAM 合約價預期 Q-on-Q 上漲 13-18%,NAND Flash 合約價預期 Q-on-Q 上漲 10-15%。TrendForce 指出,AI 伺服器與 GPU 加速器對高頻寬記憶體(HBM)與高密度 DDR5 的強勁需求,是推動 DRAM 價格上漲的主要驅動力,而企業級 SSD 與 LPDDR5 在 PC、Automotive、Edge AI 等應用的滲透率提升,則是 NAND 價格上漲的主要支撐。TrendForce 進一步指出,2026 年伺服器記憶體需求年增預期將超過 40%,是過去 5 年來最快的成長速度。

從產品升級週期來看,3Q26 起將進入新一波 SSD 與 LPDDR 升級週期。Hiper Global 於 2026 年 7 月 29 日發表的《Memory and SSD Supply Chain Update – Mid-2026》報告指出,DRAM 方面將從 DDR5 4800/5600 為主流,進入 DDR5 6400/7200 為主流的世代交替,並加速向 DDR6 規格(預計 2027 年正式發布)的過渡期;NAND 方面則將從 TLC 為主流,進入 QLC 與 PLC 在企業級 SSD 應用的擴張期。Hiper Global 進一步指出,AI 伺服器現在使用的系統記憶體平均容量,已從 2024 年的 1.5TB/台提升至 2026 年的 2.5TB/台,且預期 2027 年將進一步提升至 3.5TB/台,這是 AI 模型參數量、指數、KV cache 同步快速成長所推動的需求結構性變化。

從應用別來看,AI 伺服器、行動裝置、車用、邊緣 AI 等四大應用領域,將是 2H26 記憶體需求的主要成長動能。NetworkWorld 於 2025 年 11 月 20 日的報導即已預警,伺服器記憶體價格到 2026 年底前可能翻倍(double),DRAM 價格截至當時已較年初上漲約 50%,且預期將持續上漲至 2026 年底。BuySellRAM 於 2026 年的 2026 RAM and SSD Outlook 報告指出,主要預測機構現在預期 DDR4/DDR5 DRAM 與 SSD 合約價將在 2026 年 Q1 跳升 50-60%,且 2026 年全年將持續上漲趨勢。BuySellRAM 指出,這次記憶體價格上漲週期與 2017-2018 年週期不同,主要差異在於 AI 應用帶來的「結構性需求」而非「週期性需求」,預期這次上漲週期將延續至 2027 年。

市場規模方面,TechStock01 Substack 指出,TrendForce 已將 2026 年記憶體市場價值預測上修 60%,2027 年預測上修 50%。TechStock01 進一步指出,若以記憶體廠商營收來看,Samsung Electronics(記憶體業務)、SK Hynix(含 HBM)、Micron Technology、Kioxia、Western Digital、Solidigm 等六大記憶體廠商合計營收預期將在 2026 年突破 2,500 億美元,創下歷史新高。Reboundeu 於 2026 年 3 月的分析報告亦指出,整個半導體產業 2026 年營收預期將逼近 9,750 億美元,其中記憶體與 AI 運算將占大部分比重。ServerMonkey 於 2026 年 7 月發表的 IT Hardware Market Update 報告則預期,全球半導體市場規模將從 2024 年的 4,450 億美元,成長至 2026 年的 8,090 億美元,年增率高達 82%,這是 AI 與記憶體需求共同推動的結果。

供應鏈動態方面,Hiper Global 指出,3Q26 記憶體供應鏈的主要瓶頸將從「產能」轉向「先進製程的良率」,特別是 1c 製程(Samsung 與 Micron 採用)與 1y 製程(SK Hynix 採用)的良率提升速度,將直接影響 DRAM 供應量是否能跟上需求成長。Hiper Global 進一步指出,Samsung 的 1c 製程 DRAM 已於 2026 年 Q1 進入量產,但良率仍低於 70%,預期要到 2026 年 Q4 才能穩定達到 80% 以上。BuySellRAM 指出,AI 對 DDR5 與 HBM 的強勁需求,已迫使記憶體廠商將原本用於 DDR4 的產能轉換為 DDR5 與 HBM,進一步加劇 DDR4 供應緊張,預期 DDR4 價格在 3Q26 將額外再漲 20-30%。

後續觀察重點方面,TrendForce 將在 2026 年 9 月底前發布 Q4 記憶體展望更新,並將焦點放在 HBM4 量產時程、DDR5 6400/7200 滲透率、企業級 QLC SSD 在 AI 訓練與推論的採用狀況。NetworkWorld 指出,伺服器記憶體供應緊張狀況預期將延續至 2027 年上半年,主要原因包括:(a) AI 模型的參數量仍在快速成長(GPT-5、Claude 4、Gemini 2 等持續推進),(b) 各雲端業者(CSP)的 AI 機房建置計畫仍未放緩,(c) 新一波 Edge AI 與 On-device AI 應用(如 Apple Intelligence、Google Gemini Nano、Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4 等)將帶動行動裝置記憶體容量升級(從 12GB 升級至 16GB、24GB),進一步推升 LPDDR 需求。TechStock01 指出,記憶體市場將進入「AI 結構性需求」驅動的長期上升週期,這次上漲週期的延續時間與高度都可能超出歷史經驗。