DIGITIMES 9 月 15 日報導「創浦助力玻璃基板技術邁向新一代 AI 晶片量產」指出，德國雷射與光電設備大廠創浦（TRUMPF）於 SEMICON Taiwan 2026 期間展示針對 AI 晶片堆疊的「整合式晶片內部冷卻技術」與玻璃基板微米級通孔（Through Glass Via, TGV）濺鍍技術。TRUMPF 指出，隨著 AI 晶片運算力不斷提升，產業競爭焦點已從晶片本身延伸至先進封裝技術。玻璃基板（Glass Substrate）憑藉低成本、大尺寸、高密度互連與低訊號損耗等優勢，被視為下一代 AI 晶片封裝的關鍵材料。TRUMPF 的 TGV 濺鍍技術可顯著提升玻璃通孔的孔壁金屬化品質與良率，是玻璃基板從研發邁向量產的關鍵環節。

Yahoo 新聞 9 月 1 日報導「創浦：玻璃基板技術邁向新一代 AI 晶片量產」指出，TRUMPF 表示玻璃基板不僅能提升功能整合密度，也有助於在晶片內部實現更快速且更有效率的資料傳輸。TRUMPF 的 VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直共振腔面射型雷射）與 EUV（極紫外光）雷射技術可用於玻璃基板的精密鑽孔、金屬化、檢測等製程。相較於傳統機械鑽孔，TRUMPF 的雷射鑽孔可達到 sub-micron 級精度，且不會產生機械應力（Mechanical Stress）導致玻璃破裂。TRUMPF 與台積電（TSMC）、Intel、Samsung 等晶圓代工廠均已展開合作測試。

CTimes（科技新報）9 月 2 日報導「突破 AI 晶片散熱與封裝瓶頸 創浦攻晶片內建冷卻與玻璃基板」進一步說明，TRUMPF 本次在 SEMICON Taiwan 2026 展示兩大核心技術：(1) 整合式晶片內部冷卻技術（Integrated Chip-level Cooling），透過微流道（Microchannel）設計在晶片內部導入冷卻液，較傳統散熱方案提升 5-10 倍散熱效率；(2) TGV 濺鍍技術，採用物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition, PVD）與化學氣相沉積（CVD）混合製程，可在玻璃基板的微米級通孔內形成均勻且緻密的金屬層，提升導電性與可靠度。這兩項技術的結合，可望解決 AI 晶片「熱牆」（Thermal Wall）與「I/O 瓶頸」兩大難題。

DIGITIMES SEMICON 2026 9 月 2 日報導（DOF Metrology 架構，瞄準先進封裝精密製程）指出，TRUMPF 也展示其 DOF（Depth of Focus，景深）量測架構，專為先進封裝精密製程設計，可整合到玻璃基板的檢測流程中。TRUMPF 強調，嵌入 TPV（Through Package Via，貫穿封裝通孔）連接器與銅塊的玻璃基板，提供了解決現行 TGV 製程問題的可行方案；將矽橋（Silicon Bridge）、DTC（Deep Trench Capacitor，深溝槽電容）及 VCR（Voltage Controlled Resistor）晶片嵌入玻璃基板上方的金屬連線架構中，可進一步簡化製程並提升良率。這些創新設計代表玻璃基板技術正從「單一材料」演進為「異質整合平台」。

36Kr（36 氪）8 月 23 日報導「量產時間集體更改，玻璃基板迎來第一次大考？」指出，玻璃基板的故事正從「誰先宣布」轉向「誰能按時交付」。進入 2026 年下半年，幾條時間相近、方向卻不同的消息把這種變化放到了檯面上：(1) Intel 於 7 月底宣布將玻璃基板量產時間從 2027 年延後至 2028 年；(2) 台積電 CoPoS（Chip on Panel on Substrate）平台計畫於 2027 年試產、2028 年進入量產；(3) Samsung、SK Hynix 也陸續宣布玻璃基板相關投資計畫；(4) 中國華為（Huawei）預計 2027 年量產玻璃基板，由國內供應鏈支援。整體而言，玻璃基板量產時間呈現「集體延後」趨勢，反映 TGV 製程良率、金屬化品質、檢測精度等技術瓶頸仍未完全克服。

pocket.tw 12 月 24 日報導「2026 年 AI 晶片新戰場：TGV 玻璃基板技術商用化爆發」指出，隨著摩爾定律放緩，晶片需要堆疊得更高、更密。TGV 技術允許在「玻璃」上打出微小的通道來傳輸訊號，比傳統的矽基板或有機基板傳輸速度更快、耗電更低、訊號損耗更小。台積電的 CoPoS 平台把 FOPLP（Fan-Out Panel-Level Packaging）與玻璃基板結合，CoP（Chip-on-Panel）解決生產效率與切割經濟性，oS（on Substrate）則採用玻璃基板材料取代部分有機載板。台灣供應鏈中，群創、友達積極布局 TGV 技術，南韓 Intekplus 拓展玻璃基板檢測設備，友達已於 2026 年中展出 600×600mm 大尺寸玻璃基板原型。

LinkedIn 分析師 Packnode 8 月 24 日報導指出，DIGITIMES 分析師 Jason Yang 認為「真正的玻璃中介層（Glass Interposer）CoPoS 商業化可能要到 2030 年才會實現」，這比多數供應鏈廠商預期的 2027-2028 年更為保守。Yang 指出，雖然玻璃基板在材料特性上優於有機載板，但在「製程整合」（Process Integration）、「供應鏈整合」（Supply Chain Integration）、「客戶端驗證」（Customer Qualification）等環節仍需 3-5 年時間。Yang 也提醒，TRUMPF 等設備廠雖然展示了突破性技術，但從研發到量產的「死亡之谷」（Valley of Death）仍需克服，包含：(1) TGV 製程良率目標需達 99.9% 以上；(2) 玻璃基板成本需接近有機載板的 2 倍以內；(3) 客戶端 IC 設計需配合玻璃基板的設計規則（Design Rule）。

綜合來看，TRUMPF（創浦）的 TGV 濺鍍技術為玻璃基板量產注入關鍵動能，可望提升 AI 晶片封裝的良率與效能。Intel、台積電、Samsung、華為等晶圓代工廠與 IDM 均積極布局玻璃基板，但量產時間普遍從 2027 年延後至 2028 年甚至更晚。後續觀察重點包含：(1) TRUMPF 與台積電、Intel、Samsung 的合作進度；(2) 群創、友達等台廠在 TGV 技術的突破；(3) 玻璃基板相較有機載板的成本競爭力；(4) CoPoS 平台的客戶端驗證進度；(5) 中國華為玻璃基板 2027 年量產的實際可行性。